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2021/01

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테스 - 반도체 제조장비 159.4억원 공시 (매출액대비 8.94 %) 반도체 제조장비 단일판매ㆍ공급계약체결(자율공시)을 1월 25일 공시 계약 상대방은 SK하이닉스, SK Hynix Semiconductor (China) Ltd. 계약금액은 159.4억원 규모 (최근 테스 매출액 1,783.7억원 대비 약 8.94 % 수준) 또한 삼성전자 P2 D램, 낸드 및 SK하이닉스의 M16 D램 신규 투자 등으로 인해 올해 연 실적은 매출액, 영업이익 3405억원, 678억원으로 전년 동기 대비 40.7%, 101.6% 증가, 사상 최대 실적이 기대. 메모리 반도체 분야 장비 생산 하나 봄.

배관용 스테인리스 강관의 치수 및 무게 (KS D3576)-1 배관용 스테인리스 강관의 치수 및 무게 (KS D3576)-1 호칭 지름 바깥 지름 D mm 호칭두께 A B 스케줄 5S 스케줄 10S 스케줄 20S 스케줄 40 두께 t mm 단위 무게 W, kg/m 두께 t mm 단위 무게 W, kg/m 두께 t mm 단위 무게 W, kg/m 두께 t mm 단위 무게 W, kg/m 종류 종류 종류 종류 304 304H304L321 321H 309 309S 310 310S 316 316H 316L316Ti 317 317L 347 347H 304 304H304L321 321H 309 309S 310 310S 316 316H 316L316Ti 317 317L 347 347H 304 304H304L321 321H 309 309S 310 310S 316 316H 316L316..

일반 구조용 탄소 강관 (KS D3566) 일반 구조용 탄소 강관 (KS D3566) 일반 구조용 탄소 강관의 치수 및 무게 바깥지름 D, mm 두께 t, mm 단위무게 W, kg/m 바깥지름 D, mm 두께 t, mm 단위무게 W, kg/m 바깥지름 D, mm 두께 t, mm 단위무게 W, kg/m 21.7 2 0.972 267.4 6 38.7 558.8 9 122 27.2 2 1.24 6.6 42.4 12 162 2.3 1.41 7 45 16 214 34 2.3 1.8 8 51.2 19 253 42.7 2.3 2.29 9 57.3 22 291 2.5 2.48 9.3 59.2 600 9 131 48.6 2.3 2.63 318.5 6 46.2 12 174 2.5 2.84 6.9 53 14 202 2.8 3.16 8 61.3 16 230 3.2 3..

배관용 탄소 강관 KS D3507 탄소 강관의 치수, 무게 및 허용차 호칭 지름 바깥지름 D, mm 바깥지름의 허용차 두께 t, mm 두께의 허용차 소켓을 포함하지 않은 무게 A B 테이퍼 나신관 기타 관 W, kg/m 6 1/8 10.5 ±0.5mm ±0.5mm 2 +규정 안 함 -12.5% 0.419 8 1/4 13.8 ±0.5mm ±0.5mm 2.35 0.664 10 3/8 17.3 ±0.5mm ±0.5mm 2.35 0.866 15 1/2 21.7 ±0.5mm ±0.5mm 2.65 1.25 20 3/4 27.2 ±0.5mm ±0.5mm 2.65 1.6 25 1 34 ±0.5mm ±0.5mm 3.25 2.45 32 11/4 42.7 ±0.5mm ±0.5mm 3.25 3.16 40 11/2 48.6 ±0.5mm ±0.5mm 3.25 3..

주성엔지니어링 1. 2021년 1월 11일 발표한 '소부장(소재·부품·장비) 으뜸기업' 22개에 선정 2. '세계최초 시공간분할 원자층증착(ALD) 장비' 기술 개발 3. 디스플레이 장비는 LCD(액정표시장치)가 아닌 OLED(유기발광다이오드) 공정에 주력 4. 태양광 장비는 현재 24% 수준에 머물러 있는 광변환효율(빛을 전기로 바꾸는 효율)을 35%까지 끌어올리기 위한 연구 진행중. 5. 기존 공간분할 방식에 시분할 기술을 결합한 '하이브리드형'인 시공간분할(TSD:Time Space Divided) ALD 를 고객사 Test 중 (2020년). 이르면 2021년부터 양산라인에 적용 예상. 6. D램 핵심 요소인 커패시터(전하 저장 유무에 따라 0과 1을 판별) 공정에서 사용 고유전율 특성을 가진 하이-K 재료를 ..

글로벌 반도체 기업 텍사스 인스트루먼트(주문형 반도체칩 수입판매, 다우) 인텔(다우) 페어차일드코리아 (반도체 제조사.미국페어차일드 한국지사, 다우) AMK (반도체 장비제조사 미국 Applied Materilas 사의 한국지사. 천안 나스닥) AKT (LCD 장비 제조사 미국AMAT와 일본 Komats의 50:50의 합작회사, 서울 비상장) ATMI (반도체 장치, 원재료 제조사 미국ATMI 사의 한국지사, 안성 나스닥) ULVAC (LCD 장비 제조사, 일본ULVAC의 한국지사 평택, 닛케이) VARIAN (반도체 장비 제조사, 미국VARIAN 한국지사 평택, 나스닥) Axcelis (반도체 장비 제조사, 미국 Axcelis한국지사 수원, 나스닥) Air Product (산업용 가스, 장비 제조사 미국APC 한국 지사,..

반도체 용어 설명 TUVWY - TAM(Total Available Market) - Taping Wafer를 Tape에 접착하는 행위(완전 절단하기 위해 하는 것임.) - Target Sputtering 방법으로 Wafer 표면에 금속박막을 입힐 때 사용되는 금속 원재료. - TC Bonder(Thermo Compression Bonder) 열압착 본딩을 하는데 쓰이는 장치 - TEOS(Tetra Ethyl Ortho Silicate) 산화막 증착시 Si Source로 사용하는 물질 - Tester 제품의 양품과 불량을 판별하기 위해 사용되는 Computer가 내장된 전기특성 검사 장비. - Test Test Program을 이용하여 각 제품의 pass/fail 구분 및 전기적 특성 검사를 수행하는 장비. - TFT(Thin Fi..

반도체 용어 설명 QRS - QFP(Quad Flat Package) 반도체 완제품의 한 형태로 외부단자 즉, Lead가 package 4면에 1.0mm∼0.4mm의 간격으로 배열되어 갈매기 날개형태로 구부린 모양을 갖는 표면 실장형 반도체 제품. - RAM(Random Access Memory) 원하는 정보를 꺼내어 쓸 수 있는 반도체 기억장치로 Computer의 기본 기억장치이며 명령에 의해 정보를 꺼내어 쓰거나 넣을 수 있음. 정기적으로 Refresh동작이 필요한 DRAM과 전원을 끊어도 기억정보가 유지되는 SRAM 등이 있음. - Rambus DRAM Rambus사에서 제작한 고속 DRAM. Data전송주파수를 500㎒정도의 초고속으로 실현시켜 Data bus폭의 증대를 억제시켰음. 연속된 Data를 일괄처리 할 수 있으..

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