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> 국내 유일 TSMC 디자인하우스 / 2019년 TSMC VCA 선정


> 재배선(RDL) 인터포저, 실리콘(Si) 브릿지, 히트 스프레더 결합을 통한 TSMC 칩온 웨이퍼온 서브스트레이트(CoWoS)  차세대 패키징을 개발 중

> 비용, 성능, 파워, 사이즈 개선

> CoWoS-L(LSI+RDL인터포저) 개발 중

>> HBM, SoC 등은 RDL 인터포저 위에 올리는 형태

>> 다이 간 인터커넥션 : 실리콘 브릿지 활용

>> 발열 저감 목적의  히트 스프레더도 장착


* 칩온웨이퍼온서브스트레이트(CoWoS)

**  통합팬아웃(InFO), 오가닉 서브스트레이트 패키지 대비 성능, 전력 개선 가능

** 인터포저 사이즈 자유롭게 조정 가능

**  TSMC 어드밴스드 패키징  한 종류

**  Si인터포저와 실리콘관통전극(TSV) 등이 적용된 공정

** 엔비디아 A100, H100, 인텔 가우디 등이 CoWoS를 통해 생산된 대표적인 반도체


** 인터포저
*** 로직 다이와 고대역폭메모리(HBM) 등을 연결

** CoWoS 분류

CoWoS-S(Si인터포저),
: Si 인터포저 위에 로직 다이와 고대역폭메모리(HBM) 부착한 대표적인 CoWoS 패키지


CoWoS-R(RDL인터포저)
: RDL 인터포저와 InFO 적용.
RDL인터포저를 적용, CoWoS 대비 가격 경쟁력 우수
: 다이 간 인터커넥션 불가능

CoWoS-L(LSI+RDL인터포저)
: CoWoS-S와 InFO의 장점만 모은 패키징
: RDL인터포저를 통해 비용 축소
: 로컬실리콘인터포저(LSI) 탑재, 각 시스템온칩(SoC)과 HBM 간 인터커넥션 지원

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