전체 글 (534) 썸네일형 리스트형 삼성전자·SK하이닉스·TSMC의 일본·미국산 반도체 제조장비 의존 지속 세계 반도체 장비업체 매출 상위 15개사 중 일본 기업 7개사 포함미국 기업의 장비 시장 선도(어플라이드 머티리얼즈, 램리서치, KLA, 테라다인)일본 기업의 핵심 공정 장비 경쟁력 유지도쿄일렉트론의 코터·디벨로퍼 장비 세계 점유율 90%도쿄일렉트론·고쿠사이일렉트릭의 열처리 장비 시장 점유율 80% 이상캐논·니콘의 노광장비 분야 경쟁력 확보어드반테스트의 반도체 테스트 장비 세계 1위3D 반도체 확산에 따른 일본 장비업체 수혜 확대공정 고도화·정밀화에 따른 일본 장비산업 경쟁력 강화세계 반도체 장비 시장에서 일본의 약 30% 점유일본 정부의 반도체 장비산업 육성 및 미·일 협력 강화미국 연구기관 및 기업과의 전략적 협력 확대반도체 제조 생태계에서 일본 장비업체의 핵심 공급망 역할 강화 웨이퍼 제조 웨이퍼 제조 : 초고순도 실리콘 잉곳을 얇게 절단하고 표면을 연마하여 웨이퍼를 만드는 공정초크랄스키법(CZ) : 용융된 실리콘에서 단결정 씨드를 회전·인상하여 실리콘 잉곳을 성장시키는 대표적인 제조 방식플로팅 존법(FZ) : 도가니를 사용하지 않고 국부 용융으로 고순도 단결정 잉곳을 제조하는 방식잉곳 가공 : 잉곳 외경 가공 후 다이아몬드 톱을 이용한 웨이퍼 절단웨이퍼 대구경화·박막화 : 생산성 향상과 원가 절감을 위한 웨이퍼 대형화 및 두께 감소 추세표면 연마(CMP) : 연마액과 연마 장비를 이용한 거울 수준의 평탄도 및 표면 품질 확보베어 웨이퍼(Bare Wafer) : 회로 형성 전, 연마만 완료된 가공 전 웨이퍼후속 공정 진행 : 베어 웨이퍼를 기반으로 나머지 7대 반도체 공정을 통한 반도체 칩.. 어플라이드머티리얼, KLA, 램리서치 어플라이드머티리얼+ 세계 1위 반도체 장비업체+ 제품 포트폴리오 다양하지만 증착 장비가 주력 + 한국법인 강화 추세+ 2021 년 (200명 내외) 대비, 1.5배 많은 300여명 인력 2022년 채용 계획. + 국내 R&D 센터 구축계획+ 부지 선정 작업 마무리 단계* 증착: 1마이크로미터(㎛) 이하의 박막을 웨이퍼 위에 입히는 공정여러 종류의 증착중 CVD 대세. ** CVD: 가스 화학 반응으로 형성된 입자를 외부 에너지가 부여된 수증기 형태로 증착하는 방식램리서치 + 식각 장비 주력 기업+ 증착 장비 중에서는 원자층증착(ALD) 장비 주력. + 용인에 코리아테크놀로지 센터 개관+ 경기 화성 신공장을 가동+ 국내 생산법인 램리서치매뉴팩춰링코리아를 통해 현지 양산 체제 구축* 식각: 노광공정 후 .. 진공 배관의 컨덕턴스 (Conductance) 진공 배관의 컨덕턴스(Conductance)와 펌핑 성능진공 시스템에서 배관 및 구성요소에 의한 가스 흐름 저항의 발생가스 흐름 저항 증가에 따른 유효 펌핑 속도 감소유효 펌핑 속도 감소에 따른 펌프다운 시간 증가배관 저항의 역수인 컨덕턴스(Conductance)의 개념컨덕턴스의 단위 L/s(리터/초) 사용컨덕턴스의 정의 C = Q / (P₁ − P₂)처리량(Throughput)의 정의 Q = P × S유효 펌핑 속도의 계산식 Seff = (Sp × C) / (Sp + C)진공 시스템 설계 시 정격 펌핑 속도보다 유효 펌핑 속도의 중요성챔버에서의 실제 펌핑 성능 결정 요소로서 배관 컨덕턴스의 영향배관 설계 영향배관 길이 증가에 따른 컨덕턴스 감소배관 직경 감소에 따른 컨덕턴스 감소컨덕턴스 감소에 따른 챔.. Bevel(Wafer) 결함 유형 Bevel(Wafer) 결함 유형1. 박리(Delamination) / 파티클(Particle) 결함베벨부 잔류막 형성계면응력 증가 및 접착력 저하어닐링에 의한 기포(Blister) 발생박리 및 파티클 생성웨이퍼 중앙 오염 및 수율 저하3D NAND 탄소막 박리 발생2. 아크(Arc) 결함베벨 잔류막에 의한 전하 축적금속 계면 아킹 발생금속 입자 비산활성영역 단락(Short) 발생수율 저하베벨 에칭을 통한 아킹 방지탄소 하드마스크 제거 필요3. 마이크로마스킹(Micromasking) / 바늘형(Needle) 결함고종횡비 식각 공정 중 발생베벨 노출부 마이크로마스킹 형성메모리홀 및 슬릿 식각 불량습식 언더컷 결함 발생베벨 에칭을 통한 결함 완화3D NAND 스케일링에 따른 결함 증가 도쿄일렉트론(TEL)- 올해의 AI 반도체 제조 솔루션'으로 선정 1. 도쿄일렉트론(TEL) 수상- '2026 AI 브레이크스루 어워즈'에서 '올해의 AI 반도체 제조 솔루션'으로 선정.- 3D 집적(3DI) 기술과 AI 기반 공정 제어 능력을 인정받은 결과.2. 핵심 인정 기술 (3DI): 로직과 메모리를 수직으로 쌓아 하나로 연결하는 기술.- 반도체 대역폭 향상, 지연 시간 및 전력 소비 감소 효과.- 고성능·저전력 반도체 구현을 위한 핵심 기술.3. 반도체 시장의 과제와 대응- 평면 구조의 한계로 인해 고대역폭메모리(HBM) 및 첨단 패키징의 중요성이 커짐.- 도쿄일렉트론은 전공정과 후공정 장비 기술을 결합해 이에 대응 중.4. 제조 공정 내 AI 적용- 디지털 전환 솔루션 '엡시라(Epsira)'를 통해 장비와 생산 현장을 데이터로 연결- .. 서플러스글로벌 특허 1. 특허 등록 성과- 반도체 제조 공정의 핵심인 ALD(원자층 증착) 기술 및 웨이퍼 이송·로딩 관련 국내 특허 3건 등록 완료- 중고 반도체 장비 거래를 넘어 장비의 성능을 높이는 '장비 업사이클링' 기술 역량 강화2. 등록 특허별 주요 내용 및 효과2.1. ALD 반응기용 실링시스템 및 실링 해제 방법- 반응기 내부 압력을 정밀하게 관리하여 공정 신뢰성 향상- 장비 유지보수 및 재가동 시 발생할 수 있는 위험을 줄여 기존 장비의 재사용성 유도2.2. ALD 밸브 모니터링 방법 및 시스템- AI(인공지능) 기반으로 핵심 부품인 밸브 상태를 실시간 분석- 이상 징후를 조기에 감지하고 미래 상태를 예측하여 장비 수명 연장 및 예방정비 지원2.3. 웨이퍼 이송기 감지장치 및 웨이퍼 로딩.. 티씨케이 1. 주요 사업 영역반도체 식각 공정용 고순도 솔리드 실리콘 카바이드(SiC) 부품 전문 기업2. 매출 비중: 반도체 Solid SiC(89.6%), 고순도 흑연제품(7.5%), 기타(2.8%)3. 주력 제품 및 역할:'SiC 포커스링'(소모성 링 부품)이 핵심 제품플라즈마 식각 공정 중 웨이퍼 주변부를 감싸 보호플라즈마 분포를 균일하게 유지하여 식각 품질을 결정4. 시장 경쟁력 및 장점- 장비 제조사에 직접 납품하는 비포마켓에서 높은 점유율 확보- 글로벌 식각 장비 기업인 '램리서치'를 주요 고객사로 보유- 양산 전 장비 테스트 및 세팅 단계부터 부품 수요가 바로 발생하여 실적 반영이 빠름5. 향후 성장 동력 (투자 포인트)- 삼성전자, SK하이닉스의 9세대 낸드 양산 및 공정 .. 이전 1 2 3 4 ··· 67 다음