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* 후면전력공급(BSPDN)
: 반도체 구동 전력을 웨이퍼 뒷면에서 공급
: 2023년 적용 사례 없음
: 웨이퍼 뒷면에 전력선 배치 > 회로와 전력 공급 공간 분리 > 전력 효율 개선 및 반도체 성능 강화
* 칩메이커 적용 기업
>삼성전자
>> 2027년 1.4나노(㎚) 공정에 BSPDN 적용 계획
>> 후면전력공급 적용 구체적인 계획 수립
> 인텔
>> 2024년 BSPDN 적용 반도체 양산 계획
>> 인텔 20A 공정 (2나노급)
>> 관련 브랜드 (파워비아) 런칭
> TSMC
>> 2나노 이하 공정 BSPDN 적용 계획
>> 2026년 개발 완료 계획
* 후면전력공급(BSPDN) 관련 공급 장비 기업
> 일본 도쿄일렉트론(TEL)
> 오스트리아 이브이그룹(EVG)
* 기존 방식
: 회로가 그려진 웨이퍼 상단에 전력 공급선 배치
* 기존 방식 단점
- 회로 미세화로 인해서, 회로와 전력선을 한면에 새기기 어려워짐.
- 회로 간격이 좁아지면서 간섭 발생. >> 반도체 성능에 악영향
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