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트렌치 공법
[Trench method]
반도체 칩 평면을 아래로 파내서 만든 공간에 셀을 배치해 집적도를 높이는 기술.
반도체의 용량이 커지면서 반도체 칩 평면에만 셀을 집적시키는 방식이 물리적 한계에 부딪히며 나온 방식이다.
셀을 위로 쌓아 올려 집적도를 높이는 ‘스택(stack) 공법‘과 셀을 아래로 파고 내려가면서 집적도를 높이는 ‘트렌치(trench) 공법’이 있다.
웨이퍼 표면을 아래로 파내서 지하층을 만들어 셀을 더 많이 집적시키는 트렌치 공법은 다소 안전하고 칩을 작게 만들 수 있다.
하지만 스택 공법에 비해 공정이 까다롭고 경제성이 떨어지며, 제품 불량이 발생했을 때 내부 회로를 확인하기 어려워 문제 해결이 어렵다.
트렌치(Trench) 공법 | Samsung Semiconductor KR
삼성반도체 공식 웹사이트 기술 블로그에서 트렌치 공법 [Trench method]에 대해 알아보세요.
semiconductor.samsung.com
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