반도체 Clean room - 설계 조건 및 등급

 

반도체 Clean room 환경 설계조건

항 목	기 본 성 능 조 건
청정도	Process Area: Class 1 (0.05μm) Service Area: Class100(0.1μm)
미량가스성분	Nox,Sox,HC등의 제어
알카리 금속 중금속	알카리 금속 이온(Na,K)의 제어 중금속 이 (Fe,Ni,Cu) 의 제어
온도,습도	신내환경	23±0.5℃(평면분포) 23±0.2℃(시간분포) 습도:45±3%(시간분포)
	챔버	설정치±0.02℃(평면분포) 설정치±0.01℃(시간분포) 습도:변동폭±1%(시간분포)
압력	클린룸과 일반실과의 차압: ±1.5∼3.0mmAq 절대압력: 대기압 번동 보정

 

 

 

입자농도에 따른 공기 청정도 등급

Class	입 자 농 도
	축 정 입 경
	0.1	0.2	0.3	0.5	5.0
1	35	7.5	3	1	NA
10	350	75	30	10	NA
100	NA	750	300	100	NA
1,000	NA	NA	NA	1,000	7
10,000	NA	NA	NA	10,000	70
100,000	NA	NA	NA	100,000	700

공기 청정도 기준은 일반적으로 미국 연방규격,US Federal Standard 209b,209d를 따름.

청정도의 class의 호칭은 0.5㎛ 이상의 입자의 1ft3 당의 수치로 표현. 즉 class100은 100개/ ft3를 의미.

 

 

 

공기 청정도 기준( US Federal Standard 209b)

Class	입자(개/l)		압력	온도			습도			기류	조도
	직경(㎛)		mmAq	범위 ℃	추장 ℃	제어 범위	최고 %RH	최저 %RH	제어 범위	환기 횟수	Lux
	≥0.5	≥5
100	≥3.5	≥0.35	1.3 이하	19.4 ~ 25	22.2	±2.8 특수 환경 ±0.25	45	30	±10 특수 환경 ±5	층류방식 0.45m/s ±0.1m/s ≥20회/h	1080 ~ 1620
1,000	≥35	≥0.35
10,000	≥350	≥2.3
100,000	≥3500	≥25

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