0. 배경
0.1. 신기술 통해 하이 NA EUV 등 초미세 기술 구현
0.2. 반도체 제조사 2나노미터(nm) 이하 노드 공정으로 전환
0.3. 반도체 업계는 반도체 소자를 옹스트롬 (Angstrom, 1A=0.1nm) 급으로 구분하기 시작
0.4. EUV 및 하이 NA EUV 도입으로 2nm이하 노드 공정 전환 시 문제점: 에지 러프니스 (Edge roughness), 팁간격 (tip-to-tip spacing) 제한, 브릿지 결함, 에지 배치 오류 등
어플라이드 머티어리얼즈 신규 패터닝 제품
1. 패터닝 시스템: 센튜라 스컬프타(Centura Sculpta)
1.1. 반도체 제조사의 패턴 형태를 늘려 EUV 더블 패터닝 단계를 줄임으로 싱글 EUV 또는 하이 NA EUV 노광에 비해 팁 간격을 더 좁힐수 있게 만듬
1.2. 동시에 브릿지 결함을 제거, 패터닝 비용 절감 및 칩 수율 개선
2. 식각 시스템 'Sym3 Y 매그넘(Magnum)'
2.1. 물질을 증착해 EUV 라인 패턴을 웨이퍼 식각 전 더 매끄럽게 만들어 수율을 높이고 라인 저항을 감소시켜 칩 성능 및 전력 소비 개선
2.2. 파운드리 로직에서 주요 반도체 제조사의 중요한 식각 분야에 채택
2.3. 옹스트롬급 노드의 EUV 패터닝에 사용
2.4. 메모리 분야에서 Sym3 Y 매그넘은 D램 EUV 패터닝에 가장 널리 채택
3. 패터닝 필름 '프로듀서 XP 파이오니어 CVD (Producer XP Pioneer CVD)'
3.1. 포토레지스트패턴 공정 전 웨이퍼에 증착, 웨이퍼에 원하는 패턴을 형성하기 위해 설계.
3.2. 첨단 공정 노드에 사용되는 식각 화학 물질에 대한 탄성력이 높은 고유의 고밀도 탄소 화학식을 기반으로 해 측벽 패턴 형태 균일도가 뛰어난 더욱 얇은 필름 스택 구현
3.3. 현재 주요 메모리 칩메이커들은 D램 패터닝에 이용
3.4. 패턴을 최대로 늘리면서 기존 EUV 패턴을 엄격히 제어할 수 있다는 장점
3.5. Sym3 Y 매그넘 식각 시스템과 함께 최적화돼 로직 및 메모리 공정에 중요한 식각 분야에서 기존 탄소 필름보다 더 높은 선택비와 향상된 제어력을 제공