삼성전자- 차세대 D램 금속산화물레지스트(MOR) 적용

삼성전자- 차세대 D램 금속산화물레지스트(MOR) 적용 검토


삼성전자

1. 2024-4월

2. 10nm 6세대(1c) D램 양산에 인프리아 MOR 적용 검토 중. 1c D램 레이어 중 가장 미세한 선폭공정에 적용 예상

2.1. 삼성전자 1c D램: EUV PR 6~ 7개 레이어 필요.

2.2. 10c D램 EUV PR 공급 평가업체: 인프리아, JSR, 듀폰, 동진쎄미켐, 삼성SDI 등

2.3. 인프리아: 일본 소재 기업 JSR의 자회사

2.3.1. 유기물 PR이 아닌, 주석(Sn) 기반 무기물 PR 생산 중.


2.4. 램리서치 드라이 레지스트
2.4.1. 10nm 7세대(1d) D램부터 적용예상.
2.4.2. 드라이 레지스트는 기존 PR과 다르게 증착하는 형태로 패턴 구현
2.4.3. TSMC 등 기업은 파운드리 선단 공정에서 드라이 레지스트 이미 적용 중

2.5. 동진쎄미켐
2.5.1. 램리서치 드라이 레지스트와 유사한 무기물 PR 개발 중


* PR
*.1.  반도체 노광 공정에 사용되는 핵심 소재
*.2. 빛에 반응해 화학적 변화를 일으키는 감광액의 일종
*.3. 반도체 공정에서는 회로 패턴을 새기는 데 사용
*.4. 현재 대부분 노광 공정에는 CAR 타입 PR 사용중.


* MOR
*.1. 차세대 포토레지스트(PR) 중 하나. 기존 화학증폭형레지스트(CAR) 대비 높은 해상력, 식각 저항 우수

*.2. 기존 CAR 기반 PR의 해상력, 식각 저항, 패턴 거칠기(LER) 한계 존재. 향후 미세 공정에서 무기물 PR을 사용할 수밖에 없는 시점이 올 것으로 전망