반응형
일본 도쿄일렉트론(TEL)의 극저온(Cryo) 식각 장비
1. 2023년 공개한 차세대 식각 장비
2. 극저온(칠러 온도 기준 영하 70℃) 에서 식각 공정 진행
2.1. 기존 식각 장비 공정 온도: 0℃에서 30℃ 수준
3. 기존 장비 대비 채널홀 식각 속도 3배 이상 개선
3.1. 10마이크로미터(㎛) 식각 / 33분
4. 10세대 낸드 이후, 극저온 식각 장비 본격 사용 전망.
5. 탄소 배출량 대폭 절감 예상.
5.1. 불화수소 가스 사용을 통해 기존 식각 공정 대비 탄소 배출 최대 84% 절감 전망.
6. 식각 가스로 불화수소(HF) 활용
6.1. 극저온 식각 공정 진행 시 패시베이션(Passivation) 레이어가 탄소(C) 없이 생성 가능.
6.2. 패시베이션 레이어: 채널홀 측면의 화학 반응 억제, 균일한 식각 공정 유도
6.3. 기존 낸드 채널홀 식각: 패시베이션 레이어 형성을 위해 불화탄소(CF) 계열 가스 사용
7. 모멘텀 가스: 제논(Xe)과 크립톤(Kr)이 아닌 아르곤(Ar) 사용 예상.
8. 삼성전자
8.1. 2023년 반도체 연구소: TEL 극저온 식각 장비 평가 진행 중
반응형
