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1. SK하이닉스
1.1. 차세대 D램 양산에 극자외선(EUV)용 MOR을 채택
1.2. 10nm 6세대(1c) D램 양산에 인프리아 MOR 사용
1.3. 인프리아 MOR은 1c D램 노광 공정 중 가장 미세한 선폭 공정에 적용 예상
1.4. 1c D램 양산의 EUV 레이어는 5개, 이 중 1개 레이어에 인프리아 MOR 사용 예상
2. 삼성전자
2.1. EUV용 MOR 적용 검토 중
3. 인프리아
3.1. 일본 소재 기업 JSR의 자회사
3.2. 무기물 기반 PR의 선두 기업
3.3. SK하이닉스와 MOR 관련 공동 연구 2022년 시작
3.4. 주석(Sn) (기반) 산화물 레지스트는 차세대 D램 생산관련 성능 개선 및 비용 절감에 기여 기대
4. 램리서치
4.1. 무기물 기반 PR 드라이 레지스트 개발, TSMC에 공급 중
5. 삼성SDI, 동진쎄미켐 등
5.1. 무기물 기반 PR을 개발중
6. 금속산화물레지스트(MOR)
6.1. 차세대 포토레지스트(PR) 중 하나
6.2. 화학증폭형레지스트(CAR)
6.2.1. 현재 대부분의 노광 공정에서 사용중
6.3. 무기물 기반 PR
6.3.1. CAR의 식각 저항, 해상력, 패턴 거칠기(LER) 등 한계 극복을 위해 개발시작
6.3.2. 현재 EUV 공정용 EUV PR의 식각 저항 1대 3,
식각 저항이 1대 10 수준인 인프리아 EUV용 MOR, CAR 대비 3배 이상 높은 수치
* PR
: 반도체 노광 공정 핵심 소재
: 빛에 반응해 화학적 변화 발생, 반도체 회로 패턴 제조에 활용
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