- Bake
Wafer를 열을 이용하여 굽는 것으로 Pre-Bake, Hard-Bake, Soft-Bake가 있음.
1) Pre-Bake : Wafer에 Resist를 도포하기 전에 Wafer 표면의 습기를 제거하여 150±10의 Oven에서 Wafer를 굽는 것.
2) Hard-Bake : Etch전 Wafer 표면의 Resist를 굽는 것.
3) Soft-Bake : 적외선을 이용하여 Photo-Resist를 굳혀 주는 것.
- B/B Ratio(Book to Bill Ratio)
수주 대 출하 비율. 최근 3개월 평균 수주액을 3개월 평균 출하액으로 나눈 값. 일반적으로 WSTS(세계반도체 무역통계)의 통계 Data를 기본으로 한 반도체 수급상황을 나타내는 지표를 가리킴. 특히 미국시장 B/B Ratio 속보치는 반도체 시장동향의 선행지표로써 사용되고 있음.
- BGA(Ball Grid Array)
외부단자가 전부 Ball로 형성되어 있으며, 2차원적으로 배치된 표면실장형 P.K.G 총칭.
(a family of packages for surface mounting)
- Bipolar
전자(Electron)와 정공(Hole) 두 종류의 전기매개체가 동원되어 동작되는 형태(또는 이것에 의해 동작되는 Transistor를 말함).
- Bi-MOS
바이폴라와 MOS를 조합하여 하나의 Chip위에 만든 회로.
- BiCMOS(Bipolar-CMOS)
Bipolar Transistor와 CMOS Transistor를 조합시켜 동일 chip상에 동작시킨 IC. Bipolar Transistor의 고속성, 고 전류 구동능력과 CMOS의 저소비전력 우수성을 동시에 만족시키는 것이가능함.
- Binary Number System
2진법. 한자리를 0과 1의 두 수만으로 나타내는 수의 표시방법.
- Binary
우리가 흔히 사용하는 10을 기준으로 한 10진법과 달리 2를 기준으로 한 2진법 숫자로 “1”과 “0”으로 숫자나 문자를 나타내는 것.
- Bit
정보량의 단위. 2진수인 “1” 또는 “0”의 하나를 1 bit라 함. 또한 byte라는 단위도 많이 사용되는데 보통 1byte=8bit임. 4bit 1chip micro computer의 예를 보면 micro computer에 부여되는 bit수는 병렬처리 할 수 있는 bit수를 나타냄. 4bit micron에서 처리할 수 있는 data 종류는 24=65,536이 되어 약 4,100배로 증대됨.2진수의 자리수의 단위로서, 즉 2진법의 1011은 4자리 4Bit임.
- Bonding
주로 wire bonding이라고 일컬어지며 반도체 제품의 조립시 chip의 PAD와 외부단자를 도선으로 연결하는 작업임.
- Bubbler
순수한 물(DI Water)이 흘러나와 넘치면서 질소가 바닥으로부터 분출되어 Wafer 표면을 헹구어 주는 장치.
- Bubble Memory
합금, 석류석 등에 자계를 걸어 주어 여러 개의 거품 같은 모양을 만들어 놓은 기억소자.
- Buffer Memory
2개의 장치사이에서 동작속도가 다를 때 그 중간에 마련하여 양자의 속도, 시간의 조정 등을 하는 메모리를 말함.
- Bum in
제품의 잠재적인 불량을 초기에 발견하기 위하여 제품에 고온(85 ∼125 )으로 Device에 열적 Stress를 가하여 Test하는 것이며, IC가 실제 사용할 때 사용가능 하도록 신뢰성(Reliability)을 높여주기 위해 실제 사용상태보다 높은 전압, 전류 등의 Parameter를 가하여 장시간 Over Stress를 행하는 Test.
- Byte
보통 8개의 Bit를 1Byte라 하며 Computer에서 한 개의 숫자나 문자 또는 부호를 나타내는데 쓰이며 Word의 한 단위로 사용됨. (1Byte : 8Bit)
- Cache DRAM
Cache(은밀한 장소의 의미로써 긴밀하게 이용하는 data를 일시적으로 대피시키는 buffer의 역할)로 사용되는 SRAM과 Register를 내장한 DRAM을 말하며, DRAM의 대용량과 SRAM의 고속성을 겸비하고 있음. Main Memory와 CPU 사이에 마련된 고속의 기억장치
- Cache Memory
중앙처리장치의 빠른 처리속도와 주기억장치의 느린 응답속도 사이의 효율적인 동작을 위해서 두 장치 사이에 설치되는 처리속도가 빠른 메모리 반도체
- CAD(Computer Aided Design)
컴퓨터에 기억되어 있는 설계 정보를 그래픽 디스플레이 장치로 출력하여 화면을 보면서 설계하는 것(컴퓨터를 이용하여 설계를 하고 도면을 그려내는 것). IC, 특히 LSI나 초 LSI의 최적설비를 Computer지원에 의해 효율을 보다 향상시킨 기술을 말하며, 논리 Simulation, 회로해석, Device 해석, 배치·배선설계, Mask pattern 작성, Test pattern 작성 등의 각 Step에서 CAD를 사용함. 설계전자동화의 방향으로 기술개발이 발전하고 있음.
- CAGR(Compound Annual Growth Rate)
연평균성장률
- Capacitance
전하를 축적할 수 있는 용량.
- Capacitor
전하를 저장할 수 있는 제품(콘덴서).
- Captive Producer
전적으로 자사의 소비용도로 생산하는 반도체 생산업체. Merchant Producer와 반대되는 말
- Carrier
Wafer를 담는 용기로 1, 5, 20∼25장 등을 담을 수 있는 홈이 있음. 종류로는 청색 캐리어(Blue Carrier), 흑색 캐리어(Black Carrier), 백색 캐리어(White Carrier), 금속 캐리어(Metal Carrier)가 있음.
1) Blue Carrier : Poly Propylene 재질로 되어 있으며, 색은 청색임. 화공약품에는 강하나 열에 약함.
2) White Carrier : Teflon 재질로 되어 있으며, 색은 백색임. 화공약품과 열에 모두 강하며 가격이 비싸고 무거움.
- Carrier Handler
Carrier를 취급하는 도구.
- CAPA
Capacity의 약자로 한 장비 또는 설비가 일정기간 동안 생산해 낼 수 있는 능력
- Capability
공정이 충분히 표준화되고 이상원인이 제거되어 공정이 안정 상태로 유지되었을 때에 어느 정도의 품질이 실현되는가를 표시하는 것.
- CCD(Charge Coupled Device)
전하결합소자(電荷結合素子). 미국 벨연구소가 개발한 새로운 반도체 소자임. 종래의 트랜지스터 소자와 달리 신호를 축적(기억)하고 전송하는 2가지 기능을 동시에 갖추고 있음. 사람의 눈(目) 역할을 하는 전자 눈으로도 각광을 받고 있음. (에너지를 전환하여 저장하는 반도체소자)
- Cell
RAM이나 ROM 등 IC의 가장 작은 기억소자를 말하며 보통 Transistor, Capacitor, Resistor 등으로 구성되어 있고 1Bit의 정보를 저장할 수 있음.
- Cell Library
고유의 function을 갖는 primitive cell인 NAND, NOR, XOR 등을 지칭하는 것으로서 각각의 Cell에는 Logic Symbol, Electrical data와 Layout이 한 조로 구성되어 있음.
- Charge
전하
- Chemical
1) Wafer 표면에 부착된 유기물이나 무기물 등의 particle을 제거하거나 ETCH시 사용되는 H2SO4(황산), HF(불산), NH4OH(암모니아) 등의 부식성이 강한 화공약품들을 통틀어 Chemical이라고 함.
2) Line에서 사용되는 화공약품의 총칭.
- Chemical Analyzer
Chemical 농도를 monitoring 하는 장치로 wet sink에 장착되어 있음.
- Chemical Filter
Filter의 공기 청정기 원리는 chemical filter 내부에 존재하는 KMnO4, H3PO4 등의 화학 물질에 의해 흡착된 기체 분자를 산화, 중화반응 시켜 NOX, SOX, NH4, H2, S, 아세트알데히드 등의 악취 및 유해물질을 제거하는 filter, chemical 원액에 포함된 particle 및 불순물을 걸러주는 장치로 filter membrane의 poresize는 0.1㎛을 많이 사용함.
- Chiller
냉동기. 반응실의 온도를 일정하게 유지, 제어시키는 장치
- Chip
전기로 속에서 가공된 전자회로가 들어있는 작은(한변길이 0.5∼10mm정도) 포장되기 직전의 얇고 네모난 반도체 조각(Die와 같다). 수동소자, 능동소자, 또는 집적회로가 만들어진 반도체.
- Chip Select
많은 LSI 칩중에서 특정의 칩하나를 선택하는데 사용되는 LSI의 입력단자나 신호.
- Chip-Set
System을 구성하는 다수의 component(TTL, Controller, PLL 등)를 여러 개 혹은 하나의 chip으로 구현한 것. 따라서 chipset은 그에 맞는 다수의 system solution 및 software와 함께 제공되어짐.
- Chrome Mask
Mask의 한 종류로 유리 원판 위에 chrome(금속) 박막으로 회로가 인쇄된 Mask.
- CIM(Computer Integrated Manufacturing)
제조업체 있어서 기술, 생산, 판매의 제기능을 경영 전략 하에서 통합하는 정보 시스템임. 다품종 소량생산에도 대응할 수 있는 전자동 기술. 정보처리계, 제어계, 반송계 등을 포함한 Computer지원에 의한 종합적 자동화 기술
- Class
1Ft3에 존재하는 Particle의 수.
- Class(Number)
1입방피트(Ft3)당 그 size가 0.5㎛2 이상인 particle 개수.
- Class 10
1입방피트(Ft3)당 size가 0.5㎛2 이상인 particle의 개수가 10개 이하인 청정도 level.
- Class 100
1입방피트(Ft3)당 size가 0.5㎛2 이상인 particle의 개수가 100개 이하인 청정도 level.
- Clean Class
청정도. 청정실내에 공급되는 공기중의 Particle 관리정도에 따라 등급을 정한 것. 1M DRAM의 청정실은 0.1㎛의 Particle을 기준으로 결정. 통상 0.5㎛ 이상의 공중입자가 1Ft3 체적 내에 있는 Particle의 수를 말함.
- Cleanness
청정도. 먼지나 오염물질의 오염정도를 표시하는 기준.
- Cleaning
Wafer나 Carrier 등을 화공약품 및 순수한 물(D.I Water)을 이용하여 깨끗하게 하는 것을 말함.
- Clean Room
청정실. 공기의 온도, 습도 및 Particle이 작업공정에 적합하게 인위적으로 조절 관리되는 실내공간.
-CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)
N Channel, P Channel의 두 MOS Transistor가 합해서 기능을 발하는 복합체로서 낮은 전력소모와 높은 Noise Margin 기타 신뢰성에 잇점이 있음.
- CMOS 표준 Logic
TTL과 동일하게 품종이 풍부하여 넓게 사용되고 있는 CMOS Logic IC의 Family 범용 Family에는 NAND나 NOR의 Gate, Flip-Flop 등의 품종이 있으며, 최근에는 Bipolar고속 Logic IC에 필적하는 고속 CMOS 표준 Logic이 상품화 되고 있음.
- CMP(Chemical Mechanical Polish/Planarization)
1) Slurry 화합물을 사용하여 wafer를 기판으로 사용하기 전에 그 표면을 미세하게 polish(연마) 하는 것.
2) Slurry 화합물을 사용하여 device layer를 평탄화하거나 단차를 줄이는 것.
- Coating
감광막, 절연막 또는 금속막을 Wafer 표면에 균일하게 증착하는(바르는) 과정.
- Complementary Circuit
상보형 회로. 바이폴라 또는 유니폴라로서 극성이 반대인 TR을 접속하여 하나의 기능을 갖게 하는 회로를 말함.
- Compound Semiconductor
화합물 반도체. 주기율 표상의 Ⅲ-Ⅴ족 원소들의 화합물을 이용한 반도체제품. 대표적으로 갈륨비소(GaAs)반도체가 있음. 실리콘반도체와는 달리 빛을 내고 동작속도가 매우 빠르기 때문에 전광판이나 전자제품의 전원램프에 사용되는 발광소자와 정보전달속도가 매우빠른 고속소자로 사용되고 있음.
- Component
개개의 부품을 뜻함. 혹은 함께 결합되어지면 일정한 기능을 수행할 수 있는 부품들의 조화된 상태를 말함.
(예, TR, diode, capacitor)
- Compound Device
하나의 케이스 속에 2개 이상의 회로소자를 포함하는 것을 복합 부품이라고 함.
- Contaminant
Wafer 표면에 육안으로 보이는 광범위한 이물질의 종류이며, 대부분의 경우 무수질소 gas의 분사나 세제에 의한 세척 또는 화학작용으로 제거가 가능함. Mark, dirt, particulate, solvent residue, wax residue, smudge, spot, stain 등이 있음.
- Contamination
1) Air Born Particle 및 이물질(MCOIL, Chemical류)에 의해 Wafer가 오염된 상태. 반도체공정중 원하지 않는 물질로 오염된 것.
2) Reticle Defect의 한 형태로 Chemical Stain, Wafer Spot 등으로 오염된 상태.
- Conventional Memory
DOS에 의해 인식되고 관리될 수 있는 Memory 영역을 말하며640KB로 제한되며 Base Memory라고도 함. 그 이상의 영역은 Expanded Memory와 Extended Memory를 동시에 사용할 수 있음.
- COO(Cost of Ownership)
반도체공장에 있어서 단위제조 Cost를 나타내는 지표. (COO=CEO+CYL)
- Core
Embedded IC에서 Micro-operation과 ALU 등의 CPU기능을 하는 핵심 Block을 주변회로(Peripherals)에 대응하여 Core라 함.
- CPU(Central Processing Unit)
Computer의 일부분으로서 명령을 수행하기 위한 지시나 제어, 연산기능을 갖고 있는 부분으로 인간의 두뇌에 해당하는 부분.
- CPU Core
LSI설계에 사용되는 Microprocessor나 microcontroller 회로. Standard cell과 SOG형 Gate Array library로써 등록시키고, User는 필요로 하는 System을 용이하게 ASIC Micon으로 1 chip화시키는 것이 가능함.
- Custom IC
고객(Custom IC)의 주문에 의한 사양으로 작성되는 IC.
- CV(Cleaning Vacuum)
청소용 진공으로서 라인내 청소시 사용됨.
- CVD(Chemical Vapor Deposition)
APCVD 상압증착, LPCVD 저압증착방식 등으로 분자 기체를 반응시켜 Wafer 표면 위에 Poly나 Nitride, PSG, BPSG, LTO 등의 막질을 형성시키는 공정. Silicon wafer 등의 반도체 기판 상에 박막형성 공정으로 기체를 열분해하여 화학반응을 일으키게 하여 depositing하는 방법.
- Cycle Time
주기적으로 일어나는 연속동작의 최소시간 간격을 말한다.