- QFP(Quad Flat Package)
반도체 완제품의 한 형태로 외부단자 즉, Lead가 package 4면에 1.0mm∼0.4mm의 간격으로 배열되어 갈매기 날개형태로 구부린 모양을 갖는 표면 실장형 반도체 제품.
- RAM(Random Access Memory)
원하는 정보를 꺼내어 쓸 수 있는 반도체 기억장치로 Computer의 기본 기억장치이며 명령에 의해 정보를 꺼내어 쓰거나 넣을 수 있음. 정기적으로 Refresh동작이 필요한 DRAM과 전원을 끊어도 기억정보가 유지되는 SRAM 등이 있음.
- Rambus DRAM
Rambus사에서 제작한 고속 DRAM. Data전송주파수를 500㎒정도의 초고속으로 실현시켜 Data bus폭의 증대를 억제시켰음. 연속된 Data를 일괄처리 할 수 있으며, 통상의 CPU에서는 관련 ASIC을 매개로하여 동작됨.
- Rectifier
주로 Diode와 같은 반도체 소자를 이용하여 교류를 직류로 바꾸는 전기적 장치.
- Refresh
DRAM에서 MOS FET의 게이트 용량에 축적된 전하에 의해서 WRITE-IN된 기억을 유지하는데 이 전하는 수 밀리초내에 방전하여 없어지므로 항상 기억을 재생하여야 하며 이 재생하는 것을 Refresh라 함.
- Reliability
반도체 제조를 위한 어떤 장치가 얼마만큼 고장 없이 주어진 기능을 수행할 수 있는가를 또는 제품이 나타내는 것.
- Resin
수지. Weak cation tower, mixed bed polisher 장치 안에 수지가 들어 있어 물 속의 ion을 제거해 주는 역할을 함. 물 속에 녹아 있는 ion들의 극성을 이용하여 제거하는 수지로서 양이온, 음이온, 수지가 있으며 일정시간 경과 후 ion 교환이 이루어지면 Chemical로 재생하여 사용.
- Repair 장비
Laser repair program을 이용하여 Repair data에 따라 Redundancy circuit의 fuse를 절단하는 장비임.
- Resistor Reticle
가장 기본이 되는 모판 Mask로서, 보통 실제 반도체 Chip의 10배 크기인 기본 Mask로 Master Mask를 제작하는데 사용.
- Reticle
Mask와 동일한 의미로 쓰임. (Stepper에 사용되는 mask) wafer에 반도체 회로설계 pattern을 정착(가공)시키기 위해 사용되는 노광용 원판(유리판)으로 한 장의 wafer에 여러 번 나누어 노광함.
- RF(Radio Frequency)
고주파를 말하며, 건식 식각 공정에서 반응 Gas를 활성화시키는데 이 고주파 전압을 사용하며, 고주파를 발생하는 장치를 RF Generator라고 함.
- ROM(Read Only Memory)
반도체 기억장치의 일종으로, 정보를 한 번 저장하면 바꿀 수 없고 항상 꺼내어 쓸 수만 있는 기억장치. 읽기 전용 非휘발성 메모리로써 전원을 끊어도 기억된 정보가 소멸되지 않음. microprogram, 문자 pattern, 정수 등의 내용이 변화하지 않는 정보를 기억하는데 사용되며, user가 정보를 자유로이 기재할 수 있는 Programmable ROM(PROM)과 제조공정에서 기재내용이 고정되는 Mask ROM으로 대별됨.
- Run
Wafer를 Process하기 위하여 일련의 묶음(보통 25장)을 1 Lot로 구성하여 제조공정에 투입되어 마칠 때까지 여러 공정을 차례로 마치, 물이 흘러가듯이 흐른다는 의미에서 쓰여지는 말.
- Screening
1) DEBUG, BURN-IN.
2) 불량품이 들어있는 Lot에서 불량품을 걸러 내는 각종 방법을 총칭함.
- Scribe
반도체 Wafer에서 Chip을 떼어낼 때 금을 그어서 작은 조각들을 잘라내는 방법을 말함.
- Scribe Line
Die Sawing을 할 때 주변의 소자에 영향을 주지 않고 나눌 수 있게 적당한 폭의 공간이 필요한데 이를 지칭하는 말로 이곳에 반도체 공정을 적절히 진행하기 위한 각종의 고려가 되어 있음.
- Scribing
왕복 절단이라고도 하며, Wafer 절단방식의 하나로 양방향으로 절단하는 방식
(왼쪽에서 오른쪽으로, 오른쪽에서 왼쪽으로 절단).
- Scrubber
Wafer 위의 이물질이나 거친 면을 깨끗이 하거나 고르게 하여 주는 장비(고압의 D·I Water 또는 DI Water+Brush를 사용함)
- SDRAM(Synchronous DRAM)
고속의 System Clock과 동기하여 Data를 입/출력할 수 있도록 10ns내외에 Access Time을 실현한 고속의 DRAM임.
- Self Refresh
DRAM의 refresh 방법중의 하나로 다른 refresh mode는 DRAM 외부의 회로에 동작되어지나, self refresh는 DRAM 내부의 refresh timer에 의해 정해진 시간 내에 자동적으로 refresh가 이루어지는 형태임.
- Self-Alignment
MOD 구조의 Gate용 AL은 Melting Point가 낮으므로 AL DEP. 후에 높은 온도의 Thermal Cycle은 어려움. 그러므로 AL DEP전 Source 및 Drain의 Drive-In이 완결되어야 함. S/D의 Drive-In 후의 Gate Define은 Alignment Tolerance 등을 고려할 때 Overlap Region이 넓을 수 밖에 없으므로 S/D의 Parasitic Overlap Capacitance 및 Minimum Size에 악영향을 미칠 수 밖에 없음.
Polysilicon의 경우에는 Melting Point가 Si Substrate의 온도와 비슷하여 S/D Formation前에 Deposition이 가능하고 S/D Formation 및 Drive-In은 Gate를 Define한 후 Implantation에 의해 이루어지므로 Perfect한 Align이 가능함. 이러한 Self-Alignment 방법은 제작 공정을 단순화시키고 Packing Density를 늘려주며, Source/Drain간의 Parasitic Capacitance를 감소시킬 수 있는 장점을 가지고 있기도 함.
- Semi Custom IC
Maker에 의해 표준화되고 준비되어 있는 cell 혹은 mask를 user가 선택하여 희망하는 IC/LSI로 제작된 IC. 설계시간 단축을 위해서 이미 설계된 Cell Library를 사용함.
- Semiconductor
반도체는 도체(전기가 금속과 같이 잘 통하는 물질)와 부도체(전기가 통하지 않는 물질)의 중간물질을 말함.
- Shrink
설계된 Chip을 공정조건에 따라 일정비율로 축소시키는 작업.
- Silicon
원소기호 4가인 비철 금속으로서 반도체 재료로 제일 많이 사용되는 물질.
- Silicon Gate
Gate에 금속 대신 다결정규소 피막을 사용한 것이며, 고속 및 고밀도 집적회로를 제조하기 위한 MOS 기법으로 이용됨.
- Si Gate MOS
MOS FET의 Gate전극으로 금속 대신에 다결정(Poly) Silicon을 이용한 MOS Device. Al금속 Gate의 MOS에 비해서 Gate 전극을 기준으로 한 자기정합법으로 제조할 수 있기 때문에 전극의 무게가 작고 문턱전압도 낮아 MOS Device의 주류도 되고 있음.
- Silicon Nitride
반도체 표면의 보호막 또는 Fab 공정중 산화, 이온주입 Mask로 사용되는 Si3N4로 구성된 막.
- SIMM(Single In line Memory Module)
Edge connector 방식에 사용.
- Slice
Wafer와 같은 말. 반도체 재료인 Silicon을 얇고 둥글게 자른 판으로 그 위에 집적회로를 가공하기 위한 것.
- Slicer
파형을 정형하는 회로 중에서 진폭측상의 일정한 Level보다 위를 잘라내는 회로를 클리퍼, 아래로 잘라내는 회로를 Limitter라고 하는데 두 Level 사이의 좁은 부분만을 잘라내는 조작을 Slicer라 함.
- Sludge
수중의 고형물이 액체에서 분리되어 침전한 응집물질.
- Small Signal TR
저전압의 전기신호를 다루는데 사용되는 Transistor
- Smart Power IC
부하를 구동하기 위한 고전력 트랜지스터와 부하구동을 정밀하게 제어할 수 있는 Control 회로 및 보호회로가 동일 칩으로 구현된 IC를 말함.
- SMT(Surface Mount Technology)
표면실장기술이라 부르며, 전자기기의 소형·경량·박형화에 대응하며 package의 lead를 기판에 삽입하는데 면실장으로 할 수 있도록 한 부품을 면실장부품(SMD : Surface Mount Device)라 부름.
- SO(Small Outline)
I.C의 원가절감을 위한 새로운 제품으로서 그 크기를 기존 제품보다 훨씬 축소시킨 제품.
- SOI(Silicon on Insulator)
사파이어 표면에 실리콘 단결정을 기상성장시킨 SOS(Silicon on Sapphire)가 최초의 시도로써 SOI의 대표적인 예임. Silicon산화막 등의 절연막 위에 User광선이나 전자선을 응용하여 Silicon 단결정층을 성장시킨 IC나 LSI를 활용한 SOI소자가 3차원 회로소자의 유용한 기술임.
- SOJ(Small Outline J-form Package)
Device의 옆면에서 시작하여 밑면으로 향한 "J"자 모양으로 구부러진 Lead 형태의 PKG로 PCB의 표면에 부착하여 사용.
- Sorting
Wafer를 제조공정에 투입 전에 항목, 조건별로 분류시켜 주는 작업.
- SOT(Small Outline Transistor)
외형이 축소된 Transistor.
- SPC
Statistical Process Control.
- Spin Dryer
Wafer를 빠른 속도로 회전시켜 주면서 Hot N2를 불어넣어 건조시키는 장비.
- Sputtering
고전압에 의해 이온화된 Argon Gas를 사용하여 Target으로부터 금속 입자를 떼어내어 금속 박막을 Wafer에 입히는 방법.
- SRAM(Static RAM)
Dynamic RAM에 비해 소비전력이 적고 주기적으로 재충전을 해주지 않아도 기억이 유지됨. 전원이 끊어지면 기억했던 내용이 없어짐<휘발성>. refresh동작이 필요 없는 RAM. 또한, memory cell이 DRAM구조로 refresh용의 보조회로를 내장한 의사 SRAM(Pseudo SRAM)이 있음.
- SSI(Small Scale Integration)
10개 이하 정도의 논리 Gate로 구성된 집적회로.
- SSOP
1) Shrink Small Outline Package. 반도체와 완제품 형태의 한 종류로 외부단자 즉, lead pitch가 SOP(SOIC) PKG의 절반인 0.025로 shrink됨으로서 같은 I/O수를 가지면서도 크기를 줄일 수 있는 특징을 가진 package임.
2) SHRINK SOP. LEAD PITCH 1.0/0.8/0.65/0.5mm인 SOP 8-80PIN.
- Standard Cell
Standard cell은 미리 설계되어 표준화되어 있는 기능 cell을 조합하여 배치·배선에 의해 chip전체를 설계하는 Semi-custom LSI의 한 종류로써 Gate Array보다 Custom색이 강함.
- Static Memory
MOS FET의 게이트 용량에 총집합 전압으로 기억을 유지하는 방식을 Static Memory라고 함.
- Stepper
정렬 노광기의 일종으로 Wafer 1매에 몇 개의 Chip 단위로 전후 좌우로 이동하면서 각 단위 Chip마다 정렬 및 노광을 실시하는 장비. 따라서 Wafer 1매를 한 번에 정렬 노광하는 장비보다 정교한 현상화가 가능함.
- Substrate
반도체 재료 박판(기판)을 말하며, 일반적으로 최초 공정이전의 Wafer를 말함.
- Suprem
반도체 제조공정의 Diffusion, Thin Film, Photo, Etch의 공정진행 조건을 Computer Program에 입력하여 가상적인 결과를 1차원적인 방법으로 도출하는 Tool.
- Surface Mounting
표면실장. 부품홀을 이용하지 않고 부품을 전기적으로 접속시키는 것.
- Synchronous DRAM
외부로부터 Master clock을 입력하면 이것에 동기되어 동작하는 것이 유래. 연속된 serial data를 Read/Write하는 burst Mode를 가지며 JEDEC 표준화에 의거 차세대 표준 DRAM으로써 기대된다.
- System On Chip(SOC/System LSI)
시스템의 요구에 부응하여 고속화, 고신뢰성, 저소비, 전력화를 추구하기 위하여
하나의 칩에 Microprocessor, Memory, I/O Interface 등을 집적화하여 한 개의 시스템을 구성하는 반도체 소자(Device).