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반도체 용어 설명 TUVWY

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- TAM(Total Available Market)

 

- Taping

Wafer Tape에 접착하는 행위(완전 절단하기 위해 하는 것임.)

 

- Target

Sputtering 방법으로 Wafer 표면에 금속박막을 입힐 때 사용되는 금속 원재료.

 

- TC Bonder(Thermo Compression Bonder)

열압착 본딩을 하는데 쓰이는 장치

 

- TEOS(Tetra Ethyl Ortho Silicate)

산화막 증착시 Si Source로 사용하는 물질

 

 

- Tester

제품의 양품과 불량을 판별하기 위해 사용되는 Computer가 내장된 전기특성 검사 장비.

 

- Test

Test Program을 이용하여 각 제품의 pass/fail 구분 및 전기적 특성 검사를 수행하는 장비.

 

- TFT(Thin Film Transistor)

절연성 기체에 증착 등으로 반도체 박막을 형성하여 능동소자를 만든 것으로 일반적으로 FET.

 

- Test Handler

연속된 모듈을 각기 전기적 시험 등의 이유로 도금을 위한 도선을 절단하고 전기적 도통 및 각종 TEST를 위한 장치

 

- Thick Film IC

후막 집적회로. 절연물의 기판 위에 얇은 막모양의 회로소자를 만들고 그들을 서로 배선하여 하나의 회로기능을 갖게 한 것을 막 집적회로라고 하며 이중 막의 두께가 5마이크론 정도보다 두꺼운 것을 후막 집적회로라고 함.

1) Ceramic 또는 기타 기판 위에 Silk-Screen 인쇄 방법으로 두께 0.51mm정도의 도체, 부도체 또는 저항성분을 가진 물질(니크롬, 알미늄 등)을 입혀 저항, 콘덴서 또는 도선을 형성하는 방법. 이 기술을 이용하여 저항, 콘덴서 또는 혼성 집적회로를 만듬.

2) 일반적으로 FAB 공정에서 다루는 막중 1000Å이상의 막을 말함.

 

 

 

- Thin Film

Thick Film과는 달리 진공증착 등의 방법으로 기판 위에 얇은 두께의 박판(두께 약 5 micron이하)을 형성하는 것으로, 저항콘덴서 등의 소자나 혼성 집적회로를 형성하기 위한 것.

 

- 3D Circuit Device

평면적인 LSI를 입체적으로 적층·중첩시킨 구조의 초고집적 전자 Device로써 최하층에 먼저 LSI를 만들고 그 상부에 절연층을 두고 그 위에 Silicon 단결정을 성장시키며 그 결정층에 다음의 LSI를 형성함. 이러한 행위를 반복하여 각 층간의 배선을 연결하면 3차원 회로가 구성됨. 초대용량 기억회로, 초소형 Sensor 등을 목표로 하여 3차원 CMOS 등의 기초연구가 진행되고 있음.

 

- Thyristor

PN 접합을 3개 이상 내장하고 주 전류 전압 특성의 적어도 하나의 상한에 있어서 ON/OFF 2개 상태를 가지며 OFF 상태에서 ON 상태로의 전환 또는 그 반대의 전환을 할 수 있는 반도체 소자를 말함.

 

- Transistor

Emitter Collector사이 Base에 불순물의 농도에 차이를 두어 Base속에서 Carrier를 가속시키는 전계를 두어 고주파 특성이 좋아지게 만든 반도체 소자. 기본적인 반도체 소자로서 Unipolar Transistor Bipolar Transistor로 나누어지며 증폭, 발진, 검파 또는 스위치 작용을 함.

 

- Trim

절단. Molding 완료된 자재는 compound over flow를 방지하기 위해 설치된 댐 역할을 하는 dambar로 각각의 lead가 연결되어 있어 전기적으로 short되어 있음. 이를 전기적으로 open시키기 위해 dambar를 잘라내는 assembly의 일련공정 임.

 

- Trim/Form

Package의 각각의 lead를 분리하고 절곡하여 I.C 원형을 만드는 공정.

 

- Trim Lines

절단선. 기판의 외각을 한정하는 선.

 

- Trimming

Lead frame을 이용한 type에서 molding한 후 낱개의 unit로 분리하기 위해 자르는 작업. Deflating plastic molding된 자재에 붙어있는 불필요한 부문 또는 엷은 열경화성 수지피막을 flash라 하고 이것을 제거하는 것.

 

- Trimming Lead

Lead frame molding을 한 다음 resin수지가 채워진 부분인 deflash dambar을 자르는 작업을 말하며 이와 같은 금형을트림다이라고 함.

 

- TSOP(Thin Small Outline Package)

Package 두께가 1.0mm이하인 SOP(SOIC) 반도체 제품으로 PDIP에 비하여 Package가 얇고 크기도 작아져 소형의 System에 널리 사용되고 있음.

 

- TSSOP(Thin Shrink Small Outline Package)

 

- TTL(Transistor Transistor Logic)

논리 회로의 한 종류로 Transistor Transistor를 직접 연결하여 구성하는 논리 회로 방식

 

- Utilisation

반도체 생산관련 공장가동율

 

- Vacuum Tube

Transistor라는 반도체 장치가 발명되기 이전에 쓰이던 전구모양의 전자부품으로 증폭, 검파, 정류, 스위치 등의 기본 전자기능을 하는 것으로, 외형이 크고 전력소모가 많아 현재는 Transistor IC로 거의 전부 대치되어 사용되지 않고 있음.

 

- VGA(Video Graphics Array)

VGA PS/2계열 기종들을 위한 IBM사의 주요한 표준, 컬러모니터 혹은 흑백 그레이 스케일 모니터와 함께 동작함. 최대 해상도는 640*480 픽셀이며 이 해상도에서 동시에 최대 16컬러, 320*200 픽셀의 해상도에서는 동시에 256컬러까지 디스플레이 할 수 있음.

 

- VHSIC(Very High Scale IC).

 

- VHSIC(Very High Speed Silicon Integrated Circuit)

미국방성에서 개발하고 있는 초고속 공정기술에 의하여 제작될 새로운 직접 회로 형태.

 

- VRAM(Video RAM)

1) 전통적인 DRAM Serial Register형태의 SRAM을 동일 Chip내에서 결합시킨 Memory DRAM 영역과 SRAM 영역간에 Parallel Data 전송이 가능하고 SRAM 영역의 Data를 고속으로 입·출력할 수 있어 화상정보처리 시스템에 적합하도록 고안된 메모리.

2) 화상정보를 기억시켜 두는 전용 메모리로서 Video RAM에서 읽혀진 화상정보는 영상신호로 변환되어 CRT Display .

 

- Virtual Memory

가상 메모리. 이름 그대로 실체의 Memory가 아니라 가상의 Memory. 자기(磁器) 코어, 반도체 IC 등으로 구성되는 메인 메모리의 용량부족은 저속이기는 하지만 비트당의 코스트가 낮고 대용량인 자기 드럼과 같은 보조메모리로 보관하고 또한 겉보기에 외부 대용량 메모리(보조메모리)와 같은 양의 메인 메모리가 있는 것처럼 보이게 하는 기술임.

 

- Visual Inspection

선별된 Chip 또는 제품출하전 Device의 외관을 육안으로 검사하는 공정. 불량항목으로는 1) 긁힘 2) Metal 변색 : Metal이 산화되어 색을 띄는 현상 3) Side Chip : Wafer의 가장자리에 있어 Chip 모서리가 선명하지 않은 상태 4) Untest : Test 안됨 5) Chip Out : 절단 또는 외부영향으로 Chip의 가장자리가 깨짐 6) Crack(깨짐) : 보호막 또는 Chip내부에 금이 간 상태

 

- VLSI(Very Large Scale Integration)

1000개 혹은 그 이상의 논리 Gate로 형성된 집적회로.

 

- Wafer

규소박판으로 규소(Si)를 고순도로 정제하여 결정시킨 후 얇게 잘라낸 것으로 반도체 소자를 만드는데 사용함. (4, 5, 6, 8, 12" wafer가 있음)

 

- Wafer Carrier

Wafer를 보관, 운반 또는 공정을 진행하기 위한 도구.

 

- Wafer ID

RUN Wafer 식별을 위해 각 Wafer에 대한 표시.

 

- Wafer Sort

wafer level에서의 GO/NO-GO test라고 말할 수 있으며, test wafer prober prober card가 있어야 test가 가능함. 이것의 목적은 Die assembly前에 각 Die GOOD/NO-GOOD을 판정하여 good assembly하는데 목적이 있다.

 

- Wet Station

Chemical(H2SO4, FH, BOE, NH4, OH) 또는 DI wafer를 사용하여 각 공정 전후에서 wafer cleaning하거나 불필요한 oxide film을 제거하는 공정 및 장비를 통틀어 wet station이라 함.

 

- WIP(Work In Process)

공정부분품(재공제조).

 

- Wire Bonder

TR이나 IC를 제조할 때 외부로 끌어내는 리이드와 칩 사이에는 통상 열압착이나 초음파에 의한 Wire Bonding으로 접속하는데 이 와이어 본딩을 하는 장치를 Wire Bonder라고 함.

 

- Yield

반도체 제조공정에 있어서의 양품율을 말하며, 투입된 Wafer수에 대하여 완성양품 Wafer수의 비율을 나타내는 공정수율과 1wafer chip수에 대해 Wafer test를 통해 남아 있는 양품수의 비율을 나타내는 chip 수율 등이 있다. 일반적으로 수율을 말할 때 chip 수율을 말하는 경우가 많다.

 

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