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DB

반도체 용어 설명 D

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- D-A (Digital to Analog Converter)

디지털 신호를 입력으로하여 Analog 신호를 출력으로 꺼내는 회로를 말함.

 

- DA(Die Attach)

Die Lead Frame에 접착시키는 공정

 

- DAC (Digital to Analog Converter)

Digital 신호를 Analog 신호로 변환하는 변환기. Hi-Ai음악용 CD player에도 16bit D/A convertor가 사용되고 있음.

 

- Data Retention Mode

휘발성 메모리(DRAM/CRAM)에 데이터를저장하는 형태로 일반적으로 시스템 power-off 직후 battery back-up circuit에 의해 데이터가 메모리 제품에 기억될 수 있도록 하는 최소한의 입력 조건의 상황.

 

- CDR(Double Data Rate)

차세대 고속 DRAM 규격으로 기존 싱크로너스 생산설비를 그대로 활용하는 싱크로너스형의 연장선상에 있으며 데이터 전송량을 2배로 늘려 고속화할 수 있는 기술 규격을 말함.

- DDR SD(Double Data Rate Synchronous DRAM) : 클럭 신호(명령이 들어가거나 데이터가 나올 때 기준이 되는 신호) 1회에 데이터를 2번 전송할 수 있어, 클럭 신호 1회에 데이터를 1번 보내거나 받은 SD램보다(클럭 주파수가 같을 경우) 속도가 2배 이상 빠름.

 

- Debug

불량품, 불합격품을 제거하는 작업 일반. Debugging, Screening, BURN-IN 이라고도 함.

 

- Decoder

2진법의 수를 해독(Decorder)하여 특정의 출력(10진법의 수)을 선택해내는 회로를 2-10 Decorder이라 함. Encoder.

 

- Defect 

결함. product service에 목적한 사용가능을 만족시키지 못하는 심각한 원인이 발생하여 제품의 특성이 목적한 수준이나 상태에서 벗어남. defect는 심각한 정도에 따라 다음과 같이 분류함.

Class 1 매우심각 : 매우 심한 손상이나 대단히 큰 경제적 손실을 직접 초래.

Class 2 심각 : 중대한 손실이나 경제적 손해를 직접 초래.

Class 3 중요결함 : 사용목적을 고려할 때 주요문제점들과 관련된 결함.

Class 4 미세결함 : 사용목적을 고려할 때 하찮은 결함

 

- Demo

미보유 장비에 대한 공정특성을 분석하기 위해 장비가 있는 곳으로 wafer를 반송하여 공정을 진행한 후, 반입하여 공정특성을 분석하는 행위.

 

- Density 

Wafer Bit의 용량

 

- Depletion Layer

공핍층. PN접합에 역방향 전압을 걸면 P측에 있는 Hole N측에 있는 전자는 접합부분에서 멀어진다. 그리고 접합부근에는 캐리어가 매우 적은 부분이 생기는데 이것을 공핍층이라고 함.

 

- Deposition

상압 또는 저압상태에서 주로 CVD방법에 의해, Si 기관 위에 Film() (Oxide, Nitride )을 성장시키는 것.

 

- Design Rule

반도체의 설계과정에서 공정능력과 설정된 제조방법의 한계성을 고려하여 반드시 지켜져야만 하는 설계규칙으로서 각 기능 부위 및 기능부위 간의 물리적 거리가 그 내용으로 포함됨.

 

- Develop

Mask Align한 후 자외선에 expose했을 때 Pattern 모양에 따라 노광된 부분과 노광되지 않은 부분으로 화학반응이 일어난 것을 이용해 화공약품으로 현상하는 것.

 

- Development

현상, 사진 공정에서 감광액 도포 및 노광후 필요한 Pattern만을 남기고 불필요한 부분의 감광액을 제거하는 작업.

 

- Device 

품명(품종) (제품).

 

- Dicing 

편도 절단이라고도 하며, Wafer 절단방식의 하나로 단일 방향으로 절단하는 방식(왼쪽에서 오른쪽으로만 절단)

 

- Dicing Saw 

Wafer를 절단하여 Die(Chip)를 분리하는 Diamond Wheel.

 

- Die 

개별 반도체 디바이스가 형성된 상태에서 Wafer의 조그만 부분(Wafer에서 절단된 단일 IC 또는 칩)

 

- Die Bonder

다이는 칩(Chip)을 말하며, 트랜지스터나 IC를 제조할 때 칩을 스템 또는 리이드 프레임에 붙이는 것을 다이본드 또는 본딩이라하며 이에 쓰이는 기계를 다이본더라고 함.

 

- Die Bonding

IC를 제조할 때 Chip을 스템 또는 리이드 프레임에 붙이는 것을 다이본딩이라고 한다. 펠렛마운트, 마운트라고도 함.

 

- Die Coating

Die위에 보호막을 씌우는 작업.

 

- Die Sawing

Wafer의 각 Chip을 조립하기 위하여 톱으로 자르는 작업.

 

- Dielectric Constant

유전 상수. 유전 분극의 강한 정도를 나타내는 계수로서 유전율이 이방성을 표시하면 전기장에 평행하려고 하는 유전율이 수직하려고 하는 유전율보다 클수록 액정입자가 일어서는 속도가 빠르다.

 

- Die Sorting

웨이퍼의 다이를 분리시킨 상태에서 양, 불량(Ink Die Non Ink Die)을 구분하여 이 중 양호한 다이만을 1개씩 픽업(Pick-up)하여 트레이(Tray)에 재배열하는 것.

 

- Diffusion

농도 차에 따라 액체나 기체가 고농도에서 저농도쪽으로 이동함을 말하는 것으로 확산로 속에서 반도체 소자(Wafer)에 높은 온도를 가해 불순물 B(붕소) P() 등을 확산시키는 것을 말하며 반도체 특성을 결정하기 위한 것임.

 

- Diffusion Furnace

확산 또는 산화에 필요한 고온의 확산로.

 

- Digital IC

전압의 높고 낮음을 “1” “0”으로 대용하여 digital 신호로 처리하는 IC로서, MOS IC Bipolar digital IC가 있으며, 다시 Logic IC Memory IC로 각각 나누어 짐. 연산·제어·기억 기능이 주류임.

 

- Digital Memory

디지털량을 기억하는 메모리·보통 메모리라고 하는 경우는 이 Digital Memory를 가리킴.

 

- Digitizing

Mask를 만들기 위해 설계된 도형의 좌표를 결정해 주는 것.

 

- Dimension

치수.

 

- DIMM(Dual In-Line Memory Module)

PC에 사용되는 Memory module의 종류로 PCB 前面과 後面의 pin수는 같으나 pin들이 기능을 달리하는 제품을 말함.

 

- Diode

di-electrode를 따서 만든 단어로 2극 소자를 말함. 진공관에서도 2극관을 다이오드라 하며 검파, 정류작용은 가지나, 증폭 작용은 없으며, 따라서 수동소자로 분류함.

 

- DIP(Dual Inline Package) 

가장 보편적인 IC 포장의 한 형태로 직사각형 모형이며, 내부 회로(Chip)와의 연결도선이 옆면에 수직으로 붙어 있는 포장 형태.

 

- Discrete

집적회로(IC)에 반대되는 말로서 개별 전자부품을 가리킨다. TR, Diode, 저항, 콘덴서 등의 부품은 각각 개별부품으로서의 기능밖에 가지고 있지 않으므로 이들은 모두 Discrete 부품이 됨.

 

- Discrete Device

단순한 개별소자로서 저항, Transistor 또는 Diode 같은 것.

 

- Discrete Product

개별소자는 Diode, Transistor, 정류기(Rectifier), 트라이스터(Thyristor) 등을 일컬으며, 이러한 소자들의 결합으로 구성된 집적회로에 대응하는 말.

 

- D-I Water(De Ionized Water Semiconductor grade Water)

초순수. 이온이 함유되지 않은 물이란 뜻으로, 불순물을 제거시킨 순수(純水), Wafer 세정 및 절단시 용수로 사용됨.

 

-D-MOS(Double Diffusion-Metal Oxide Semiconductor)

연속적으로 확산공정을 두 번 진행함으로써 channel length를 짧게 하고 이에 의해 고전압, 고전류를 인가하는데 장점을 갖는 MOS를 일컬음.

 

- Dopant

Dope시 주입되는 불순물을 Dopant라 함.

 

- Dope

반도체 속에 불순물을 주입(확산, Ion Implantation 등에 의해서)하는 것을 dope라고 함.

 

- Doping

반도체 재료(Wafer)에 불순물을 주입하여 P-type 또는 N-type의 반도체 특성을 만드는 것으로 박막이나 실리콘 기판에 불순물을 주입시켜 전도특성을 향상시킬 때 사용함.

 

- DRAM(Dynamic Random Access Memory)

Capacitor의 정전용량을 이용한 Cell 모양의 Device로써 읽기와 쓰기가 자유로우며 CAP Charge를 시켜주기 위해 Refresh Cycle이 필요함. Refresh 동작을 필요로 하는 RAM으로 정보의 기억을 용량(capacitor)의 전하 유무에 따라 행하는 Memory로써 기억하고 있는 정보가 용량의 leak 전류에 의해 시간의 경과에 따라 소멸되기 때문에 일정시간까지는 정보를 읽고 출력시키며, 재차 기재하는 것을 할 필요가 있으며, 이것을 Refresh 동작이라 함. DRAM SRAM에 비해서 memory cell의 면적이 적기 때문에 대용량에서 경제적인 memory를 얻을 수 있음.

 

- Dry Etch

건식 식각. 용액성 화학물질을 사용치 않고 활성화 된 Gas(Plasma)를 이용하는 식각 방법.

 

- DSP(Dgital Signal Processor)

계산기를 내장하여 연산기능을 가진 Digital 신호처리 전용 1 chip microprocessor. 부동소숫점 연산이 가능한 DSP도 있으며, 음성 digital 신호처리나 화상처리 등에 적합함.

 

- Dummy Wafer(희생 wafer)

 생산용 run wafer와 함께 투입되어 run wafer의 제품특성의 균일성을 위해 공정 취약부분에서 run wafer를 대신하여 사용되는 wafer로서, 공정진행시 공정안정화를 위한 장비 warming-up과 공정간 공정취약부위에 run wafer를 대신하여 위치함으로서 run wafer에 대한 공정 균일성을 확보하기 위해 사용됨. 특히 후자의 경우에서 wafer furnace boat 좌우 또는 상하에 위치하는 wafer sidedummy, run wafer의 빈 slot을 채워주는 경우는 fill-up 혹은 extra dummy라 지칭함.

 

- DW(Diffused Wafer)

확산 웨이퍼.

 

반도체 용어 설명 A
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