- EDO(Extended Data Output)
DRAM의 data access 방법중 fast page mode의 개선을 위하여 나타난 것으로 일반적인 동작방법은 /CAS signal이 inactive high로 전환시 valid data가 다음 /CAS signal의 low active 전까지 data가 출력되도록 설계되었음. 이러한 동작특성은 fast page mode의 전체적인 tPC(fast page mode cycle)를 줄일 수 있으므로 speed 개선효과를 얻을 수 있음. 일반적으로 비디오 카드 성능개선에 적용되고 있음.
- EDRAM
Enhanced DRAM(Trademark of Enhanced Memory Systems, Inc)
- EEPROM(Electrically Erasable PROM)
전기적으로 소거와 쓰기가 가능하며 전원 전압이 OFF되어도 Data가 보존됨. Parallel로 Data를 주고 받는 Intel Type과 Serial로 Data를 주고 받는 NEC Type으로 나뉨. Tunneling을 이용하여 전기적으로 Erase와 Programming이 가능하기 때문에 사용자가 In-System에서 정보 변경이 가능함. 그러나 2개의 Transistor로서 1 cell을 구성해야 하기 때문에 EPROM에 비하여 면적이 크고 고가임.
- Electron Beam Exposure System
전자 Beam을 사용하여 mask 등에 pattern을 그리는 system. 종래, mask의 제작에는 광학적으로 pattern을 발생하는 pattern generator가 사용되었으나, 미세화가 진전된 현재, 모든 묘화기에서 실행할 수 있음. LSI의 pattern data는 묘화기의 algorithm에 의해 변환되며, EBMT(묘화기용 자기 tape)가 되어 주사하는 전자 Beam을 on/off하거나, aperture를 변화시켜 pattern을 그림. 최근에는 ASIC의 보급으로, 소량의 sample을 단기간에 만드는 needs가 높아지고 있음. 따라서 일일이 Mask를 만들지 않고 직접 Wafer상에Beam으로 그리는 방식이 실용화되고있음.
- Element
소자. 부품 또는 장치를 하나의 기능체로서 본 경우 그 기능체를 구성하는 단위를 말함.
- Embedded Processor
제품의 기능을 통제하는 컴퓨터 칩
- Epi(Epitaxial Layer)
반도체 소자 제조시 기판 위에 단일결정의 반도체 박막을 형성한 것.
Bipolar Transistor는 보통 Epitaxial Layer내에 형성됨.
- Epitaxial
Epi-Taxial을 연결해서 만든 말로써 "결정축을 따라서“라는 뜻임. Substrate위에 가스상태로부터 반도체 결정을 석출시키면 Substrate의 결정축을 따라서 결정이 성장 석출되는 현상을 말함.
- Epitaxial-Growth
에피성장. 적절한 결정구조를 가진 동형의 혹은 다른 유형의 Substrate위에 단결정층을 성장시키는 방법.
- Epoxy
Chip을 Lead Frame에 접착시키기 위한 전도성 수지.
- Epoxy Dispenser
일정한 공기압력으로 Epoxy를 내보내는 장치.
- EPROM(Erasable Programmable Read Only Memory)
ROM의 일종으로서 사용자가 기억장치 속에 저장된 정보의 내용을 지우거나 다시 넣을 수 있는 기억장치. 기억내용을 전기적으로 기입하는 것이 가능하고, 자외선을 조사함으로써 소거가 가능한 programmable ROM. Program소거는 IC Package의 석영 glass 창을 통하여 외부에서 자외선을 조사하여 제거한다. 이런 이유로 기억정보소거는 전체 bit를 일괄처리 한다.
- Equip(Equipment)
기계장비.
- Erase
EPROM이나 EEPROM에서 Floating Gate에 Tunneling을 통하여 주입된 전자의 존재유무 상태에 따라 해당 Bit의 저장상태를 구분하는 상태이다. EPROM에서는 Floating Gate로부터 전자가 discharge된 상태를 말하며 EEPROM에서는 반대로 Floating Gate로 전자가 주입된 상태를 말한다.
- ESD(Electro Static Discharge)
정전기 수준을 나타내는 말로써 정전기에 대해 어느 정도까지 견딜 수 있는지의 정도를 나타냄.
- Etch
침상에서 패턴된 형을 정하기(defive) 위해 선택된 재료의 부분을 제거하는 것.
- Etch Back
홀의 내벽으로부터 일정 깊이의 비금속부분을 제거하는 공정이며, 이것은 레진의 스메어를 제거하고 적절한 정도로 내부회로를 노출시킨다.
- Etching
식각. Silicon Wafer에 필요한 부분만을 남겨놓고 불필요한 부분을 chemical 또는 Gas로 녹여 내는 제작과정.
- Exposure
노광, 감광액을 도포한 WF 표면에 회로가 구성되어 있는 Mask를 정렬시켜 자외선 등을 쬐는 작업. 이후 현상작업에 의해 Mask의 pattern이 형성됨.
- FAB(Fabrication)
웨이퍼(Wafer)의 가공을 의미함.
- Fabless
제조공정(wafer fabrication)의 능력이 없는 반도체 업체.
- Fast Page Mode
컴퓨터 시스템이 데이터를 Access하는 방법으로 가장 보편적으로 활용되고 있는 /CAS signal의 toggling에 따라 데이터가 Access되는 방식.
- FET(電界效果 Transistor : Field Effect Transistor)
전기전도(電氣傳導)에 기여하는 Carrier의 역할을 전자 또는 정공(正孔)의 어느 하나가 담당하는 Transistor. 전자도 정공도 Carrier의 역할을 하는 Bipolar에 대하여 Unipolar(單極) Transistor라고 불리움.
- Final Test (조립/Class Test)
조립(Package)된 제품에 대해 제품 출하전 마지막으로 전기적 특성을 검사하는 것.
- Flash EEPROM
한 개의 트랜지스터로 이루어져 셀 면적이 작은 EPROM과 전기적 소거가 가능한 EEPROM의 장점을 조합하여 EPROM의 프로그램 방법과 EEPROM의 소거방법을 수행토록 만든 소자로서, EPROM, EEPROM과 유사한 설계와 공정을 거쳐 생산됨. 외부에서 고전압을 가해 데이터를 기입하며 전기적인 소거도 Memory Device 전체 또는 Block별로 가능함. 이 Flash Memory는 NOR형, NAND형으로 大別되며 NOR형 EEPROM은 Hot Electron을 주입하는 기입방식을 적용하고, NAND형은 터널현상과 페이지 동작회로 기술을 조합하며 프로그램 속도가 빠름. 기억된 정보는 전원이 꺼지더라도 없어지지 않아 비휘발성 메모리라 불리움. 최근 Memory 시장에서 hard disk를 대체할 소자로 기대되고 있음.
- Flip Chip
칩의 밑면에서 혹 모양의 납(Solder Bump)을 만들어 보드에 직접 붙이는 방법. 플립 칩은 리드프레임이 없어 칩 사이즈가 곧 패키지 사이즈가 되어 세트의 소형, 경량화에 유리하며 칩 밑면에 입·출력 단자가 있어 전송속도도 기존선이 있는 패키지에 비해 20∼30배정도 빠르게 할 수 있음. 특히 기존 와이어 방식의 패키지 경우 고속으로 동작하는 마이크로프로세서에 적용키 어려웠던데 반해 플립 접촉법은 우수한 전기적 특성을 요구하는 대용량의 D램, 속도가 빠른 S램 칩은 이런 단점을 모두 보완해 1천핀 이상의 입·출력 단자를 갖는 반도체 칩에도 쉽게 적용이 가능하여 1기가급 이상의 D램 패키지로 적합함.
- Flip Chip Bonding
페이스다운 본딩(Facedown Bonding)과 같이 반도체 칩상의 표면전극을 절연기판 또는 패키지의 배선용 전극에 직접 접속하는 방법.
- Forming Die
Forming I.C Lead-frame의 lead를 요구하는 현상 즉, curl, Z form 등이 있으며, Die Punch를 요구형상으로 제작하여 그 사이에 lead frame을 위치시켜 곡선을 따라 꺽는 작업을 말하며 이와 같은 금형을 포옴 다이라고 함.
- Foundry
ASIC설계업체와 고객들이 자신들이 갖고있는 공정에 적합한 Tool을 사용하여 완성된 설계의 레이아웃을 제조하기 위하여 이용할 수 있는 반도체 제조설비.
- FPGA(Field Programmable Gate Array)
미리 program할 수 있도록 제작된 chip에 사용자가 CAD를 이용하여 로직을 구현할 수 있도록 한 제품.
- FRAM(Ferroelectric RAM)
강유전체 불휘발성 메모리로서, 강유전체는 전계를 가하더라도 전하가 남아 있기 때문에 이런 원리를 이용하여 memory cell에 강유전체를 사용한 불휘발성 RAM으로써 SRAM이나 DRAM과의 차이점은 전원을 끊더라도 data내용을 가지고 있음. 또한 EEPROM과 비교하여 data기재시간은 훨씬 짧고 기재가능 횟수도 많은 점 등의 잇점을 갖고 있음.
- Front-End(Fe)
반도체 前공정
- Full Custom 제품
자동화된 tool을 사용하지 않고 원하는 chip의 특성에 맞게 설계하는 IC 설계방법. 회로설계시 MOS transistor level부터 시작해서 회로구성, simulation, optimization을 실시한 후 chip 전체의 area를 최적화하기 위해 수작업으로 layout하여 완성된 반도체 제품.
- Furnace(확산로=tube)
확산실에서 Deposition, Drive-In, Oxidation 혹은 Alloy를 하는데 사용되며 긴 원형의 QZ를 이용하여 450℃에서 1250℃까지의 온도공정을 진행할 수 있으며 횡형과 종형이 있음.