- GaAs(Gallium Arsenide)
화합물 반도체로서 초고속 장치에 사용되며, 고주파에서의 이득과 대역폭 특성이 양호하여 차세대에 Silicon 대신 많이 이용되는 물질. Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체의 대표적인 재료로 Si에 비해서 결정내의 전자이동이 5∼6배 빨라 초고속·초고주파 device에 적합함. UHF나 SHF의 GaAs FET, micro파 analog IC, 적외선 발광 Diode, 반도체 laser, Hall 소자, 태양전지 등에 이용되고 있음.
- GaAs IC
GaAs을 이용한 초고속 IC. SPAR Computer나 통신분야에 기대되는 IC로써 현재 Memory와 Gate Array를 중심으로 고집적화 개발이 진행되고 있음. 또한, GaAs 광 IC의 연구도 활발하게 진행되고 있음.
- Gas Cabinet
Gas 공급기. 반도체 공정에 필요한 각 Gas를 장비로 공급하는 장치.
- Gas Scrubber
공기나 Gas중의 불순물 또는 분진을 물의 분사나 수막에 의하여 씻어 내리는 장치.
- Gate
1) 논리회로에서 몇 개의 Transistor를 조립하여 만든 계수형 회로를 말하며, 2진 정보가 입력의 조합에 의해 형성되는 논리 회로.
2) 반도체 장치에서 MOS Transistor에 입력을 가하기 위함 단자로서 Bipolar Transistor의 Base에 해당하는 단자.
- Gate Array
논리소자인 NOT-Gate, AND-Gate, OR-Gate, NAND-Gate 등의 구성이 되어 있거나. 구성할 수 있도록 Transistor가 필요한 양만큼 만들어져 있는 Logic 소자로서 주문형 소자로 많이 사용됨. 개발기간과 비용을 절감하여 다품종 소량의 수요에도 대응할 수 있는 Semi-Custom의 Digital IC. 기본 Cell을 가지고 배선 전 단계까지 처리된 Master Wafer에 User의 논리회로도와 timing chart를 접수받은 data를 CAD기술에 의해 배선을 연결시켜 단기간 내에 공급할 수 있음. 종래는 배선영역과 Gate영역이 분리 고정된 type이었으나, 최근에는 chip전면에 Gate를 배치시키기 때문에 자유로이 배선영역과 Gate영역을 설정할 수 있는 SOG(Sea of Gate)형 G/A가 주류로 될 것임.
- Germanium
게르마늄. 잘 알려진 반도체 재료 중의 한가지.
- Gold Wire
와이어 본딩 공정에서 사용하는 가느다란 금으로 된 금속선으로 순도 99.9% 이상임.
- Good Device : 양품. 결함을 포함하고 있지 않은 제품( Bad Device)
- Handler
Package화된 다량의 소자를 동시에 Test하기 위해 소자와 Test System과 연결시켜 주는 장비.
- HCT(High Speed C-MOS TTL)
고속의 C-MOS TTL이며 기존의 LSTTL 제품이 지니는 단점(고소비전력)을 보완한 것으로서, Computer 및 Computer 기술을 필요로 하는 각 전자부품내의 CPU, Memory, 주변기기 주요 IC들과 함께 내장되어 각 기능을 상호 연결시켜 주는 역할을 수행하는 제품.
- HDD(Hard Disk Drive).
- H/D(Handler)
조립(Package)된 제품을 검사하기 위해 Tester와 연결되는 설비.
- HEMT(High Electron Mobility Transistor)
고전자 이동도 Transistor라 부르며, GaAs을 응용한 초고속 저소비전력의 FET 반절연성 GaAs기판 상에 undoped GaAs층, 그 위에 N형 AlGaAs층을 성장시킨 구조로써, AlGaAs층에서 공급된 전자는 Undoped GaAs층과의 접합부의 얇은 영역으로 이동하여 전류 channel을 형성시켜 고전자 이동도를 실현하고 있음. HEMT는 위성방송수신 System용으로 수요가 확대되고 있음.
- High Power Inspection
Wafer 가공상 생긴 die표면과 각 회로상의 불량을 고배율 현미경을 사용하여 검사하는 작업.
- Hybrid-Circuit
한 기판 위에 여러 종류의 능동소자, 수동소자 또는 직접회로 등을 부착시킨 전자회로를 말하며, 혼성집적회로라고도 함.
- Hybrid I.C.
반도체 기술과 박막(Thin Film) 또는 후막(Thick Film) 기술의 양쪽을 혼성하여 만들어지는 IC를 말하며 반도체 기술에 의해 다이오드나 트랜지스터 등을 만든 기판 위에 다시 절연층을 만든 후 박막기술 및 후막기술에 의해 배선이나 저항, 콘덴서 부분 등을 만들어 내는 혼성형 IC를 말함. 반도체 IC로써는 곤란한 고정밀도, 고주파수, 고내압, 대전력을 요구하는 분야에 이용됨.
- IC(Integrated Circuit)
집적회로라 부르며, 2가지 이상의 회로소자를 기판 내에 집적하여 상호 배선을 연결시킨 회로로써 설계부터 제조, 시험, 운용에 이르기까지 하나의 단위로써 취급되는 것으로 정의함.
- IC Memory
종래의 자성체 대신에 바이폴라 TR이나 MOS TR로 F-F를 구성하여 기본 Memory(Cell)를 만든 IC 회로.
- IC Tester(Integrated Circuit Tester)
집적회로 검사장치. 출하직전 IC의 전압이나 저항 등의 전기적 특성을 검사하고 불량품을 제거하는 장치. 불량품과 양품(良品)을 자동적으로 구별하는 ATE(Automatic Test Equipment=전자동검사장치)가 주류를 이루고 있음.
- IDM(Integrated Device Manufacturing)
일반적으로 자사 Brand로 제품을 판매하는 종합 반도체 업체
- IGBT(Insulated Gate Bipolar Trasistor)
MOSFET나 Power Tr를 복합화한 스위칭 Device : 고주파화, 저경음화.
- IGFET(Insulated-Gate-Field-Effect-Transistor)
MOSFET의 다른 명칭.
- Implanter
이온 주입기. 불순물을 강제로 Wafer에 주입시키는 장치로써 고전류, 중전류, 저전류 이온 주입기 등 3 종류가 있다.
- Implanting
이온주입. Wafer 내부로 B(붕소)나 P(인) 등을 Implanter를 이용해 주입시키는 것을 말함.
- Ingot
일반적으로 용융된 상태에서 응고된 고체덩어리. 실리콘(Silicon)의 경우, 실리콘 용융액으로부터 성장시킨 단결정을 실리콘 잉고트라고 부름.
- Injection
주입. PN 접합면에 있어서 각 영역의 다수 캐리어가 반대쪽 영역으로 소수 캐리어로 되어 흘러 들어가는 현상.
- Inspection(Normal)
보통검사. 공정이 합격품질 수준 또는 그보다 다소 나은 상태에서 진행되었을 때, sampling법에 의해 적용되는 검사를 말함.
- Inspection(100 Percent)
전수검사. Lot 혹은 Batch내의 모든 단위체를 검사함.
- Inspection(Rectifying)
선별형 검사. 불합격 판정된 Lot이나 Batch에서 특정수 또는 모든 단위체에 대한 검사를 실시하는 동안 불량품의 교체 및 제거하는 검사를 말함.
- Inspection(Tightened)
까다로운 검사. 정규(보통)검사에서 적용했던 기준보다 더 엄격한 합격판정 기준을 사용하는 sampling 검사방법을 말함. 까다로운 검사(Tightened Inspection)는 제시된 품질수준이 상당히 나쁠 때, 불합격 Lot의 확률을 증가시키기 위한 보호수단으로 사용됨.
- I/O(Input Output)
정보를 전달하거나 수신하는 곳 또는 입출력 장치를 말함.
- Ion Beam Lithography
기존의 Optic, X-ray, electron beam을 이용하는 방법보다 더 발전된 형태의 Lithography 방식으로서 보다 정밀한 해상도를 얻을 수 있음.
- Ion Implanter
회로패턴과 연결된 부분에 불순물 원자 Ion을 미세한 gas입자 형태로 가속해 wafer의 내부에 침투시켜 전자소자의 특성을 만들어주는 장비로 beam 전류의 강도에 따라 여러 종류로 나뉨.
- Ionizer
이온, 이온을 순차적으로 발생시켜 대기중에 발생된 정전기를 제거하는 장치(대전물에 존재하 극의 이온을 중화시킴).
- Ion Implantation
반도체 소자가 원하는 전기적 특성을 가지도록 반도체 기판 위에 필요한 부분에만 고전압으로 가속된 이온을 물리적으로 주입하는 것.
- Ion Injection
Silicon 등에 확산법에 의해 불순물을 넣어 주는 것이 아니라 Ion을 쏘아서 원하는 깊이, 원하는 갯수만큼의 불순물을 주입하는 것.
- ISDN(Integrated Service Digital Network)
전기통신망의 장래 형태로서 전기, Facsimile, 화상, Data, 전보, Telex등 복수 서비스를 제공할 수 있는 종합적인 Digital 교통망을 ISDN(=Digital 종합 통신망)이라고 부름.
- Isolation
반도체 집적회로는 한 Chip속에 TR, Diode, 저항 등의 회로소자를 조립해 넣으므로 이들 소자를 먼저 각각 분리하여 고립된 상태를 만들어 놓는데 이를 Isolation이라 함.
- Isolation in IC
반도체 집적회로에서 소자끼리 전기적으로 영향을 받지 않도록 하는 것.