- Nano
단위(10-9). Nanometer 10억분의 1미터
-NMOS(Negative-channel Metal Oxide Semiconductor)
NMOS는 70년대와 80년대 초에 반도체 칩을 만드는데 있어서 주도적인 기술로 선호되었음.
- Non-Volatile Memory
비휘발성 메모리. 전원을 끊어도 지워지지 않는 Memory. 반도체의 Memory에 기억했던 data는 일반적으로 전원을 끊으면 지워져버림. 그렇기 때문에 data를 지우지 않기 위해서는 hard disk나 floppy disk 등의 다른 media로 옮기든가 반도체의 memory를 battery로 back up 해두어야 함. 그러나, 특수한 구조(NMOS 등)로 하면 전원을 끊더라도 지워지지 않는 Memory가 가능함. 그것을 非비휘발성 Memory라고 함. NMOS Transistor에서는 두 가지 level의 threshold 전압 VTH을 갖고 있어서 전원을 끊더라도 VTH는 변화하지 않기 때문에, "1", "0"을 두개의 VTH에 대응
시켜 기억함.
- N TYPE(Semiconductor)
주기율표상의 5족 원소를 소량 넣어주면 전자가 남는 상태, 즉 잉여전자가 생김. 이 상태에서 실리콘에 전압을 걸어 주면 제자리를 못 찾는 이 잉여전자가 자유 전자가 되며 전류가 흐르게 됨. 이를 N-Type 반도체 또는 N-type 실리콘이라고 함.
- NVM(Non Volatile Memory)
비휘발성 기억소자.
- OEM
주문생산(Original Equipment Manufacturing)
- One Chip CPU
마이크로프로세서의 가장 간단한 것으로 문자 그대로 프로세서 기능이 1개 Chip상에 LSI화된 것을 말함.
- Optoelectronics
광소자. 빛 파장을 발산 또는 수정하는 디바이스로서 LED, Optical Coupler, Laser Diode, Photo detector 등이 그 예임
- Oxide
산화막(예, SiO2)
- Oxide Film
산화막. 불순물 확산의 마스크로서도 사용되며 반도체 표면의 보호막으로도 사용될 수 있는 산화막으로서 SiO2가 가장 많이 사용되고 있음.
- P-Type Silicon(Positive Type Silicon)
Major Carrier가 Hole인 Si를 말함. 3가 원소들이 Si에 주입되면 여분의 Hole이 존재하게 됨.
- Package Test Board
Package를 Test하는데 사용되는 Board로서 Test 장비의 Test Head에 장착됨.
- Package
TR, Diode, IC 등의 반도체 소자의 용기로서 Package는 재료면에서 mold(수지) type, ceramic type, cam(금속) type 등이 있음. 또한 형상면에서 면실장 type과 pin삽입 type이 있음.
- Particle
Line 내의 Wafer나 공기 중에 발생하는 먼지. 크기가 작은(100∼0.01㎛) 미세한 먼지나 이물질을 말함.
- Particle Inspection
수입검사 대상 자재들에 대한 Particle 오염 정도를 검사함.
- PAL
Programmable Array Logic.
- PCB(Printed Circuit Board)
인쇄회로기판, 인쇄배선판 위에 저항, 콘덴서, 코일, TR, IC, LSI, 스위치 등의 부품을 장치하고 납땜하여 회로기능을 완성시킨 것.
- PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)
강한 전압으로 야기된 plasma를 이용하여 반응물질을 활성화시켜서 기상으로 증착시키는 방법 또는 장치. TFT-LCD에서는 insulator층과 a-Si증착에 사용함. 반응 Chamber가 Plasma 상태하에서 GAS들의 화학적 반응에 의해 film을 증착하는 방법으로 Plasma에 의해 reactant들이 energy를 얻음으로 낮은 온도에서 증착이 가능함.
- Pellicle
Particle 또는 외부적인 defect로부터 감광원판(MASK)을 보호할 목적으로 감광원판의 가장자리 부분의 형상이 없는 곳에 부착하는 물질.
- Peripheral LSI
Test System에 CPU를 지원하는 LSI군. microcomputer system을 설계하는 경우 필요로 하는 기능을 CPU 한 개에 집적시키면 처리속도가 저하되고 software 설계량이 증대되는 문제점이 발생하게 됨으로 각 CPU에 주변 LSI를 사용하여 시스템을 설계하는 것.
- PGA(Pin Grid Array)
Lead가 Package의 아래쪽에 길게 나와 있는 정사각형의 반도체 제품.
- Photo
Wafer에 Pattern을 형성하는 공정.
- Photo Conductive Effect
광전효과. 반도체에 빛을 조사함으로서 일어나는 전기 전도도의 변화나 기전력의 발생현상을 총칭하여 광전효과라고 함.
- Photo Coupler
전기/빛 변환소자(발광소자)와 빛/전기 변환소자(수광소자)를 하나로 조합한 것임.
- Photo Chemical
반도체 제조 공정중 Photo 공정에서 사용되는 Chemical류로서 Photo Resist, Developer, Stripper, Thinner, HMDS 등의 Organic Chemical임.
- Photo Diode
반도체의 PN 접합에 역 바이어스를 가하고 접합면에 빛을 조사하면 PN 접합에 흐르고 있는 역방향 전류가 증가하는 현상을 이용한 것.
- Photo Etching
사진 식각법. 에칭재료에 대해서 내성이 있는 재료, 즉 Photo Resist를 마스크로 사용하여 반도체의 산화피막, 금속 등을 부분적으로 Etching 하는 방법.
- Photomask
일괄공정 중 wafer 위에 이미지를 전가시키는데 이용되는 매개체(Medium)로서 유리와 크롬으로 만들어짐.
- Photo Resist
사진 식각 공정을 위하여 사용되는 점액성 액체를 말하며, 빛이 닿는 유무에 따라 상태가 변하는 감광물로서 Positive와 Negative 2종류가 있음.
- Photo-Resist or Resist
감광물질로 Positive와 Negative의 두 종류가 있음.
- Photosensitive Semiconductors
Input 또는 Output로서 전기적 특성 대신해 빛을 사용하는 반도체 디바이스
- PLA(Programmble Logic Array)
일반적인 논리회로의 조합으로 기능별로 연결하거나 Program에 의하여 조작할 수 있는 논리조작 회로.
- Planar Transistor
Silicon기판 위에 튀어나오는 것이 없어 평평한 형태로 만든 Transistor.
- Plasma
거의 같은 수의 양이온과 전자를 띤 가스.
- Plasma Etcher
Wafer의 Passivation, BPSG Layer, SiO2, AL, TI/TIN, TEOS등을 Plasma 상태의 CF4, O2, Cl2, 등의 gas를 이용하여 Etch하는 장비.
- Plasma Etching
고주파가 혀용된 반응실 내부로 Gas를 주입하면 높은 Energy 상태로 활성화되어 이온, 전자, 원자, 래디칼(Radical)등이 생성되는데, 이것을 사용하여 식각을 하는 일반적인 건식 식각(Dry Etch). 좁은 의미로는 화학적인 반응에 의한 건식 식각 방법.
- PLC(Product Life Cycle)
제품수명주기. 신제품이나 개량제품이 시장에 소개된 이후 시간의 경과에 따른 판매액이나 이익의 변화 추이를 나타낸 개념. 도입기, 성장기, 성숙기, 쇠퇴기로 구분하여 각 시기마다 적합한
마케트 믹스를 필요로 함.
- PLCC(Plastic Leaded Chip Carrier)
Package의 일종으로 lead가 4방향으로 난 표면실장형 반도체 제품(Package의 한 형태)
- PLD(Programmable Logic Device)
프로그램이 가능한 어드레스를 가진 ROM으로 시스템 설계 수단으로서 개발된 것. PLD와 ROM과의 차이는 ROM은 입력의 모든 조합에 대해서 출력이 나오지만, PLD는 입력의 몇 개 조합은 무효이고, 또 조합의 몇개 그룹은 구별할 수 없다는 점임.
- P-MOS
양전하 즉, 정공에 의해 Channel 전류가 형성되는 MOS Transistor. 기판은 N형으로 구성되고, Source와 Drain부가 P형으로 작동되는 MOS device. Source와 Drain간의 Channel전류가 정공에 의해 흐르므로 NMOS에 비해 느리지만, 고출력전압이 필요한 경우 등의 특수한 용도에 사용됨.
- Poly-Si
장 범위에서는 결정성이 없지만, 단범위에서는 결정성을 가지고 있는 실리콘 물질. 결정 r경계로 구분되어 있고 결정 경계 내부는 단결정이며 이러한 결정이 다수 존재함. 다결정 실리콘 트랜지스터는 좋은 신뢰성과 안정성으로 인해 프로젝션용 혹은 소형 Viewfinder에 이용됨.
- Power IC
전원전력시스템에 적용되는 스위치용 소자 및 Control 핵심부품으로 Power Tr, Power MOSFET, PWM IC 등을 총칭함. 응용분야로는 SMPS, Ballast, UPS, Inverter, AC-DC Converter 등 모든 전원분야에 사용됨.
- Probe Card
Wafer내의 Chip의 전기적 동작상태를 검사하기 위해 Probe Tip을 일정한 규격의 회로 기판에 부착한 카드.
- Prober
Test 장비와 전기적 신호를 주고받을 수 있도록 연결되어 있으며 Wafer를 X, Y, Z축으로 움직여 각 칩을 ROOM/HOT Temperature 상태에서 Wafer내의 지정된 Point(pad)에 탐침을 접촉시켜 Test하는데 사용되는 장비임.
- Probing
측정을 위하여 만들어 놓은 PAD에 Probe Tip을 정확하게 Contact시키는 것.
- Process
반도체 제조기술에 있어서 재료에서 제품까지의 중단단계의 기술을 총칭하여 Process라고 함.
- PROM(Programmable Read Only Memory)
ROM의 일종으로 제조된 후 사용자가 임의로 Program을 하여 원하는 정보를 넣을 수 있는 기억장치.
- PSRAM(Pseudo SRAM)
DRAM의 장점인 동일면적에 있어서 기억용량의 극대화와 SRAM의 장점인 Refresh 불필요성을 결합시킨 것으로 DRAM의 장점과 SRAM의 장점을 결합시킨 기억소자.
- P type semiconductor
P형 반도체에서 전기 전도에 기여하는 캐리어가 정공이 주체가 되는 반도체를 P형 반도체라고 함.