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제이아이테크 제이아이테크 1.코스닥 시장 상장 추진 중 : 미래에셋증권 대표주관사 2. 2022 상반기 이익 급증 < 반도체용 특수가스 사업을 새롭게 시작하면서 관련 매출이 늘어난 영향
디엔에프 (DNF) 1. 반도체 소자 형성용 박막재료 생산 1.1. DPT(Double Patterning Tech) 공정용 희생막 재료 1.2. HCDS(Hexa ChloroDi silane) : 저온 공정용 SiO/SiN 전구체 > 디램 및 낸드에 적용중 1.3. ACL(amorphous Carbon Layer) : 식각공정용 하드 마스크 필름용 소재 1.4. High-K : 디램(DRAM) 캐패시터의 유전막 재료, 공정 미세화에 의해 사용량 증가중, DDR5 생산 증가에 따라서 성장이 예상 ( HKMG(High K Metal Gate) 공정 ) 2. DDR5 출하로 성장 예상
엔젯 0. History 0.1. 대표 변도영 0.2. 2009년 설립 http://www.enjet.co.kr 1. 사업 분야 1.1. 초정밀 잉크젯 프린팅 전문기업 1.1.1. 유도전기수력학(EHD: Electro Hydro Dynamics) 기술 개발 및 상용화 1.1.1.1. EHD 프린팅 솔루션과 코팅 솔루션 제공 1.1.1.2. EHD 프린팅과 코팅 장비 및 모듈과 노즐, 잉크, 시스템까지 장비, 부품 및 소재까지 모두 공급 * EHD 프린팅 기술 : 전기력을 이용, 유체 흐름 제어. : 전기장을 이용, 잉크 액적이 기판상 목표물에 정확한 점착 가능. ** 효과 > 3D 구조물 또는 초미세 패턴 구현 가능 >> 디스플레이, 반도체, PCB등 산업에 적용 >> 점점 미세화 공정이 적용되는 반도체 및 ..
램테크놀러지 1. 반도체 화학소재 업체 2. 시설투자 결정 (200억원) @금산 2.1 반도체용 질화막식각액에 대한 자동화 생산 설비 증설 2.2 종합분석센터 구축 2.3 산화막식각액 설비 증설 2.4 고선택비 질화막식각액 설비 보완 * 고선택비 질화막 식각액 : HSP(High Selectivity Phosphoric acid)
국내 반도체 기업 , 미국 현지 투자 삼성전자 1. 파운드리 공장 건설 1.1 2024년 가동 목표 1.2 미국 텍사스주 테일러 (기존 오스틴 파운드리 공장 : 14나노 공정) 1.3 텍사스주에 향후 20년 동안 11개의 생산공장 건설 계획 SK하이닉스 2. 미국에 첨단 패키징 제조시설 건설 계획 2.1 미국에 220억 달러 투자 계획 : 반도체 연구·개발(R&D) 협력 : 메모리 반도체 첨단 패키징 제조시설 등에 투자 * 기존 SK하이닉스 패키징 공정 : 경기 이천 공장 및 중국 충칭 공장 : 적층 작업 등 첨단 패키징은 이천에서 진행
켐트로스 0. 사업영역 0.1. 2차전지 전해액 첨가제 0.2. 반도체공정소재 0.3. 디스플레이소재 등 1. 전기차 리튬이온 배터리 전해액 첨가제 국산화 성공 1.1. 리튬이온 이동 및 안정성 확보하는 역할 1.2. 충전 용량 및 난연성 확보하면서 과충전 방지, 수명, 안정성 개선 역할 1.3. 기존 일본 기업이 원천기술 특허 소유 >> 국내 배터리 업체는 일본산 고가 첨가제 사용 1.4. 켐트로스 2차전지 전해액 첨가제 개발 및 추가 특허 등록 >> 국산화 2. 2차전지 전해액 첨가제 > 국내 전기자동차 납품 ( 켐트로스 >> 솔브레인 >> 현대차 등) * 리튬이온전지 : 리튬염 전해질 사용하는 고성능 2차전지 : 양극활물질(Cathode) / 음극활물질(Anode) / 전해액(Electrolyte) / 분리..
서진시스템 + 사업영역 1.1 통신장비 사업 >가격 경쟁력 확보
IBM - 세계 최초 3D 적층 기술 개발IBM & 도쿄일렉트론(TEL) IBM & 도쿄일렉트론(TEL) + 300㎜ 실리콘 웨이퍼 3차원(3D) 적층 기술공정개발 . 세계 최초 +> 칩 적층 방식을 통해 반도체 제조 방식 간소화 기대 ++ > 반도체 칩 공급난 해소 기여 전망 잘 깨지는 위험요소 + 위험요소 해결 - 기존 방안 : 실리콘 웨이퍼를 유리 캐리어 웨이퍼에 잠시 부착 후 생산 공정 진행 >> 자외선 레이저로 두 웨이퍼 분리 >>> 물리적인 힘에 의한 결함 발생 가능성 및 생산량 감소하는 잠재적 위험요소 발생 + 특정 부피에 집적되는 트랜지스터(반도체 소자) 수 증가시킬수 ..

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