Material (90) 썸네일형 리스트형 TEMAHf Tetrakis(ethylmethylamido)hafnium(IV) Application : DRAM & Flash Dielectric 반도체 DRAM의 Capacitor 제조공정에서 사용. ALD 공정을 통한 HfO2 박막 증착의 용도로 사용. Chemical Name : TEMAHf [Tetrakis(ethylmethylamido)hafnium(IV)] Formula : C12H32HfN4 Molecular Weight : 410.90 g/mol Boiling Point : 288 ℃ Vapor pressure : 0.004 torr / 20℃ Density : 1.324 g/mL Phase at 25℃ : Colorless to pale yellow liquid TEMAZr TEMAZr Tetrakis(ethylmethylamido)zirconium(IV) Zr (지르코늄) precursor 반도체 DRAM Capacitor 제조공정에 사용. ALD 공정에서 ZrO2 박막 증착 용도. DRAM & Flash Dielectric Chemical Name : TEMAZr [Tetrakis(ethylmethylamido)zirconium(IV)] Formula : C12H32N4Zr Molecular Weight : 323.63 g/mol Boiling Point : 297℃ Vapor pressure : 0.005 torr/20℃ Density1.049 g/mL Phase at 25℃ : Colorless to pale yellow liquid 베벨 (Bevel @Wafer) Bevel ??? -웨이퍼 상단 가장자리 2-3mm 영역 -상단 베벨, 정점, 하단 베벨 및 웨이퍼 하단 가장자리의 5개 영역으로 구분 Bevel 관련 이슈 -웨이퍼 균열 및 치핑을 방지하기 위해 베벨 영역의 연마 필요 -Bevel 영역에서 재료는 불균일한 두께로 증착됨 또한 다양한 속도로 에칭됨. -에칭시, 이들 재료 중 일부는 가장자리에서 부적절하게 제거될 수 있고 일부 잔류 입자 또는 에칭 중합체는 웨이퍼의 베벨 또는 후면으로 다시 떨어질 수 있음. 이러한 입자와 재료의 축적은 웨이퍼의 박리 또는 결함으로 이어져 수율감소의 원인이 될수 있음. -웨이퍼 중심과 웨이퍼 가장자리 사이에는 스택 증착 및 두께 변동성이 존재하게 됨. 반도체 기술의 크기가 축소됨에 따라 3D NAND 플래시에서는 공정 통합 .. TDMAT TDMAT : Tetrakis(dimethylamido)titanium(IV) Application : DRAM High-k & Barrier & Metal, OLED Encapsulation Chemical Name : TDMAT [Tetrikis-Dimethylamino Titanium] Formula : Ti[N(CH3)2]4 Boiling Point : 50℃ Vapor pressure : 0.08torr/ 20℃ Density0.96 g/mL Phase at 25℃ : Yellow Liquid BTBAS : Bis(tert-butylamino)silane Application : DRAM & Flash DielectricChemical Name : BTBAS [Bis(tertiarybutylamino) Silane] Formula : [(CH3)3CNH]2SiH2 Molecular Weight : 174.86g/mol Boiling Point : 167℃ Vapor pressure : 1.15torr/20 ℃ Density0.816 g/mL Phase at 25℃ : Colorless Liquid DIPAS DIPAS Diisopropylamino Silane Application : DRAM & Flash Dielectric, OLED Encapsulation Chemical Name : DIPAS [Di-isopropylamino Silane] Formula : H3Si[N{(CH)(CH3)2}] Molecular Weight : 131.29 g/mol Boiling Point : 116℃ Vapor pressure : 23torr/20℃ Density : 0.756 g/mL Phase at 25℃ : Colorless Liquid TGA 곡선 열 반응으로부터 수집된 열 중량 데이터는 x축의 온도 또는 시간에 대한 y축의 질량 또는 초기 질량의 백분율의 플롯. TDMAS TDMAS (Tris(dimethylamino)silane) DRAM & Flash Dielectric Chemical Name : TDMAS [Tris-Dimethylamino Silane] Formula : HSi((N(CH3)2)3 Molecular Weight : 161.32 g/mol Boiling Point : 142℃ Vapor pressure : 3.5torr/ 20℃ Density : 0.88 g/mL Phase at 25℃ : Colorless Liquid BDEAS Bis(diethylamino)silane Application : DRAM & Flash Dielectric Chemical Name : BDEAS [Bis-Diethylamino Silane] Formula : H2Si((N(C2H5)2)2 Molecular Weight : 174.4 g/mol Boiling Point : 188℃ Vapor pressure : 4.0torr/ 20℃ Density : 0.811 g/mL Phase at 25℃ : Colorless Liquid 이전 1 2 3 4 5 6 ··· 12 다음
