Material (90) 썸네일형 리스트형 AL1050 및 AL1xxx Alloy AL1xxx Alloy (알루미늄) + 강한 내식성을 가진 알루미늄 합금 중에서도, 1xxx 합금 그룹은 독보적인 내식성 1. AL1050 Alloy 1.1 특성 • 고순도 알루미늄 • 비열처리 • 연성 우수 • 냉간 가공성 우수 • 내식성 우수한 • 용접성 우수 (MIG / TIG 용접) • 납땜 성능 우수 • 화학 및 전해 미백에 적합 • 아노다이징 품질 우수 • 고반사 마감 1.2 응용 분야 : 최대 연성 및 적당한 강도가 필요한 분야 일반 판금 작업 건축용 플래싱 케이블 외장 화학 처리 공장 장비 선박 가전 제품 램프 반사경 식품 산업 용기 등.. 2. 기타 AL1xxx Alloys 2.1 AL1060 Alloy 2.1.1 특성 용접성 우수 성형성 우수 내식성 우수 비교적 저강도 / 고순도 합금 .. 프리커서(Precursor) 프리커서(Precursor) ? : 우리말로 전구체, 반도체 소자 제조 공정 중 박막 증착 용도로 사용되는 물질 : 화학적인 관점에서 유기금속 화합물로 분류 *' 박막 증착’ ? : "반도체 제조 공정"을 집 짓는 과정과 비유 : 집짓는 과정 :: 설계 > 지반공사>- 집의 구조 쌓아 올림 (=박막증착, 프리커서는 그 쌓아 올리는 재료) 프리커서 분류 + low-k(저유전율) : k값=4 기준, k값 4 이하 물질 + high-k(고유전율) : k값=4 기준, k값 4 이상 물질 ** k값 : 물질의 전하를 저장 정도를 의미 : k값 수치가 높을수록 더 많은 전하 저장 *** DRAM Case > Capacitor : high-k 물질 사용 > 배선 사이의 절연막 증착 : low-k 물질 사용 : 배선과.. 원자층 증착법 - 분자 흡착 메커니즘 * 원자층 증착법 : 분자의 자기 제한 표면 반응(self-limiting) 기반의 박막을 원자 단위로 증착하는 방법 + 매우 얇은 원자 단위 두께 층을 실리콘 웨이퍼등의 평평한 물질에 소자 손상 없이 균일하게 증착 가능 > 적용범위 : 반도체, 디스플레이 분야뿐만 아니라 나노 신소재, 바이오와 에너지 등 Al(CH3)xCl3-x시리즈 중 [Al(CH3)3] & [AlCl3] : 분자 사이즈 서로 유사 , 반응성 서로 다름. + Al(CH3)3 분자 : 분자 반응성 큼 / 여러 단계 거쳐 표면과 반응 + AlCl3 분자 : 분자 반응성 낮음 / 1종 리간드만 표면과 반응, 표면 덮힘률 낮고, 박막 성장률 낮음 Al(CyH2y+1)3 시리즈 [Al(C2H5)3] : 반응성 유사, 분자 사이즈 다름 + Al.. CZTS 태양전지 / 태양전지 : 태양의 빛 에너지를 전기 에너지로 변환시켜 전기를 발생 + 지속가능한 신재생 에너지 / CZTS 박막 태양전지 ++ 가격 저렴 ++ 독성 거의 없는 구리, 주석, 아연을 주요 소재로 사용 ++ 대량생산 용이 ++ 휘어지는 성질 >> 다양한 어플리케이션 확장 -- 하부 전극 부근 다양한 크기의 구멍 발생 등(흡수층 하부 기공 결함) 여러 결함들의 해결책 필요 + 기공 결함 억제 및 제어 기술 개발 : CZTS 흡수층을 구리, 아연, 주석 등 임의 순서로 코팅 후 고온에서 황과 셀레늄과 반응시켜 제작 >> 제일 먼저 아연 코팅시 큰 기공 형성되지 않음 확인 >> CZTS계 박막태양전지 발전 효율 개선 316L 스테인리스강 316L 스테인리스강 316L 오스테나이트 스테인리스강 : 316 의 저탄소 버전, Mobliden 추가 > 용접성을 향상 > 내식성(공식, 틈 부식, 내해수성) 향상 >>해수 응용 분야에 사용 용융방식 1) AOD (Argon Oxygen Decarburization) a. 스테인레스 대부분에 적용 2) AOD - VAR 3) VIM (Vacuum Induction Melt) - VAR (Vacuum Arc Remelted) a. 고청정, 용해 (溶解 : dissolution),정련 (精鍊 : refining) 으로 생산된 강재 b. 우주 항공, 의료기기, 청정강 c. VIM (Vacuum Induction Melt : 진공 유도 용해) > 불순물 제거 d. VAR (Vacuum Arc Remelted.. SiCl4 SiCl4 Silicon Tetrachloride Application : DRAM & Flash Dielectric Chemical Name : STC [Silicon Tetrachloride] Formula : SiCl4 Molecular Weight : 169.89 g/mol Boiling Point : 58 °C Vapor pressure : 195 torr / 20℃ Density : 1.483 g/mL Phase at 25℃ : Colorless liquid 배터리 4가지 주요 구성요소 1. 양극재 -니켈 함량 및 안정성을 위한 코팅 기술, 다결정 대신 단결정을 사용된 하이니켈 양극재 -코발트를 대체하는 망간 또한 단결정과 함께 표면 처리 기술필요. 2. 음극재 -현재 주로 사용되는 흑연계(천연‧인조) 음극재. 이론적인 최대 용량이 372밀리암페어(mAh)/g에 불과합니다. -실리콘 이용시 다소 개선. (5% 정도 첨가). -산화규소(SiO×)계, 질화규소(SiN×)계, 리튬메탈, 리튬티타늄 화합물(LTO) 등이 대안. 3. 도전재 -양극과 음극 활물질(양극재, 음극재)과 집전체(동박, 알루미늄박) 사이에 적용되는 소재. -활물질(양‧음극재)과 집전체(동박, 알루미늅박)의 전기전도성 향상시키는 역할 -탄소나노튜브(CNT)가 각광받고 있음, 반드시 분산 기술(분산액)이 필수. 4. 전해질.. TiCl4 TiCl4 TiCl4 (Titanium Tetrachloride) Application : DRAM & Flash Dielectric Chemical Name : TiCl4 [Tetra-chloro Titanium] Formula : TiCl4 Molecular Weight : 189.71g/mol Boiling Point : 136℃ Vapor pressure : 10torr/20 ℃ Density : 1.730 g/mL Phase at 25℃ : Colorless Liquid 이전 1 2 3 4 5 ··· 12 다음
