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유진테크
2021년 말부터 10nm급 D램 공정용 'TiN-ALD 장비' 개발 시작
( * 티타늄 나이트라이드 원자층 증착 장비)
: D램 내부 커패시터 전극막 형성을 위한 장비
(D램의 셀(Cell)은 하나의 트랜지스터와 커패시터로구성. 커패시터는 전기가 통하지 않는 절연막의 양 극단을 전기가 통하는 전극막이 감싸는 구조.)
반도체 공정의 급격한 미세화로 D램의 칩 사이즈가 지속적으로 작어짐, 전극 및 절연층 두께는 더 얇고 균일하게 증착하는 것이 중요해지는 중.
TiN?
티타늄과 질소 결합 소재.
경도 및 내식성 높으며, 전기 전도성 뛰어남.
전기 회로에서 전하 저장 커패시터(축전기), 산화막과 구리(Cu)·알루미늄(Ti) 등 금속선 간의 혼합을 막는 확산방지막(Metal Barrier) 등에 사용.
ALD?
원자층을 한 층씩 쌓아올려 막을 형성하는 방식.
기존 PVD (물리기상증착), CVD (화학기상증착) 대비 더 얇은 막의 정밀한 증착 가능.
표면 한 층이 포화된 이후, 원료 물질이 주입되더라도 더 이상 박막이 형성되지 않는 '자기 제어' 특성으로 신뢰성 높음
유진테크 기존 ALD?
2021년 ALD 장비 개발 및 삼성전자 D램 라인에 제품 공급 완료.
해당 장비는 커패시터 주요 절연막 소재 실리콘나이트라이드(Si3N4) 증착용도.
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