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TEL- 극저온 식각 장비, 식각 가스 HF 사용 일본 도쿄일렉트론(TEL)의 극저온(Cryo) 식각 장비 1. 2023년 공개한 차세대 식각 장비 2. 극저온(칠러 온도 기준 영하 70℃) 에서 식각 공정 진행 2.1. 기존 식각 장비 공정 온도: 0℃에서 30℃ 수준 3. 기존 장비 대비 채널홀 식각 속도 3배 이상 개선 3.1. 10마이크로미터(㎛) 식각 / 33분 4. 10세대 낸드 이후, 극저온 식각 장비 본격 사용 전망. 5. 탄소 배출량 대폭 절감 예상. 5.1. 불화수소 가스 사용을 통해 기존 식각 공정 대비 탄소 배출 최대 84% 절감 전망. 6. 식각 가스로 불화수소(HF) 활용 6.1. 극저온 식각 공정 진행 시 패시베이션(Passivation) 레이어가 탄소(C) 없이 생성 가능. 6.2. 패시베이션 레이어: 채널홀 측면의 화학 반..
피에스케이홀딩스 (PSK Holdings)- 리플로우 장비 피에스케이홀딩스 1. 2024년 3월 마이크론에 리플로우 장비 공급 2. HBM 양산용 3. 마이크론- 대만으로 공급 4. 마이크론에서 평가 진행중, 결과에 따라 하반기 추가 공급 가능
중국 반도체 산업- 구형 공정 집중 중국 반도체 산업- 구형 공정 집중 1. 중국 반도체 투자 1.1. 28나노미터(㎚·10억분의 1)급 공정에 집중. 1.2. 구형 반도체 수요는 전체 반도체 시장의 75% 정도, 높은 비중 차지 1.3. 자동차나 5G 분야에서 활발하게 사용중 1.4. SMIC 1.4.1. 세계 파운드리 5위 1.4.2. 7nm, 14nme 등 미세공정 라인을 28나노 공정으로 전환 및 2023년 하반기 양산 시작 1.5. 상하이마이크로일렉트로닉스(SMEE·上海微電子裝備) 1.5.1. 중국 국영 반도체 기업 1.5.2. 2023년 28나노급 노광장비 개발 성공, 중국 반도체의 전 공정 국산화에 기여 전망 * 삼성, TSMC 등: 현재 2 nm 공정연구에 집중. * TSMC 28나노 공정, 2011년 시작 * 삼성전자 28..
하프늄 옥사이드 하프늄 옥사이드 1. 하프늄옥사이드 : 수 nm에서도 강유전성이 큰 특성 1.1. 다른 대부분 물질은 50nm에서 급격히 강유전성 감소 1.2. 하프늄옥사이드의 강유전성 증가에는 복잡한 후처리 과정 (전기장을 여러 회 가하는 등) 필요. 1.3. 후처리 과정의 각 공정 조건에 따라 강유전성에 큰 차이발생, 이로인해 실제 공정에 적용하기 난해. 2. 이온빔 이용, 하프늄옥사이드 강유전성 향상 방법 개발 2.1. 이온빔을 하프늄옥사이드에 적용 시 강유전성이 3배 이상 증가. 하프늄옥사이드의 산소 결함 밀도와 연계된 결정구조 변화가 강유전성을 증가시킴. 2.2. 하프늄옥사이드의 강유전성은 산화물 재료 결정구조에서 산소 원자가 빠진 자리를 뜻하는 ‘산소 공공’과 연관. 하프늄옥사이드에 이온빔을 쏘는 것만으로 산..
반도체용 유리기판 1. 유리기판 1.1. 높은 제작 난이도 및 높은 제조단가로 인해 현재까지 어려움 존재 1.2. ‘인공지능(AI) 붐’ 으로 인해 고성능 반도체 필요성 증가 1.3. 현재보다 더욱 세밀한 회로의 수요 증가 1.4. 실리콘, 유기 소재보다 매끄러운 표면은 더 많은 회로 집적에 유리 1.5. 전기신호 전달 성능과 전력 효율 우수 1.6. 유리기판의 구현 가능 선폭 : 5um(마이크로나노미터) 미만, 유기기판(8~10um)의 절반 수준 1.7. 2026년, 반도체 제조에 적용 예상 1.7.1. AMD: 앱솔릭스 포함, 여러 업체 유리기판 샘플 평가중 1.7.2. 애플: 차세대 반도체 기판을 유리기판 적용 검토중 1.7.3. 인텔: 유리기판 자체 개발 중. 2023년 9월 유리기판 적용 반도체 시제품 공개 1...
피에스케이와 램리서치간 특허 소송 최종심 피에스케이 (PSK) 와 램리서치간 특허 소송 최종심 1. 베벨에처 관련 특허 2. 피에스케이 일부 승소 3. 피에스케이 2건 승소 / 1건 패소 3.1. 피에스케이 승소 소송 2건 3.1.1. 2023후11500(2심:2022허6570) 3.1.2. 2023후11197(2심:2022허4994) 3.1.3. 심리불속행기각 3.2. 피에스케이 패소 소송 3.2.1.2023후11425(2심:2022허6587) 3.2.2. 심리불속행기각 4. 잔여 특허 소송 : 3건. 판결결과는 2024년 중 결론 예정 5. 램리서치 베벨 에처 5.1. 최초 국내 기업 소슬이 관련 특허 보유 5.2. 참엔지니어링의 소슬 인수, 5.3. 램리서치의 참엔지니어링 베벨 에처 사업 인수후, 5.4. 램리서치가 최종 보유 6. 피에스..
디케이락 디케이락 1. 계장용 피팅(Fittings), 밸브 (Valve) 제조업체 2. 무산화 백 페럴(피팅 구성부품) 등 자체 개발품을 통한 성장 예상 3. 정유·화학, CNG(압축천연가스)·LNG(액화천연가스), 반도체, 수소산업, 항공 등 산업설비용 배관 3.1. 반도체 생산설비 피팅 공급 지속 및 증가 3.1.1.현재 SK하이닉스 벤더 업체로 매출 증가 지속 3.1.2. 삼성전자, 램리서치 등으로 협력업체 등록 및 공급 추진 중 3.2. 수소 전기차와 충전소, LNG벙커링 기자재 등 그린 경제 제품 라인업 확대 3.2.1. 수소차 넥쏘에 8종의 연료 배관 관련 부품 공급 3.2.2. 두산퓨얼셀 등에 수소연료전지용 피팅 등 공급 3.2.3. 북미, 유럽, 중동 등 관련 시장(에너지 사업구조 변화, 친환경,..
국내 반도체 기업- 미국진출 1. 삼성전자- 테일러 공장 1.1. 4나노급 반도체 생산 1.2. 텐스토렌트(캐나다 ), 그로크(미국) 등과 인공지능(AI) 반도체 계약 논의 1.3. 14~65나노급의삼성전자 오스틴 공장(1996년 설립)과 대비 최신 공정 도입 예정 1.4. 향후 2~3나노 등까지 대응 계획 1.5. 네덜란드 ASML EUV 노광장비 등 첨단 설비가 투입 2. 동진쎄미켐 2.1. 반도체 웨이퍼 세정 용도의 황산과 시너 공장을 킬린시에 건설 2.2. 두 공장 건설에 각각 1억달러를 투자 2.3. 2025년 2분기 내 완공 목표 2.4. 삼성전자 파운드리(오스틴·테일러) 대응 2.5. 미국 현지 잠재고객 확대 전망 2.6. 미국 텍사스주의 현지 반도체 기업을 지원 프로그램, ‘텍사스 반도체 혁신 컨소시엄 집행 위원회’(..

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