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2021/01

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반도체 용어 설명 NP - Nano 단위(10-9). Nanometer 10억분의 1미터 -NMOS(Negative-channel Metal Oxide Semiconductor) NMOS는 70년대와 80년대 초에 반도체 칩을 만드는데 있어서 주도적인 기술로 선호되었음. - Non-Volatile Memory 비휘발성 메모리. 전원을 끊어도 지워지지 않는 Memory. 반도체의 Memory에 기억했던 data는 일반적으로 전원을 끊으면 지워져버림. 그렇기 때문에 data를 지우지 않기 위해서는 hard disk나 floppy disk 등의 다른 media로 옮기든가 반도체의 memory를 battery로 back up 해두어야 함. 그러나, 특수한 구조(NMOS 등)로 하면 전원을 끊더라도 지워지지 않는 Memory가 가능함...

반도체 용어 설명 KLM - KGD(Known Good Die) 멀티칩 모듈 내에 Bonding 준비가 돼 있는 완전히 테스트된 칩 - Laser Test 수율(Yield) 향상을 위해 Fuse를 Laser로 끊어내는 작업. - LCD(Liquid Crystal Display) 액정(liquid crystal)을 이용한 문자나 숫자 표시판으로 두 개의 유리판 사이에 액정을 넣고 전압에 의하여 원하는 문자를 표시하도록 한 장치. - Lead Frame TR, diode, I.C 등의 반도체 제품을 조립시 Sawing된 Die를 Attach 시키는 머리빗 모양으로 정형된 얇은 금속판. 재질별로 Alloy 42, Copper, Kovar, Steel 등으로 구분되며 형태별로는 IDF와 TTT형이 있음. - LED(Light Emiss..

반도체 용어 설명 GHI - GaAs(Gallium Arsenide) 화합물 반도체로서 초고속 장치에 사용되며, 고주파에서의 이득과 대역폭 특성이 양호하여 차세대에 Silicon 대신 많이 이용되는 물질. Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체의 대표적인 재료로 Si에 비해서 결정내의 전자이동이 5∼6배 빨라 초고속·초고주파 device에 적합함. UHF나 SHF의 GaAs FET, micro파 analog IC, 적외선 발광 Diode, 반도체 laser, Hall 소자, 태양전지 등에 이용되고 있음. - GaAs IC GaAs을 이용한 초고속 IC. SPAR Computer나 통신분야에 기대되는 IC로써 현재 Memory와 Gate Array를 중심으로 고집적화 개발이 진행되고 있음. 또한, GaAs 광 IC의 연구도 활발하게 진행되고 있음..

반도체 용어 설명 EF - EDO(Extended Data Output) DRAM의 data access 방법중 fast page mode의 개선을 위하여 나타난 것으로 일반적인 동작방법은 /CAS signal이 inactive high로 전환시 valid data가 다음 /CAS signal의 low active 전까지 data가 출력되도록 설계되었음. 이러한 동작특성은 fast page mode의 전체적인 tPC(fast page mode cycle)를 줄일 수 있으므로 speed 개선효과를 얻을 수 있음. 일반적으로 비디오 카드 성능개선에 적용되고 있음. - EDRAM Enhanced DRAM(Trademark of Enhanced Memory Systems, Inc) - EEPROM(Electrically Erasabl..

반도체 용어 설명 D - D-A (Digital to Analog Converter) 디지털 신호를 입력으로하여 Analog 신호를 출력으로 꺼내는 회로를 말함. - DA(Die Attach) Die를 Lead Frame에 접착시키는 공정 - DAC (Digital to Analog Converter) Digital 신호를 Analog 신호로 변환하는 변환기. Hi-Ai음악용 CD player에도 16bit D/A convertor가 사용되고 있음. - Data Retention Mode 휘발성 메모리(DRAM/CRAM)에 데이터를저장하는 형태로 일반적으로 시스템 power-off 직후 battery back-up circuit에 의해 데이터가 메모리 제품에 기억될 수 있도록 하는 최소한의 입력 조건의 상황. - CDR(Do..

반도체 용어 설명 BC - Bake Wafer를 열을 이용하여 굽는 것으로 Pre-Bake, Hard-Bake, Soft-Bake가 있음. 1) Pre-Bake : Wafer에 Resist를 도포하기 전에 Wafer 표면의 습기를 제거하여 150±10의 Oven에서 Wafer를 굽는 것. 2) Hard-Bake : Etch전 Wafer 표면의 Resist를 굽는 것. 3) Soft-Bake : 적외선을 이용하여 Photo-Resist를 굳혀 주는 것. - B/B Ratio(Book to Bill Ratio) 수주 대 출하 비율. 최근 3개월 평균 수주액을 3개월 평균 출하액으로 나눈 값. 일반적으로 WSTS(세계반도체 무역통계)의 통계 Data를 기본으로 한 반도체 수급상황을 나타내는 지표를 가리킴. 특히 미국시장 B/B Ra..

반도체 용어 설명 A - Abrasive 성형완료된 PKG나 리드프레임에 잔존하는 수지 피막을 제거하기 위해 사용된 연마제. - Accel Mode 이온 주입시 가속에너지를 가해준 상태에서 주입하는 형태(에너지 범위 32-200KeV). - AC Characteristic Device가 동작시 갖고 있는 특성중 입출력 파형의 Timing과 관련한 여러 가지 특성들을 말함. - Access 메모리 Device에 Data를 저장하거나, 저장된 Data를 읽어내기 위하여 Device의 외부에서 미리 약속된 방식으로 Signal을 가하여 메모리의 특정 번지를 찾아가는 행위. - Access Time 1) 반도체 소자에서 기준 입력 신호로부터 출력 Data가 나오는 시간까지를 말하며 기준신호에 따라 tRAC(Access Time Fr..

반도체 - 박막 별 적용 Process Gas 반도체 - 박막 별 적용 Process Gas 박막(반응생성물) Process Gas Process Gas 특성 부산물 절연막 유전막 또는 보호막 SiO2 SiH4 SiH2Cl2 Si(OC2H5) + O2,NO2,H2O 발화성,독성,악취 발화성,독성,부식,악취 HCl(부식성) PSG (SiO2,P2O5) SiO2원료 + PH3 발화성,독성,자극취 BPSG(SiO2,P2O5,B2O3) PSG원료 + B2H6 발화성,독성,자극취 Si3N4 SiH4 SiH2Cl2 + NH3,N2b) NH4Cl (백색 입자) Ta2O5 TaCl5+N2O+H2 배선 Al Al(C4H9)3 W WF6+H2 독성,부식, 자극취 HF(독성) 게이트전극 WSi WF6+SiH4+H2 차폐막 TiN N2 반도체막 Si SiH4 GaAs G..

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