반도체 - 박막 별 적용 Process Gas

반도체 - 박막 별 적용 Process Gas

	박막(반응생성물)	Process Gas	Process Gas 특성	부산물
절연막 유전막 또는 보호막	SiO2	SiH4 SiH2Cl2 Si(OC2H5) + O2,NO2,H2O	발화성,독성,악취 발화성,독성,부식,악취	HCl(부식성)
	PSG (SiO2,P2O5)	SiO2원료 + PH3	발화성,독성,자극취
	BPSG(SiO2,P2O5,B2O3)	PSG원료 + B2H6	발화성,독성,자극취
	Si3N4	SiH4 SiH2Cl2 + NH3,N2b)		NH4Cl (백색 입자)
	Ta2O5	TaCl5+N2O+H2
배선	Al	Al(C4H9)3
	W	WF6+H2	독성,부식, 자극취	HF(독성)
게이트전극	WSi	WF6+SiH4+H2
차폐막	TiN	N2
반도체막	Si	SiH4
	GaAs	Ga(C2H5)3+AsH3	맹독성,자극취

 

반도체공정 별 가스
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