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2021/01

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반도체 주요 공정 가스(Process Gas) 및 허용농도 반도체 주요 공정 가스(Process Gas) 및 허용농도 Process Gas Description 분자식 허용농도(TLV치) 노출기준 (TWA) ETCH 염소 Cl2 1 1 (노동부고시) 염화수소 HCl 5 C5 (노동부고시) 3염화붕소 BCl3 5 불소 F2 0.1 0.1 (노동부고시) 4염화규소 SiCl4 5 브롬수소 HBr 3 C3 (노동부고시) 6불화유황 SF6 1000 1000 (노동부고시) 불화메탄 CHF3 3 4염화탄소 CCl4 10 3불화염소 ClF3 3 3불화질소 NF3 10 불화수소 HF 3 C3 (노동부고시) 4불화규소 SiF4 3 프레온12 CCL2F2 3 4브롬규소 SiBr4 3 브롬불화탄소 CF3Br 3 8불화프로판 C3F8 3 PECVD LPCVD 시란 SiH4 0.5 지시..

반도체 주요 제조공정 및 장비 특성 반도체 제조공정 및 장비 특성 구분 박막형성 식각 이온주입 플라즈마 CVD 열CVD 스퍼터 MBE 도달압력 mbar 10 -4 10 -4 10 -8 10 -11 10 -5 10 -8 운전압력 mbar 10 -2∼10 0.1∼1(LPCVD) 2∼500(MOCVD) 10-2∼10-3 10-3∼10-8 5∼5x10-3 10-5 기체유량 mbar l/s 0.5∼100 0.25∼100(LPCVD) 1000∼5000(RPCVD) 100∼10000(MOCVD) 0.1∼1 - (고체) 3∼30(기체) 0.1∼2 ~1 공정기체 예 Si(SiH4,SiH2Cl2)+(Ar,H2) SiO2: SiH4+(O2,N2O) Si3N4: SiH2Cl2+NH3 Al: Al(C4H9)3, AlCl3+H2 W: WF6+H2 Ar Ar+ O2..

식각공정 종류 및 Gas 식각공정의 종류 및 Gas 구 분 공정특성 식각대상 및 반응기체 특징 화학 식각 기판손상 없음 등방적 선택적 Si GaAs SiO2 photoresist HCl,SF6 HCl,AsCl3 ClF3,BrF3 IF5 F2/H2+UV UV+O3 고온 고온 상온 상압 ~300℃ 물리 식각 이온밀링(ion milling 또는ion beam etching) 이온원+반응실 모든 박막a) Ar,He 이방적 비선택적 다층막 식각 스퍼터링(sputtering) 플라즈마실과 반응실이 동일 화학 + 물리 식각 플라즈마 식각(plasma etching) 반응기체를 플라즈마화, 저이방성 10-1∼1000Pa Poly-Si, SiO2 PSG,BPSG Si3N4,TiN CF4/O2,SF6 CF4/H2,CH3F NF3 Cl2,CCl4 ..

반도체공정 별 가스 반도체공정 별 가스 특징 공 정 공정별 가스 부산물/배기처리 처리문제 분자식 가스 특징 Etch Metal Cl2 / BCl3 / SiCl4 CHF3 / SF6 기체 응고에 의한 Exhaust Blockages 수증기에 의한 Powder 발생 Toxic halogenated organic에 의한 부식 및 by products Dry 가스처리 시스템 사용 요망 Cl2 SiCl4 BCl3 SF6 T,C T,C T,C T,A Poly HBr / Cl2/ NF3 / SF6 유독성 부산물에 의한 강한 부식성 생성 수증기에 의한 부식성 증가 Dry 가스처리 시스템 사용 요망 HBr Cl2 NF3 SF6 T,C T,C T,O T,A Nitride HBr / NF3 / SF6 유독성 부산물에 의한 강한 부식성 생성 수..

반도체 Clean room - 설계 조건 및 등급 반도체 Clean room 환경 설계조건 항 목 기 본 성 능 조 건 청정도 Process Area: Class 1 (0.05μm) Service Area: Class100(0.1μm) 미량가스성분 Nox,Sox,HC등의 제어 알카리 금속 중금속 알카리 금속 이온(Na,K)의 제어 중금속 이 (Fe,Ni,Cu) 의 제어 온도,습도 신내환경 23±0.5℃(평면분포) 23±0.2℃(시간분포) 습도:45±3%(시간분포) 챔버 설정치±0.02℃(평면분포) 설정치±0.01℃(시간분포) 습도:변동폭±1%(시간분포) 압력 클린룸과 일반실과의 차압: ±1.5∼3.0mmAq 절대압력: 대기압 번동 보정 입자농도에 따른 공기 청정도 등급 Class 입 자 농 도 축 정 입 경 0.1 0.2 0.3 0.5 5.0 1 35 ..

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