Company (166) 썸네일형 리스트형 램테크놀러지 1. 반도체 화학소재 업체 2. 시설투자 결정 (200억원) @금산 2.1 반도체용 질화막식각액에 대한 자동화 생산 설비 증설 2.2 종합분석센터 구축 2.3 산화막식각액 설비 증설 2.4 고선택비 질화막식각액 설비 보완 * 고선택비 질화막 식각액 : HSP(High Selectivity Phosphoric acid) 국내 반도체 기업 , 미국 현지 투자 삼성전자 1. 파운드리 공장 건설 1.1 2024년 가동 목표 1.2 미국 텍사스주 테일러 (기존 오스틴 파운드리 공장 : 14나노 공정) 1.3 텍사스주에 향후 20년 동안 11개의 생산공장 건설 계획 SK하이닉스 2. 미국에 첨단 패키징 제조시설 건설 계획 2.1 미국에 220억 달러 투자 계획 : 반도체 연구·개발(R&D) 협력 : 메모리 반도체 첨단 패키징 제조시설 등에 투자 * 기존 SK하이닉스 패키징 공정 : 경기 이천 공장 및 중국 충칭 공장 : 적층 작업 등 첨단 패키징은 이천에서 진행 켐트로스 0. 사업영역 0.1. 2차전지 전해액 첨가제 0.2. 반도체공정소재 0.3. 디스플레이소재 등 1. 전기차 리튬이온 배터리 전해액 첨가제 국산화 성공 1.1. 리튬이온 이동 및 안정성 확보하는 역할 1.2. 충전 용량 및 난연성 확보하면서 과충전 방지, 수명, 안정성 개선 역할 1.3. 기존 일본 기업이 원천기술 특허 소유 >> 국내 배터리 업체는 일본산 고가 첨가제 사용 1.4. 켐트로스 2차전지 전해액 첨가제 개발 및 추가 특허 등록 >> 국산화 2. 2차전지 전해액 첨가제 > 국내 전기자동차 납품 ( 켐트로스 >> 솔브레인 >> 현대차 등) * 리튬이온전지 : 리튬염 전해질 사용하는 고성능 2차전지 : 양극활물질(Cathode) / 음극활물질(Anode) / 전해액(Electrolyte) / 분리.. 서진시스템 + 사업영역 1.1 통신장비 사업 >가격 경쟁력 확보 IBM - 세계 최초 3D 적층 기술 개발IBM & 도쿄일렉트론(TEL) IBM & 도쿄일렉트론(TEL) + 300㎜ 실리콘 웨이퍼 3차원(3D) 적층 기술공정개발 . 세계 최초 +> 칩 적층 방식을 통해 반도체 제조 방식 간소화 기대 ++ > 반도체 칩 공급난 해소 기여 전망 잘 깨지는 위험요소 + 위험요소 해결 - 기존 방안 : 실리콘 웨이퍼를 유리 캐리어 웨이퍼에 잠시 부착 후 생산 공정 진행 >> 자외선 레이저로 두 웨이퍼 분리 >>> 물리적인 힘에 의한 결함 발생 가능성 및 생산량 감소하는 잠재적 위험요소 발생 + 특정 부피에 집적되는 트랜지스터(반도체 소자) 수 증가시킬수 .. 테스-삼성 파운드리용 GPE 장비 퀄테스트 통과 테스 : 반도체 증착·식각장비 전문업체 + 2010년 메모리 GPE 장비 상용화 > 삼성전자, SK하이닉스 등에 공급 ++ 경쟁사 : 도쿄일렉트론(TEL) - - 메모리 GPE 장비 비율 (@SEC) : 도쿄일렉트론(TEL) vs 테스 = 6대 4 비율 + 파운드리 공정 가스페이즈에칭(GPE) 장비, 삼성전자 퀄테스트 최종 통과 - - 파운드리 공정 GPE 장비 : 일본 TEL 독점 * GPE 장비 : 불화수소 가스를 사용, 웨이퍼 표면 산화막 깎아내는 건식 식각장비 SK하이닉스 - DDR5 DRAM + DDR(Double Data Rate)5 D램 기반 CXL(Compute Express Link) 메모리 샘플 개발 > PCIe(Peripheral Component Interconnect Express) 5.0 지원 CXL 메모리 + 서버 플랫폼 메모리 용량 확장 가능. ( 기존 서버의 경우 메모리 용량 및 성능 고정) + 적용 범위 : 인공지능(AI)·빅데이터 등 고성능 연산 시스템 + 2023년 양산 예정 > 10나노미터(nm)급 4세대(1a) DDR5 24기가비트(Gb) D램 적용된 96기가바이트 (GB) 제품 * DDR5 : 새로운 D램 규격 : 한 클럭 사이클 동안 데이터 신호 2회 송수신 : 숫자 높을수록 2배씩 성능 개선 : DDR4 대비 2배 빠른 수준 * PCIe : 디지털 기기 메.. 원익아이피에스 GEMINI 장비 > GAA 3nm 파운드리 제품 생산에 적용 ++ PECVD 방식 신규 공정 적용 ++ EUV 공정 도입에 필요한 신규 박막을 PECVD 방식으로 성장시키는 공정 +++ SADP(Self-Align Double Patterning) 대응 +++ 저온용 하드마스크 고품질 유지 공정 기술 대응 이전 1 ··· 4 5 6 7 8 9 10 ··· 21 다음