Material (85) 썸네일형 리스트형 SiCl4 SiCl4 Silicon Tetrachloride Application : DRAM & Flash Dielectric Chemical Name : STC [Silicon Tetrachloride] Formula : SiCl4 Molecular Weight : 169.89 g/mol Boiling Point : 58 °C Vapor pressure : 195 torr / 20℃ Density : 1.483 g/mL Phase at 25℃ : Colorless liquid 배터리 4가지 주요 구성요소 1. 양극재 -니켈 함량 및 안정성을 위한 코팅 기술, 다결정 대신 단결정을 사용된 하이니켈 양극재 -코발트를 대체하는 망간 또한 단결정과 함께 표면 처리 기술필요. 2. 음극재 -현재 주로 사용되는 흑연계(천연‧인조) 음극재. 이론적인 최대 용량이 372밀리암페어(mAh)/g에 불과합니다. -실리콘 이용시 다소 개선. (5% 정도 첨가). -산화규소(SiO×)계, 질화규소(SiN×)계, 리튬메탈, 리튬티타늄 화합물(LTO) 등이 대안. 3. 도전재 -양극과 음극 활물질(양극재, 음극재)과 집전체(동박, 알루미늄박) 사이에 적용되는 소재. -활물질(양‧음극재)과 집전체(동박, 알루미늅박)의 전기전도성 향상시키는 역할 -탄소나노튜브(CNT)가 각광받고 있음, 반드시 분산 기술(분산액)이 필수. 4. 전해질.. TiCl4 TiCl4 TiCl4 (Titanium Tetrachloride) Application : DRAM & Flash Dielectric Chemical Name : TiCl4 [Tetra-chloro Titanium] Formula : TiCl4 Molecular Weight : 189.71g/mol Boiling Point : 136℃ Vapor pressure : 10torr/20 ℃ Density : 1.730 g/mL Phase at 25℃ : Colorless Liquid TEMAHf Tetrakis(ethylmethylamido)hafnium(IV) Application : DRAM & Flash Dielectric 반도체 DRAM의 Capacitor 제조공정에서 사용. ALD 공정을 통한 HfO2 박막 증착의 용도로 사용. Chemical Name : TEMAHf [Tetrakis(ethylmethylamido)hafnium(IV)] Formula : C12H32HfN4 Molecular Weight : 410.90 g/mol Boiling Point : 288 ℃ Vapor pressure : 0.004 torr / 20℃ Density : 1.324 g/mL Phase at 25℃ : Colorless to pale yellow liquid TEMAZr TEMAZr Tetrakis(ethylmethylamido)zirconium(IV) Zr (지르코늄) precursor 반도체 DRAM Capacitor 제조공정에 사용. ALD 공정에서 ZrO2 박막 증착 용도. DRAM & Flash Dielectric Chemical Name : TEMAZr [Tetrakis(ethylmethylamido)zirconium(IV)] Formula : C12H32N4Zr Molecular Weight : 323.63 g/mol Boiling Point : 297℃ Vapor pressure : 0.005 torr/20℃ Density1.049 g/mL Phase at 25℃ : Colorless to pale yellow liquid 베벨 (Bevel @Wafer) Bevel ??? -웨이퍼 상단 가장자리 2-3mm 영역 -상단 베벨, 정점, 하단 베벨 및 웨이퍼 하단 가장자리의 5개 영역으로 구분 Bevel 관련 이슈 -웨이퍼 균열 및 치핑을 방지하기 위해 베벨 영역의 연마 필요 -Bevel 영역에서 재료는 불균일한 두께로 증착됨 또한 다양한 속도로 에칭됨. -에칭시, 이들 재료 중 일부는 가장자리에서 부적절하게 제거될 수 있고 일부 잔류 입자 또는 에칭 중합체는 웨이퍼의 베벨 또는 후면으로 다시 떨어질 수 있음. 이러한 입자와 재료의 축적은 웨이퍼의 박리 또는 결함으로 이어져 수율감소의 원인이 될수 있음. -웨이퍼 중심과 웨이퍼 가장자리 사이에는 스택 증착 및 두께 변동성이 존재하게 됨. 반도체 기술의 크기가 축소됨에 따라 3D NAND 플래시에서는 공정 통합 .. TDMAT TDMAT : Tetrakis(dimethylamido)titanium(IV) Application : DRAM High-k & Barrier & Metal, OLED Encapsulation Chemical Name : TDMAT [Tetrikis-Dimethylamino Titanium] Formula : Ti[N(CH3)2]4 Boiling Point : 50℃ Vapor pressure : 0.08torr/ 20℃ Density0.96 g/mL Phase at 25℃ : Yellow Liquid BTBAS : Bis(tert-butylamino)silane Application : DRAM & Flash DielectricChemical Name : BTBAS [Bis(tertiarybutylamino) Silane] Formula : [(CH3)3CNH]2SiH2 Molecular Weight : 174.86g/mol Boiling Point : 167℃ Vapor pressure : 1.15torr/20 ℃ Density0.816 g/mL Phase at 25℃ : Colorless Liquid 이전 1 2 3 4 5 ··· 11 다음
