분류 전체보기 (517) 썸네일형 리스트형 트렌치 공법 (Trench method) 트렌치 공법 [Trench method] 반도체 칩 평면을 아래로 파내서 만든 공간에 셀을 배치해 집적도를 높이는 기술. 반도체의 용량이 커지면서 반도체 칩 평면에만 셀을 집적시키는 방식이 물리적 한계에 부딪히며 나온 방식이다. 셀을 위로 쌓아 올려 집적도를 높이는 ‘스택(stack) 공법‘과 셀을 아래로 파고 내려가면서 집적도를 높이는 ‘트렌치(trench) 공법’이 있다. 웨이퍼 표면을 아래로 파내서 지하층을 만들어 셀을 더 많이 집적시키는 트렌치 공법은 다소 안전하고 칩을 작게 만들 수 있다. 하지만 스택 공법에 비해 공정이 까다롭고 경제성이 떨어지며, 제품 불량이 발생했을 때 내부 회로를 확인하기 어려워 문제 해결이 어렵다. https://semiconductor.samsung.com/kr/sup.. 삼성전자- 차세대 낸드 개발 삼성전자 차세대 낸드 개발 1. 2024년 상용화 최신 버전: V8 (238단) 2. V9 (280단대 추정) 2024년내 양산 예정 3. V10, V11 제품 개발 진행 중 3.1 V10, V11 낸드 개발 TF(태스크포스) 조직 3.2 V10: 양산 평가 진행 중. 적층 수 430단대 3.3 V10부터 이전 '더블 스택'과 달리 '트리플 스택' 적용 3.4. V11: 목표 적층 수 570단 * 스택: 낸드 전체를 나눠 쌓는 횟수 * 430단 낸드, 트리플 스택으로 구현시 150단 + 150단 + 130단으로 구성 * 삼성전자 싱글 스택으로 최대 170단대 구현 가능 마모된 나사 /볼트 푸는 방법 마모된 나사 /볼트 푸는 방법 1. 다른 공구 사용, 툴 교체 1.1. 사이즈 다른 드라이버 (+/-) 1.2. 다른 렌치 (미터단위 / 인치단위 / 별렌치) 2. 툴과 렌치 사이에 얇은 고무 삽입 2.1. 고무 장갑 조각, 라텍스 장갑 조각 2.2. 마모로 인해 발생된 공간을 고무 막이 채우는 원리 3. 볼트머리를 통째로 잡고 풀기 3.1. 롱노즈 펜치 3.2. 바이스플라이어 4. 마모된 볼트머리에 다른 볼트 용접 5. 역탭 (히다리탭) 이용 마이크로웨이브 흡수 마이크로웨이브 흡수 특정 소재를 사용하여 2.45GHz 마이크로웨이브 흡수하는 방법 - 몇 가지 흡수 소재는 특정 주파수에서 전자기 에너지를 흡수하고 변환할 수 있음. 6.1.페라이트 (Ferrite) : 특정 주파수 범위에서 전자기파를 흡수하여 에너지로 변환합니다. 6.2. 흑연 (Graphite) : 흑연은 일부 전자기파를 흡수하고 전기 에너지로 변환할 수 있습니다. 6.3. **석영 (Quartz) : 일부 석영 소재는 특정 주파수의 전자기파를 흡수할 수 있습니다. 6.3.1. Silica Quartz (이산화 규소 Quartz) : Silica Quartz는 일반적으로 광학 및 전기적인 특성이 우수하며, 일부 특정 주파수의 전자기파를 흡수할 수 있습니다. 6.3.2. Fused Quartz (융합.. 마이크로웨이브 차단 마이크로웨이브 차단 방법 : 챔버 내부의 적절한 차폐 및 차폐 솔루션을 사용 1. 차폐 소재 사용: 마이크로웨이브 차단 기능의 특수 소재 사용, 각 반응기를 덮어 차단 1.1. 금속 메시 (Metal Mesh): 세밀한 금속 망 구조, 마이크로웨이브 차단에 사용 1.2. 페라이트 (Ferrite): 특정 주파수의 전자기파 흡수 또는 차단, 페라이트 필터 등이 활용 1.3. 기판 코팅 (Substrate Coating): 특정 종류 코팅 사용, 마이크로웨이브 차단 또는 흡수 유도 1.4. 알루미늄 포일 (Aluminum Foil): 알루미늄 시트 또는 테이프 등을 사용, 마이크로웨이브를 차단 1.5. 석영 (Quartz): 일부 석영 소재는 특정 주파수의 마이크로웨이브를 차단하거나 투과시킴 1.6. 폴리카.. 지오엘리먼트 지오엘리먼트 - ALD 증착 공정 캐니스터(Canister) 및 레벨 센서 생산 - Precursor (전구체) 기화 캐니스터, 초음파 레벨센서, 기화기 등 부품 및 모듈 제조 - 국내 기준 시장점유율 95% - 주요 고객사 : 주성엔지니어링 : 원익IPS : 삼성전자 : SK하이닉스 - EUV 노광장비 출하량 증가 >> ALD(Atomic Layer Deposition, 원자층 증착) 수요증가 * 캐니스터 - Precursor (전구체) 저장 및 기화 이송 - Precursor Level 정밀 측정용 레벨 센서 내장 - Precursor 의 온도 관리를 위한 히터 및 쿨링 부품 내장 F2 Gas F2 Gas 제품명: 불소(Fluorine Gas, F2) - 반도체 공정 세정용 가스 - 반도체, 디스플레이, 태양전지등 제조과정중 증착공정 끝난 후 CVD(Chemical Vapor Deposition) 장비 내부 세정용 특수가스 - 강력한 산화제 - 불연성 물질, 하지만 주변 화재 확대시킬 수 있음 H270 화재 유발 또는 화재 증폭 H280 고압가스 포함 ; 가열시 폭발 가능 H319 눈에 심한 자극 H330 흡입시 치명적 H361 태아 또는 생식능력 손상 유발 H370 호흡기, 간장, 신장 손상 유발 H372 장기간 또는 반복노출시 호흡기 손상유발 SK하이닉스-LPDDR5T LPDDR5T - SK하이닉스의 모바일용 저전력 D램 - 미디어텍(대만 반도체 기업)의 차세대 모바일 애플리케이션 프로세서(AP) 적용관련 성능 검증완료 - 동작 속도 : Max 9.6Gb / sec - 모바일 AP 기업 미디어텍에 샘플 제공 완료 이전 1 ··· 6 7 8 9 10 11 12 ··· 65 다음
