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거대 언어 모델 추론 연산 가속 AI 반도체 개발 (LPU) LPU 개발 > 챗GPT 가성비 2.4배 높이는 반도체 > KAIST 연구진 > 메모리 대역폭 사용 극대화 > 연산 속도 가속 엔진 > 자체 네트워크 시스템 내장 >엔비디아 A100 기반 슈퍼컴퓨터보다 대비 고성능 >> 50% 가량 성능 향상 >> 2.4배 가격대비 성능 강화 * 챗GPT 연산시 사용되는 파라미터 : 1750억개 ** GPT-1 : 1억개 ** GPT-2 : 15억개
테스-국내 반도체 장비 제조사 테스 > 2023년 6월 R&D 시설 투자 > 경기 용인 제일일반산업단지 R&D 특화 시설 > 2002년 설립된 반도체 전공정 장비 업체 > 메모리반도체 D램 및 낸드 생산 장비 제조 > 낸드 비중 60%. > 플라즈마화학기상증착(PECVD) 장비 제조 >> 비정질탄소층(ACL) 증착용 PECVD (낸드 공정) > 건식 세정 공정용 장비 제조 >> 가스페이즈에칭(GPE) 장비 >> 2021년 삼성전자 파운드리 공급 품질인증 통과 * 전공정 반도체원판(웨이퍼) 위에 전기 신호가 오가는 회로를 형성하는 공정
솔브레인-디엔에프 인수합병(M&A) 추진 솔브레인 > 디엔에프와 M&A 막바지 협상중 > 반도체 소재 사업 강화 > 반도체 소재 분야 포트폴리오 다변화 > 2022년 매출 1조908억원, 영업이익 2070억원 > 반도체 소재 사업 : 전체 매출의 약 77% 차지 * 디엔에프 >> 2001년 창설 >> 2005년 삼성전자와 반도체 공정 소재 전구체 공동 개발 >> 비정질카본레이어(ACL) 전구체 국산화 >> 더블패터닝테크놀로지(DPT) 전구체 국산화 ** 전구체 반도체 회로 형성 때 화학 반응에 사용되는 물질
SK하이닉스 - 300단대 낸드플래시 메모리 개발 SK하이닉스 > 321단 1테라비트(Tb) TLC(Triple Level Cell) 4D 낸드 샘플 공개 > 2025년 상반기 양산계획 > 메모리 업계 최초 > 낸드플래시는 200단대 최고 > 2023년 5월 238단 낸드플래시 양산 시작 - 현존 최고층 낸드 > HBM 메모리 12단 적층 제품 공개
삼성전자- 3나노 반도체 2024년 양산 삼성전자 + 게이트올어라운드(GAA) 공정 적용 3나노 반도체 양산 시작 2024년 전망 + GAA 칩 제조용 장비와 도체 식각 솔루션 by 어플라이드 머티어리얼즈(AMAT) + GAA 필요 고객사 ++ 삼성전자 시스템LSI사업부 ++ 퀄컴 등 안드로이드 스마트폰용 프로세서(AP) 설계 기업 * GAA : 채널과 게이트가 4면에서 맞닿는 기술. ** 현재 삼성전자 단독 양산 ** GAA 장점 : 핀펫 대비 + 게이트 제어능력 강화 + 저전력 소모 및 성능 개선 + 누설전류 문제 해결 가능
솔브레인 솔브레인 +반도체/ 디스플레이 공정용 화학재료 및 이차전지 소재 등 생산 + 불화수소 국산화 + 충남 공주 액체 불화수소 공장 보유 + ‘12나인(99.9999999999%)’급 초고순도 액체 불화수소 양산 성공 + 주요 고객사 : 삼성전자와 SK하이닉스 + 삼성전자 게이트올어라운드(GAA) 양산 공정 (3㎚ 파운드리) 식각액 공급 * 불화수소 * 반도체 기판(웨이퍼)의 회로 외 불필요한 부분 제거하는 식각 및 불순물 제거 세정에 주로 사용 * 반도체 불량률 최소화 >> 초고순도 불화수소 필요 * 일본수출규제 반도체 소재 중 가장 성공적적인 국산화
예스티 예스티 + 고압 어닐링 장비 개발 국책과제 선정 + 차세대 반도체 중수소 고압 어닐링 장비 개발 진행
라피더스 + 일본 정부 주도로 신설된 반도체기업 ; 일본정부 및 IBM + 일본 훗카이도 + 2027년부터 2나노 반도체 대량생산 계획 ** 파운드리 2나노 공정 : 삼성전자 및 TSMC 2025년 상용화 계획 ** IBM은 세계 최초로 2나노 미세공정 반도체 시범 생산에 성공 + 2027 이후, 차세대 1.4나노 기술 개발 계획 ** 1.4나노 미세공정 반도체는 삼성전자가 2027년 양산을 추진하고 있는 기술
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