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삼성전자- 차세대 D램 금속산화물레지스트(MOR) 적용 삼성전자- 차세대 D램 금속산화물레지스트(MOR) 적용 검토 삼성전자 1. 2024-4월 2. 10nm 6세대(1c) D램 양산에 인프리아 MOR 적용 검토 중. 1c D램 레이어 중 가장 미세한 선폭공정에 적용 예상 2.1. 삼성전자 1c D램: EUV PR 6~ 7개 레이어 필요. 2.2. 10c D램 EUV PR 공급 평가업체: 인프리아, JSR, 듀폰, 동진쎄미켐, 삼성SDI 등 2.3. 인프리아: 일본 소재 기업 JSR의 자회사 2.3.1. 유기물 PR이 아닌, 주석(Sn) 기반 무기물 PR 생산 중. 2.4. 램리서치 드라이 레지스트 2.4.1. 10nm 7세대(1d) D램부터 적용예상. 2.4.2. 드라이 레지스트는 기존 PR과 다르게 증착하는 형태로 패턴 구현 2.4.3. TSMC 등 기업..
중국 반도체 장비업체- 리소그래피(Lithography·노광) 장비 개발 중국 반도체 장비업체- 리소그래피(Lithography·노광) 장비 개발 0. 현재 전 세계 노광기 90% ASML이 공급 1. 화웨이- 반도체 장비 R&D 센터를 건설 중 1.1. 위치: 중국 상하이 서부 칭푸지구: 상하이시 첨단 기술 캠퍼스 1.2. 차세대 반도체 생산에 필요한 노광장비 개발 1.3. 식각과 노광 결합공정 기술 특허 출원 1.4. ‘자가 정렬 4중 패턴화’(SAQP) : 트랜지스터 밀도와 반도체 성능 향승을 위한 라인을 여러 개 그리는 기술, DUV 장비로 5㎚ 칩 제조가능 (나우라테크놀로지) 2. 상하이마이크로일렉트로닉스 2.1. 2024년 기준, 중국 내 유일한 노광장비 개발업체 2.2. 90㎚ 수준의 기술력
도쿄일렉트론(TEL)- 극저온(Cryo) 식각 장비 TEL- 신규 극저온(Cryo) 식각 장비 1. 옥사이드(Oxide) 식각에 사용 2. 극저온(칠러 온도 기준 영하 70℃)에서 고속으로 식각 진행 2.1. 기존 식각 장비 식각 공정 온도: 0~ 30℃ 수준 3. 10마이크로미터(㎛) 식각에 33분 소요 3.1. 기존 장비 대비 3배 이상 빠름 4. GWP 1 미만인 불화수소(HF) 가스 사용 4.1. 지구온난화지수(GWP) 높은 불화탄소(CF) 계열 가스 사용되던 기존 식각 공정 4.2. 사불화탄소(CF4) GWP: 6030 4.3. 팔불화사탄소(C4F8) GWP: 9540 5. 전망 5.1. SK하이닉스 5.1.1. TEL 극저온(Cryo) 식각 장비 평가 중 5.1.2. 321단 낸드 제품 적용시 트리플 스택의 스택수 절감 기대 5.1.3. 400..
한미반도체- HBM 제품군 확대 한미반도체- HBM 제품군 확대 1.듀얼 TC 본더 타이거 (DUAL TC BONDER TIGER) 1.1. 글로벌 고객 맞춤형 HBM 적층 장비 1.2. TSV 공법의 반도체 칩을 웨이퍼에 적층하는 본딩 장비 1.3. HBM 생산용 듀얼 TC 본더 중 기존 하이퍼 모델 '그리핀'과 프리미엄 모델인 '드래곤' 보유 1.4. 엑스트라 모델 '타이거' 추가
SK하이닉스- 반도체 투자 SK하이닉스- 국내외 투자 1. 미국에 메모리반도체용 패키징 공장 건설 공식발표 1.1. 인디애나주 웨스트라피엣에 인공지능(AI) 메모리용 첨단 패키징 생산 기지 건설 1.2. 퍼듀 대학교 등 현지 연구기관과 반도체 연구·개발(R&D) 협력 1.3. 5조2000억원) 투자 1.4. 2028년 하반기부터 차세대 고대역폭메모리 (HBM) 등 패키징 제품 생산 2. 용인 반도체 클러스터 2.1. 2024년 현재 부지 조성 공사 2.2. 120조 원 투자 2.3. 2025년 3월 첫 팹 착공 2.4. 2027년 초 완공 계획 2.5. 소부장 생태계 강화 목적의 미니팹 건설 계획
STI (Shallow Trench Isolation) STI (Shallow Trench Isolation) 기술 1. 반도체 제조 과정에서 인접한 소자들 간의 간섭을 줄이기 위해 사용되는 기술 2. 표면에 얕은 구멍(트렌치)을 만들고 그 안에 절연 재료를 넣어 전자를 분리하는 기술 3. "얕은"은 트렌치의 깊이를 의미하는 것이 아니라 표면에 비교적 얕은 부분에 위치한다는 의미. 즉, "얕은"은 표면에 가까운 것을 나타냄
어플라이드 머티어리얼즈 신규 패터닝 제품 0. 배경 0.1. 신기술 통해 하이 NA EUV 등 초미세 기술 구현 0.2. 반도체 제조사 2나노미터(nm) 이하 노드 공정으로 전환 0.3. 반도체 업계는 반도체 소자를 옹스트롬 (Angstrom, 1A=0.1nm) 급으로 구분하기 시작 0.4. EUV 및 하이 NA EUV 도입으로 2nm이하 노드 공정 전환 시 문제점: 에지 러프니스 (Edge roughness), 팁간격 (tip-to-tip spacing) 제한, 브릿지 결함, 에지 배치 오류 등 어플라이드 머티어리얼즈 신규 패터닝 제품 1. 패터닝 시스템: 센튜라 스컬프타(Centura Sculpta) 1.1. 반도체 제조사의 패턴 형태를 늘려 EUV 더블 패터닝 단계를 줄임으로 싱글 EUV 또는 하이 NA EUV 노광에 비해 팁 간격을 더 ..
원익IPS 원익IPS 1. 2023년 4분기 1.1. 매출액 전분기 대비 25% 증가 2254억원, 1.1.1. 반도체: 전분기 대비 10% 줄어든 1601억원, 1.1.2. 디스플레이: 2761% 증가한 652억원 1.2. 영업이익 120억원 1.3. 예상치 이상 수익 기록 2. 2024년 1분기 2.1. 실적 부진 예상 (영업적자 293억원) 2.2. 반도체, 디스플레이 전 부문 매출액 감소 예상 3. 2024년 하반기 실적 회복 기대 3.1. SK하이닉스 3.1.1. 우시 공장 전환 투자 (1bnm D램 제품) 3.1.2. D램 20~30K 신규 투자 예상 3.2. 삼성전자 3.2.1. 국내외 전환 투자(D램 1bnm, 낸드 236단 제품) 3.2.2. D램 30K 신규 투자 예상 3.3. 원익IPS 3.3...
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