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식각공정의 종류 및 Gas
구 분 |
공정특성 |
식각대상 및 반응기체 |
특징 |
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화학 식각 |
기판손상 없음 |
Si |
HCl,SF6 |
고온 |
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물리 식각
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이온밀링(ion milling 또는ion beam etching) |
이온원+반응실 |
모든 박막a) |
Ar,He |
이방적 |
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스퍼터링(sputtering) |
플라즈마실과 |
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화학 + 물리 식각
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플라즈마 식각(plasma etching) |
반응기체를 플라즈마화, 저이방성 |
Poly-Si, SiO2 |
CF4/O2,SF6 |
보호막 형성 |
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반응성 이온 식각 (RIE) |
스퍼터링+반응기체 |
Mo,W,Ta |
CF4 |
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반응성 이온 식각 (RIBE) |
반응기체 이온빔화 |
Ti |
Cl2,CCl4 |
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Al, AlCuSi |
CCL4/BBr3/Cl2/O2 |
AlCl3에 주의 |
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화학보조 이온빔 식각 (CAIBE) |
이온밀링+반응기체 |
GaAs |
BCl3,SiCl4 |
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photoresist |
O2 |
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UV; ultra violet,
RIE; reactive ion etching,
RIBE; reactive ion beam etching
CAIBE; chemically assisted ion beam etching
반도체공정 별 가스
식각공정 종류 및 Gas
반도체 주요 제조공정 및 장비 특성
반도체 주요 공정 가스(Process Gas) 및 허용농도
반도체 - 박막 별 적용 Process Gas
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