반도체 주요 제조공정 및 장비 특성

반도체 제조공정 및 장비 특성

구분	박막형성				식각	이온주입
구분	플라즈마 CVD	열CVD	스퍼터	MBE	식각	이온주입
도달압력 mbar	10 -4	10 -4	10 -8	10 -11	10 -5	10 -8
운전압력 mbar	10 -2∼10	0.1∼1(LPCVD) 2∼500(MOCVD)	10-2∼10-3	10-3∼10-8	5∼5x10-3	10-5
기체유량 mbar l/s	0.5∼100	0.25∼100(LPCVD) 1000∼5000(RPCVD) 100∼10000(MOCVD)	0.1∼1	- (고체) 3∼30(기체)	0.1∼2	~1
공정기체 예	Si(SiH4,SiH2Cl2)+(Ar,H2) SiO2: SiH4+(O2,N2O) Si3N4: SiH2Cl2+NH3 Al: Al(C4H9)3, AlCl3+H2 W: WF6+H2		Ar Ar+ O2,N2,H2O	CxHyGa AsH3 PH3 Si2H4 GeH6	CCl4 BCl3 CF4 CHF3 O2	BF3 PH3 AsH3
배기펌프	DP+ MBP+ 복합TMP	DP + MBP	DP+복합TMP/CP	DP+MBP+ TMP /CP/SIP	DP+ MBP+ 복합TMP	DP+TMP /CP

CVD: chemical vapor deposition,

MBE: molecular beam epitaxy,

LPCDP: low pressure CVD,

MOCVD: metal organic CVD,

RPCVD: reduced pressure CVD;

DP: Dry pump,

MBP: mechanical booster(roots) pump,

TMP: turbo molecular pump,

CP: cryopump