반도체 주요 공정 가스(Process Gas) 및 허용농도
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Process |
Gas |
분자식 |
허용농도(TLV치) |
노출기준 (TWA) |
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ETCH |
염소 |
Cl2 |
1 |
1 (노동부고시) |
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염화수소 |
HCl |
5 |
C5 (노동부고시) |
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3염화붕소 |
BCl3 |
5 |
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불소 |
F2 |
0.1 |
0.1 (노동부고시) |
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4염화규소 |
SiCl4 |
5 |
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브롬수소 |
HBr |
3 |
C3 (노동부고시) |
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6불화유황 |
SF6 |
1000 |
1000 (노동부고시) |
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불화메탄 |
CHF3 |
3 |
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4염화탄소 |
CCl4 |
10 |
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3불화염소 |
ClF3 |
3 |
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3불화질소 |
NF3 |
10 |
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불화수소 |
HF |
3 |
C3 (노동부고시) |
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4불화규소 |
SiF4 |
3 |
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프레온12 |
CCL2F2 |
3 |
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4브롬규소 |
SiBr4 |
3 |
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브롬불화탄소 |
CF3Br |
3 |
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8불화프로판 |
C3F8 |
3 |
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PECVD LPCVD |
시란 |
SiH4 |
0.5 |
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지시란 |
Si2H6 |
0.5 |
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S2H6 |
0.1 |
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포스핀 |
PH3 |
0.3 |
0.3 (노동부고시) |
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- |
TEOS |
10 |
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지크로로시란 |
SiH2Cl2 |
5 |
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4불화탄소/산소 |
CF4/O2 |
3 |
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6불화에탄/산소 |
C2F6/O2 |
3 |
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불화텅스텐 |
WF6 |
0.75 |
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IMPLANTER |
아르신 |
AsH3 |
0.05 |
0.05 (노동부고시) |
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포스핀 |
PH3 |
0.3 |
0.3 (노동부고시) |
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3불화붕소 |
BF3 |
1 |
C1 (노동부고시) |
TLV (Tolerance Limit Value)
: ACGIH-1978(American Conference of Governmental Industrial Hygienists 1978)에서 제정된 시간가중평균농도
하루 8시간의평균허용농도
가스의 경우 ppm, 먼지형인 때 공기1m3 중 의 수치로 표현
TWA( Time Weighted Average)
: 1일 8시간 작업 기준조건에서 유해요인의 측정치에 발생시간을 곱하여 8시간으로 나눈 값 의미.
최고노출기준
: 근로자가 1일 작업시간 동안 잠시라도 노출되면 안되는 기준을 말하며 노출기준 앞에 ‘C’를 붙여 표시