식각공정 종류 및 Gas

식각공정의 종류 및 Gas

구 분		공정특성	식각대상 및 반응기체		특징
화학 식각		기판손상 없음 등방적 선택적	Si GaAs SiO2 photoresist	HCl,SF6 HCl,AsCl3 ClF3,BrF3 IF5 F2/H2+UV UV+O3	고온 고온 상온 상압 ~300℃
물리 식각	이온밀링(ion milling 또는ion beam etching)	이온원+반응실	모든 박막a)	Ar,He	이방적 비선택적 다층막 식각
	스퍼터링(sputtering)	플라즈마실과 반응실이 동일
화학 + 물리 식각	플라즈마 식각(plasma etching)	반응기체를 플라즈마화, 저이방성 10-1∼1000Pa	Poly-Si, SiO2 PSG,BPSG Si3N4,TiN	CF4/O2,SF6 CF4/H2,CH3F NF3 Cl2,CCl4	보호막 형성 SiO2에 선택적 고식각속도 고이방성
	반응성 이온 식각 (RIE)	스퍼터링+반응기체 수∼수십Pa	Mo,W,Ta	CF4
	반응성 이온 식각 (RIBE)	반응기체 이온빔화 10-2Pa	Ti	Cl2,CCl4
			Al, AlCuSi	CCL4/BBr3/Cl2/O2	AlCl3에 주의
	화학보조 이온빔 식각 (CAIBE)	이온밀링+반응기체	GaAs	BCl3,SiCl4
			photoresist	O2

 

UV; ultra violet,

RIE; reactive ion etching,

RIBE; reactive ion beam etching

CAIBE; chemically assisted ion beam etching

 

반도체공정 별 가스
식각공정 종류 및 Gas
반도체 주요 제조공정 및 장비 특성
반도체 주요 공정 가스(Process Gas) 및 허용농도
반도체 - 박막 별 적용 Process Gas