반도체공정 별 가스

반도체공정 별 가스 특징

 

공 정	공정별 가스	부산물/배기처리 처리문제	분자식	가스 특징
Etch Metal	Cl2 / BCl3 / SiCl4 CHF3 / SF6	기체 응고에 의한 Exhaust Blockages 수증기에 의한 Powder 발생 Toxic halogenated organic에 의한 부식 및 by products Dry 가스처리 시스템 사용 요망	Cl2 SiCl4 BCl3 SF6	T,C T,C T,C T,A
Poly	HBr / Cl2/ NF3 / SF6	유독성 부산물에 의한 강한 부식성 생성 수증기에 의한 부식성 증가 Dry 가스처리 시스템 사용 요망	HBr Cl2 NF3 SF6	T,C T,C T,O T,A
Nitride	HBr / NF3 / SF6	유독성 부산물에 의한 강한 부식성 생성 수증기에 의한 부식성 증가 Dry 가스처리 시스템 사용 요망	HBr NF3 SF6	T,C T,O T,A
Oxide	CHF3 / NF3 CF4C2F6	유독성 부산물 처리 기능 요망 Dry 가스처리 시스템 사용 요망 Global Warming Gases(C2F2) 처리 기능 요망	NF3 CHF3 C2F6	T,O A GW
Tungsten	Cl2 / SF6	유독성과 부식성의 부산물 생성 부착,퇴적에 의한 문제점 Dry 가스처리 시스템 사용 요망	Cl2 SF6	T,C T.A
PECVD BPSG	TOES / TMB / TMP N2O C2F6/NF3 (clean)	화재 가능성 가스 상반되는 가스를 계속적으로 사용. 예)SiH4/NF3 화재 발생과 유독 가스 처리 요망	NF3 C2F6	T,O GW
Oxide / Nitride	SiH4 / NH3 / N2O C2F6/NF3 (clean)	화재 가능성 가스 상반되는 가스를 계속적으로 사용. 예)SiH4/NF3	SiH4 NF3 C2F6	P,T Y,O GW
Tungsten	WF6 / SiH4 / NF3	화재 가능성 가스 상반되는 가스를 계속적으로 사용. 예)SiH4/NF3	WF6 SiH4 NF3	O,C P,T T,O
LPCVD Nitride	DCS/ NH3	기체 응고에 의한 Exhaust blockage 고체 생성물질 및 DCS,Chlorides 처리기능 필요	Cl2 SiH2Cl2	T,C T,C
Poly	SiH4	혼합된 가스에 의한 화재 발생 가능	SiH4	P,T
Doped	TOES / TEAs TOES / TEAs+ClF3Clean	혼합된 가스에 의한 화재 발생 가능	PH3	P,T

T:유독성 / C:부식성 / A:질식성 / F:가연성 / P:자연발화성 / O:산화제 / GW: Global Warming Gas

 

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