본문 바로가기
반응형

전체 글

 (517)
반도체 용어 설명 KLM - KGD(Known Good Die) 멀티칩 모듈 내에 Bonding 준비가 돼 있는 완전히 테스트된 칩 - Laser Test 수율(Yield) 향상을 위해 Fuse를 Laser로 끊어내는 작업. - LCD(Liquid Crystal Display) 액정(liquid crystal)을 이용한 문자나 숫자 표시판으로 두 개의 유리판 사이에 액정을 넣고 전압에 의하여 원하는 문자를 표시하도록 한 장치. - Lead Frame TR, diode, I.C 등의 반도체 제품을 조립시 Sawing된 Die를 Attach 시키는 머리빗 모양으로 정형된 얇은 금속판. 재질별로 Alloy 42, Copper, Kovar, Steel 등으로 구분되며 형태별로는 IDF와 TTT형이 있음. - LED(Light Emiss..
반도체 용어 설명 GHI - GaAs(Gallium Arsenide) 화합물 반도체로서 초고속 장치에 사용되며, 고주파에서의 이득과 대역폭 특성이 양호하여 차세대에 Silicon 대신 많이 이용되는 물질. Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체의 대표적인 재료로 Si에 비해서 결정내의 전자이동이 5∼6배 빨라 초고속·초고주파 device에 적합함. UHF나 SHF의 GaAs FET, micro파 analog IC, 적외선 발광 Diode, 반도체 laser, Hall 소자, 태양전지 등에 이용되고 있음. - GaAs IC GaAs을 이용한 초고속 IC. SPAR Computer나 통신분야에 기대되는 IC로써 현재 Memory와 Gate Array를 중심으로 고집적화 개발이 진행되고 있음. 또한, GaAs 광 IC의 연구도 활발하게 진행되고 있음..
반도체 용어 설명 EF - EDO(Extended Data Output) DRAM의 data access 방법중 fast page mode의 개선을 위하여 나타난 것으로 일반적인 동작방법은 /CAS signal이 inactive high로 전환시 valid data가 다음 /CAS signal의 low active 전까지 data가 출력되도록 설계되었음. 이러한 동작특성은 fast page mode의 전체적인 tPC(fast page mode cycle)를 줄일 수 있으므로 speed 개선효과를 얻을 수 있음. 일반적으로 비디오 카드 성능개선에 적용되고 있음. - EDRAM Enhanced DRAM(Trademark of Enhanced Memory Systems, Inc) - EEPROM(Electrically Erasabl..
반도체 용어 설명 D - D-A (Digital to Analog Converter) 디지털 신호를 입력으로하여 Analog 신호를 출력으로 꺼내는 회로를 말함. - DA(Die Attach) Die를 Lead Frame에 접착시키는 공정 - DAC (Digital to Analog Converter) Digital 신호를 Analog 신호로 변환하는 변환기. Hi-Ai음악용 CD player에도 16bit D/A convertor가 사용되고 있음. - Data Retention Mode 휘발성 메모리(DRAM/CRAM)에 데이터를저장하는 형태로 일반적으로 시스템 power-off 직후 battery back-up circuit에 의해 데이터가 메모리 제품에 기억될 수 있도록 하는 최소한의 입력 조건의 상황. - CDR(Do..
반도체 용어 설명 BC - Bake Wafer를 열을 이용하여 굽는 것으로 Pre-Bake, Hard-Bake, Soft-Bake가 있음. 1) Pre-Bake : Wafer에 Resist를 도포하기 전에 Wafer 표면의 습기를 제거하여 150±10의 Oven에서 Wafer를 굽는 것. 2) Hard-Bake : Etch전 Wafer 표면의 Resist를 굽는 것. 3) Soft-Bake : 적외선을 이용하여 Photo-Resist를 굳혀 주는 것. - B/B Ratio(Book to Bill Ratio) 수주 대 출하 비율. 최근 3개월 평균 수주액을 3개월 평균 출하액으로 나눈 값. 일반적으로 WSTS(세계반도체 무역통계)의 통계 Data를 기본으로 한 반도체 수급상황을 나타내는 지표를 가리킴. 특히 미국시장 B/B Ra..
반도체 용어 설명 A - Abrasive 성형완료된 PKG나 리드프레임에 잔존하는 수지 피막을 제거하기 위해 사용된 연마제. - Accel Mode 이온 주입시 가속에너지를 가해준 상태에서 주입하는 형태(에너지 범위 32-200KeV). - AC Characteristic Device가 동작시 갖고 있는 특성중 입출력 파형의 Timing과 관련한 여러 가지 특성들을 말함. - Access 메모리 Device에 Data를 저장하거나, 저장된 Data를 읽어내기 위하여 Device의 외부에서 미리 약속된 방식으로 Signal을 가하여 메모리의 특정 번지를 찾아가는 행위. - Access Time 1) 반도체 소자에서 기준 입력 신호로부터 출력 Data가 나오는 시간까지를 말하며 기준신호에 따라 tRAC(Access Time Fr..
반도체 - 박막 별 적용 Process Gas 반도체 - 박막 별 적용 Process Gas 박막(반응생성물) Process Gas Process Gas 특성 부산물 절연막 유전막 또는 보호막 SiO2 SiH4 SiH2Cl2 Si(OC2H5) + O2,NO2,H2O 발화성,독성,악취 발화성,독성,부식,악취 HCl(부식성) PSG (SiO2,P2O5) SiO2원료 + PH3 발화성,독성,자극취 BPSG(SiO2,P2O5,B2O3) PSG원료 + B2H6 발화성,독성,자극취 Si3N4 SiH4 SiH2Cl2 + NH3,N2b) NH4Cl (백색 입자) Ta2O5 TaCl5+N2O+H2 배선 Al Al(C4H9)3 W WF6+H2 독성,부식, 자극취 HF(독성) 게이트전극 WSi WF6+SiH4+H2 차폐막 TiN N2 반도체막 Si SiH4 GaAs G..
반도체 주요 공정 가스(Process Gas) 및 허용농도 반도체 주요 공정 가스(Process Gas) 및 허용농도 Process Gas Description 분자식 허용농도(TLV치) 노출기준 (TWA) ETCH 염소 Cl2 1 1 (노동부고시) 염화수소 HCl 5 C5 (노동부고시) 3염화붕소 BCl3 5 불소 F2 0.1 0.1 (노동부고시) 4염화규소 SiCl4 5 브롬수소 HBr 3 C3 (노동부고시) 6불화유황 SF6 1000 1000 (노동부고시) 불화메탄 CHF3 3 4염화탄소 CCl4 10 3불화염소 ClF3 3 3불화질소 NF3 10 불화수소 HF 3 C3 (노동부고시) 4불화규소 SiF4 3 프레온12 CCL2F2 3 4브롬규소 SiBr4 3 브롬불화탄소 CF3Br 3 8불화프로판 C3F8 3 PECVD LPCVD 시란 SiH4 0.5 지시..
반응형

티스토리툴바