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서진시스템 + 사업영역 1.1 통신장비 사업 >가격 경쟁력 확보
IBM - 세계 최초 3D 적층 기술 개발IBM & 도쿄일렉트론(TEL) IBM & 도쿄일렉트론(TEL) + 300㎜ 실리콘 웨이퍼 3차원(3D) 적층 기술공정개발 . 세계 최초 +> 칩 적층 방식을 통해 반도체 제조 방식 간소화 기대 ++ > 반도체 칩 공급난 해소 기여 전망 잘 깨지는 위험요소 + 위험요소 해결 - 기존 방안 : 실리콘 웨이퍼를 유리 캐리어 웨이퍼에 잠시 부착 후 생산 공정 진행 >> 자외선 레이저로 두 웨이퍼 분리 >>> 물리적인 힘에 의한 결함 발생 가능성 및 생산량 감소하는 잠재적 위험요소 발생 + 특정 부피에 집적되는 트랜지스터(반도체 소자) 수 증가시킬수 ..
테스-삼성 파운드리용 GPE 장비 퀄테스트 통과 테스 : 반도체 증착·식각장비 전문업체 + 2010년 메모리 GPE 장비 상용화 > 삼성전자, SK하이닉스 등에 공급 ++ 경쟁사 : 도쿄일렉트론(TEL) - - 메모리 GPE 장비 비율 (@SEC) : 도쿄일렉트론(TEL) vs 테스 = 6대 4 비율 + 파운드리 공정 가스페이즈에칭(GPE) 장비, 삼성전자 퀄테스트 최종 통과 - - 파운드리 공정 GPE 장비 : 일본 TEL 독점 * GPE 장비 : 불화수소 가스를 사용, 웨이퍼 표면 산화막 깎아내는 건식 식각장비
SK하이닉스 - DDR5 DRAM + DDR(Double Data Rate)5 D램 기반 CXL(Compute Express Link) 메모리 샘플 개발 > PCIe(Peripheral Component Interconnect Express) 5.0 지원 CXL 메모리 + 서버 플랫폼 메모리 용량 확장 가능. ( 기존 서버의 경우 메모리 용량 및 성능 고정) + 적용 범위 : 인공지능(AI)·빅데이터 등 고성능 연산 시스템 + 2023년 양산 예정 > 10나노미터(nm)급 4세대(1a) DDR5 24기가비트(Gb) D램 적용된 96기가바이트 (GB) 제품 * DDR5 : 새로운 D램 규격 : 한 클럭 사이클 동안 데이터 신호 2회 송수신 : 숫자 높을수록 2배씩 성능 개선 : DDR4 대비 2배 빠른 수준 * PCIe : 디지털 기기 메..
원익아이피에스 GEMINI 장비 > GAA 3nm 파운드리 제품 생산에 적용 ++ PECVD 방식 신규 공정 적용 ++ EUV 공정 도입에 필요한 신규 박막을 PECVD 방식으로 성장시키는 공정 +++ SADP(Self-Align Double Patterning) 대응 +++ 저온용 하드마스크 고품질 유지 공정 기술 대응
서플러스글로벌 : 반도체 전공정·후공정, 디스플레이 중고 장비 유통 : 2000년 창립 :경기 용인 소재 / 실적 : 4만대 이상 중고 장비 > 4천개사에 공급 / 거래처 : 네덜란드 ASML, 미국 어플라이드 머티어리얼즈, 램리서치 등
벨로3D (Velo3D) : 금속 적층 제조 기술 회사 : 금속 3D프린터 기업 : 2014년 설립 : 2018년 사파이어 시스템 공개 : 협력사 : 스페이스X, 허니웰, 혼다, 램리서치 등 + 극초음속 항공기 제작 (허미어스(Hermeus)사) 에 3D프린터 투입 ++ 사파이어 (금속 3D프린터) 및 사파이어XC (대형 금속 3D프린터) 허미어스사 납품 > 초내열합금 '인코넬 718' 사용 >> 부품 생산 예정 >>> 극초음속 항공기 "쿼터홀스"의 부품 및 키메라 엔진 생산 진행 예정 * 극초음속 항공기 : 마하5 이상의 속도로 비행하는 항공기 : 런던에서 뉴욕까지 90분만에 비행 목표
엘오티베큠 엘오티베큠 : 국내 유일 건식(Dry)진공펌프 전문업체 + CVD(화학기상증착) 공정에 장비 납품중. ++ CVD : 원료가스에 열, 전기에너지 등 공급 후 화학반응 생성 후, 웨이퍼 표면에 박막증착 공정. +++ 표면접착력 뛰어나고 대량양산 용이한 가장 보편적인 증착 방법 + ALD(원자층증착) 공정용 진공펌프 개발 추진 > 차세대 메모리반도체 공정 >> 해당 공정 신소재 증착용 ALD 장비 진공 형성용 진공펌프 기술 국책과제 형식으로 개발 중 > CVD 대비 더 높은 진공 환경 푤요. 펌핑 용량 증가 필요 * ALD : 원자 수준인 1옹스트롬(0.1나노미터) 두께로 다층 증착하는 기술 - CVD 대비 느린 증착 속도 + 개별적으로 전구체와 반응체 주입하여 매우 미세한 두께 박막 형성 + 반도체 회로 ..
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