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반도체 - 박막 별 적용 Process Gas 반도체 - 박막 별 적용 Process Gas 박막(반응생성물) Process Gas Process Gas 특성 부산물 절연막 유전막 또는 보호막 SiO2 SiH4 SiH2Cl2 Si(OC2H5) + O2,NO2,H2O 발화성,독성,악취 발화성,독성,부식,악취 HCl(부식성) PSG (SiO2,P2O5) SiO2원료 + PH3 발화성,독성,자극취 BPSG(SiO2,P2O5,B2O3) PSG원료 + B2H6 발화성,독성,자극취 Si3N4 SiH4 SiH2Cl2 + NH3,N2b) NH4Cl (백색 입자) Ta2O5 TaCl5+N2O+H2 배선 Al Al(C4H9)3 W WF6+H2 독성,부식, 자극취 HF(독성) 게이트전극 WSi WF6+SiH4+H2 차폐막 TiN N2 반도체막 Si SiH4 GaAs G..
반도체 주요 공정 가스(Process Gas) 및 허용농도 반도체 주요 공정 가스(Process Gas) 및 허용농도 Process Gas Description 분자식 허용농도(TLV치) 노출기준 (TWA) ETCH 염소 Cl2 1 1 (노동부고시) 염화수소 HCl 5 C5 (노동부고시) 3염화붕소 BCl3 5 불소 F2 0.1 0.1 (노동부고시) 4염화규소 SiCl4 5 브롬수소 HBr 3 C3 (노동부고시) 6불화유황 SF6 1000 1000 (노동부고시) 불화메탄 CHF3 3 4염화탄소 CCl4 10 3불화염소 ClF3 3 3불화질소 NF3 10 불화수소 HF 3 C3 (노동부고시) 4불화규소 SiF4 3 프레온12 CCL2F2 3 4브롬규소 SiBr4 3 브롬불화탄소 CF3Br 3 8불화프로판 C3F8 3 PECVD LPCVD 시란 SiH4 0.5 지시..
반도체 주요 제조공정 및 장비 특성 반도체 제조공정 및 장비 특성 구분 박막형성 식각 이온주입 플라즈마 CVD 열CVD 스퍼터 MBE 도달압력 mbar 10 -4 10 -4 10 -8 10 -11 10 -5 10 -8 운전압력 mbar 10 -2∼10 0.1∼1(LPCVD) 2∼500(MOCVD) 10-2∼10-3 10-3∼10-8 5∼5x10-3 10-5 기체유량 mbar l/s 0.5∼100 0.25∼100(LPCVD) 1000∼5000(RPCVD) 100∼10000(MOCVD) 0.1∼1 - (고체) 3∼30(기체) 0.1∼2 ~1 공정기체 예 Si(SiH4,SiH2Cl2)+(Ar,H2) SiO2: SiH4+(O2,N2O) Si3N4: SiH2Cl2+NH3 Al: Al(C4H9)3, AlCl3+H2 W: WF6+H2 Ar Ar+ O2..
식각공정 종류 및 Gas 식각공정의 종류 및 Gas 구 분 공정특성 식각대상 및 반응기체 특징 화학 식각 기판손상 없음 등방적 선택적 Si GaAs SiO2 photoresist HCl,SF6 HCl,AsCl3 ClF3,BrF3 IF5 F2/H2+UV UV+O3 고온 고온 상온 상압 ~300℃ 물리 식각 이온밀링(ion milling 또는ion beam etching) 이온원+반응실 모든 박막a) Ar,He 이방적 비선택적 다층막 식각 스퍼터링(sputtering) 플라즈마실과 반응실이 동일 화학 + 물리 식각 플라즈마 식각(plasma etching) 반응기체를 플라즈마화, 저이방성 10-1∼1000Pa Poly-Si, SiO2 PSG,BPSG Si3N4,TiN CF4/O2,SF6 CF4/H2,CH3F NF3 Cl2,CCl4 ..
반도체공정 별 가스 반도체공정 별 가스 특징 공 정 공정별 가스 부산물/배기처리 처리문제 분자식 가스 특징 Etch Metal Cl2 / BCl3 / SiCl4 CHF3 / SF6 기체 응고에 의한 Exhaust Blockages 수증기에 의한 Powder 발생 Toxic halogenated organic에 의한 부식 및 by products Dry 가스처리 시스템 사용 요망 Cl2 SiCl4 BCl3 SF6 T,C T,C T,C T,A Poly HBr / Cl2/ NF3 / SF6 유독성 부산물에 의한 강한 부식성 생성 수증기에 의한 부식성 증가 Dry 가스처리 시스템 사용 요망 HBr Cl2 NF3 SF6 T,C T,C T,O T,A Nitride HBr / NF3 / SF6 유독성 부산물에 의한 강한 부식성 생성 수..
반도체 Clean room - 설계 조건 및 등급 반도체 Clean room 환경 설계조건 항 목 기 본 성 능 조 건 청정도 Process Area: Class 1 (0.05μm) Service Area: Class100(0.1μm) 미량가스성분 Nox,Sox,HC등의 제어 알카리 금속 중금속 알카리 금속 이온(Na,K)의 제어 중금속 이 (Fe,Ni,Cu) 의 제어 온도,습도 신내환경 23±0.5℃(평면분포) 23±0.2℃(시간분포) 습도:45±3%(시간분포) 챔버 설정치±0.02℃(평면분포) 설정치±0.01℃(시간분포) 습도:변동폭±1%(시간분포) 압력 클린룸과 일반실과의 차압: ±1.5∼3.0mmAq 절대압력: 대기압 번동 보정 입자농도에 따른 공기 청정도 등급 Class 입 자 농 도 축 정 입 경 0.1 0.2 0.3 0.5 5.0 1 35 ..
진공 용어 (Vacuum Vocabulary) - 4 압력계, pressure gauge 기체,증기의 압력을 측정하는 계기. 진공계, vacuum gauge 기체,증기의 대기압보다 낮은 압력을 측정하는 계기. 대부분의 경우, 측정자와 제어 계측부로 구성된다. 참고, 보통 사용되고 있는 진공계는 이 규격에 규정 하는 의미의 압력을 집적적으로는 측정하지 않고 특정조건 하에서 압력에 관련된 다른 물리량을 측정하는 것이 많다. 측정자, gauge head 진공계에서 감압기능을 갖추고 진공계에 부착되는 진공계의 구성부품. 나진동계(측정자), nude gauge 측정자에 직접 삽입되는 감압소자를 갖춘 외위기가 없는 측정자. 제어 계측부, gauge control unit 축정자를 작동시켜 계측하는 진공계의 구성 부품. 절대 진공계, absolute vacuum gau..
진공 용어 (Vacuum Vocabulary) - 3 루트(진공)펌프, Roots vacuum pump 펌프 케이스 속을 서로 반대방향으로 회전하는 한 쌍의 누에고치 로터에 의해 기체를 수송하는 용적 이송식 진공펌프. 가스 밸러스트 (진공)펌프, gas ballast (vacuum) pump 적당량의 기체를 압축과정에서 펌프 내에 도입하고 펌프 내부에서 응축성 기체가 응축하지 않도록 한 적 이송식 진공펌프. 건식 회전(진공)펌프, dry-sealed vacuum pump 기름이나 액체를 사용하지 않고 기밀을 유지한 용적 이송식 진공펌프. 운동량 수송식 진공펌프, kinetic vacuum pump 기체에 특정 방향의 운동량을 주어서 연속적으로 기체를 운송하는 진공펌프. 유체작동 방식과 기계적 방식의 2가지로 대별한다. 터보(형) 진공펌프, turbine v..
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