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반도체 부품 ‘SiC 포커스링’ 대표 기업 식각공정 -고출력 플라즈마 요구가 증가 -반도체 전공정중 가장 공정 강도가 크게 증가 -식각공정용 부품은 반도체 부품 중 가장 빠른 교체주기 -SiC 포커스링을 제조하는 3사는 모두 공장 증설을 진행 -공정 가혹화로 수혜 받는 티씨케이, 하나머티리얼즈, 케이엔제이 티씨케이 : 342억원 규모 시설 투자 결정 -비포마켓 업체 -SiC 포커스링 TEL, 어플라이드머터리얼즈, 램리서치 등 글로벌 식각 장비사를 거쳐 엔드유저에게 간접 공급 -반도체, 태양전지 및 LED용 부품 전문 제조기업 -매출 대부분 실리콘카바이드(SiC) 웨이퍼와 SiC 포커스링에서 발생. 그외 반도체용 고순도 흑연제품 하나머티리얼즈 : 1000억 원 규모 공장신설 투자 -애프터마켓 업체 -SiC 포커스링 엔드유저에게 직접 납품 케이엔제이..
SiCl4 SiCl4 Silicon Tetrachloride Application : DRAM & Flash Dielectric Chemical Name : STC [Silicon Tetrachloride] Formula : SiCl4 Molecular Weight : 169.89 g/mol Boiling Point : 58 °C Vapor pressure : 195 torr / 20℃ Density : 1.483 g/mL Phase at 25℃ : Colorless liquid
초임계 세정장비 -세정장비는 반도체 기판 깨끗하게 세정하는 장비. -최근 반도체 산업은 나노미터(nm) 단위 공정 진행 -아주 작은 입자 수준의 먼지나 오염물에 의한 치명적인 불량 최소화 하기 위한 장비. -과거 초순수 (극도로 정제한 물) 이용 세정작업 진행 -이 과정 중 물에 의한 반도체 회로 손상되는 단점. -'초임계 이산화탄소'를 이용한 세정장비가 대안. -'초임계'는 액체도 기체도 아닌 상태를 의미 -초임계 상태 이산화탄소를 사용. 반도체 기판의 불순물을 제거. -10nm대 DRAM(램), 위탁생산(파운드리) 반도체 공정에 투입 -세메스, 도쿄일렉트론, 램리서치 개발중.
배터리 4가지 주요 구성요소 1. 양극재 -니켈 함량 및 안정성을 위한 코팅 기술, 다결정 대신 단결정을 사용된 하이니켈 양극재 -코발트를 대체하는 망간 또한 단결정과 함께 표면 처리 기술필요. 2. 음극재 -현재 주로 사용되는 흑연계(천연‧인조) 음극재. 이론적인 최대 용량이 372밀리암페어(mAh)/g에 불과합니다. -실리콘 이용시 다소 개선. (5% 정도 첨가). -산화규소(SiO×)계, 질화규소(SiN×)계, 리튬메탈, 리튬티타늄 화합물(LTO) 등이 대안. 3. 도전재 -양극과 음극 활물질(양극재, 음극재)과 집전체(동박, 알루미늄박) 사이에 적용되는 소재. -활물질(양‧음극재)과 집전체(동박, 알루미늅박)의 전기전도성 향상시키는 역할 -탄소나노튜브(CNT)가 각광받고 있음, 반드시 분산 기술(분산액)이 필수. 4. 전해질..
TiCl4 TiCl4 TiCl4 (Titanium Tetrachloride) Application : DRAM & Flash Dielectric Chemical Name : TiCl4 [Tetra-chloro Titanium] Formula : TiCl4 Molecular Weight : 189.71g/mol Boiling Point : 136℃ Vapor pressure : 10torr/20 ℃ Density : 1.730 g/mL Phase at 25℃ : Colorless Liquid
TEMAHf Tetrakis(ethylmethylamido)hafnium(IV) Application : DRAM & Flash Dielectric 반도체 DRAM의 Capacitor 제조공정에서 사용. ALD 공정을 통한 HfO2 박막 증착의 용도로 사용. Chemical Name : TEMAHf [Tetrakis(ethylmethylamido)hafnium(IV)] Formula : C12H32HfN4 Molecular Weight : 410.90 g/mol Boiling Point : 288 ℃ Vapor pressure : 0.004 torr / 20℃ Density : 1.324 g/mL Phase at 25℃ : Colorless to pale yellow liquid
반도체 포토레지스트 (PR) 반도체 포토레지스트 (PR) 일본이 장악한 포토레지스트(PR). PR 시장은 도쿄오카공업(TOK) 스미토모화학 JSR 등의 합산 점유율 90% PR ?? 반도체 노광 공정 필수 물질. 실리콘웨이퍼에 PR을 바르고 회로가 새겨진 포토마스크를 올려 빛을 쬐면 패턴이 형성됨. 크게 전공정용과 후공정용으로 구분. 전공정용 PR은 불화크립톤 (KrF·248nm) / 불화아르곤 (ArF·193nm) / 극자외선 (EUV·13.5nm)용으로 분류. ArF의 경우 공기를 활용한 드라이와 액체를 사용하는 이머전 방식으로 2차 분류. LG화학 후공정용 PR 개발 중 추가 패턴화 작업용.전공정용보다는 덜 예민한 제품 SK머티리얼즈퍼포먼스 ArF PR 개발 완료. 고객사에 공급 중 삼성SDI PR 개발에 착수 동진쎄미켐 Ar..
TEMAZr TEMAZr Tetrakis(ethylmethylamido)zirconium(IV) Zr (지르코늄) precursor 반도체 DRAM Capacitor 제조공정에 사용. ALD 공정에서 ZrO2 박막 증착 용도. DRAM & Flash Dielectric Chemical Name : TEMAZr [Tetrakis(ethylmethylamido)zirconium(IV)] Formula : C12H32N4Zr Molecular Weight : 323.63 g/mol Boiling Point : 297℃ Vapor pressure : 0.005 torr/20℃ Density1.049 g/mL Phase at 25℃ : Colorless to pale yellow liquid
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