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BTBAS : Bis(tert-butylamino)silane Application : DRAM & Flash DielectricChemical Name : BTBAS [Bis(tertiarybutylamino) Silane] Formula : [(CH3)3CNH]2SiH2 Molecular Weight : 174.86g/mol Boiling Point : 167℃ Vapor pressure : 1.15torr/20 ℃ Density0.816 g/mL Phase at 25℃ : Colorless Liquid
베벨 식각 공정 (Bevel Etcher) 베벨 식각 공정은 유전체, 금속 또는 유기 물질 막에 관계없이 웨이퍼 가장자리의 모든 막 제거 웨이퍼는 웨이퍼 가장자리가 유일한 노출 부분이 되도록 상단 및 하단 플레이트에 의해 고정. 이렇게 하면 웨이퍼의 가장자리만 식각. 베벨 식각 동안 N2는 웨이퍼의 중심에서 가장자리를 향해 흐름. 이는 웨이퍼를 오염시키고 수율 문제를 일으킬 수 있는 입자가 웨이퍼 중앙으로 침투하는 것을 방지. 실수로 인해 웨이퍼의 두께 변화 문제가 발생할 수 있으므로 베벨 식각의 위치 지정은 매우 중요 베벨 식각은 필링, 아크 및 마이크로마스킹 문제를 방지. 웨이퍼 가장자리의 결함 밀도를 줄이는 데 도움.
파운드리(위탁생산)공정용 반도체 장비 장비의 경우 메모리대비 장비 개발난이도 높은 파운드리용 반도체 장비. 해외 (미국, 네덜란드, 일본) 장비 회사 독점 중. 국내 반도체 장비 국산화는 20~30% 수준 테스트 등 후공정 분야 국산화 노광 등 핵심 전공정 진입 X 세정, 증착, 식각, 열처리 등 일부 국산화 원익IPS 구공정과 표준 공정 용의 일부 파운드리용 장비 보유중 파운드리 공정 내 극자외선(EUV) 장비 호환 반도체 장비 개발예정 하드마스크 증착 장비, 원자층증착(ALD) 등 신규 장비 후보군을 검토 중 AP시스템 메모리 반도체용 급속열처리장비(RTP)를 파운드리 시스템 반도체용으로 개선 및 2022년 상반기 출시 예정 주성엔지니어링 주력 제품 ALD 장비, 화학기상증착장비(CVD)를 파운드리용으로 개선 및 개발 중. 피에스케이 베..
DIPAS DIPAS Diisopropylamino Silane Application : DRAM & Flash Dielectric, OLED Encapsulation Chemical Name : DIPAS [Di-isopropylamino Silane] Formula : H3Si[N{(CH)(CH3)2}] Molecular Weight : 131.29 g/mol Boiling Point : 116℃ Vapor pressure : 23torr/20℃ Density : 0.756 g/mL Phase at 25℃ : Colorless Liquid TGA 곡선 열 반응으로부터 수집된 열 중량 데이터는 x축의 온도 또는 시간에 대한 y축의 질량 또는 초기 질량의 백분율의 플롯.
TDMAS TDMAS (Tris(dimethylamino)silane) DRAM & Flash Dielectric Chemical Name : TDMAS [Tris-Dimethylamino Silane] Formula : HSi((N(CH3)2)3 Molecular Weight : 161.32 g/mol Boiling Point : 142℃ Vapor pressure : 3.5torr/ 20℃ Density : 0.88 g/mL Phase at 25℃ : Colorless Liquid
BDEAS Bis(diethylamino)silane Application : DRAM & Flash Dielectric Chemical Name : BDEAS [Bis-Diethylamino Silane] Formula : H2Si((N(C2H5)2)2 Molecular Weight : 174.4 g/mol Boiling Point : 188℃ Vapor pressure : 4.0torr/ 20℃ Density : 0.811 g/mL Phase at 25℃ : Colorless Liquid
제이아이테크 2014년 3월 설립된 군산 소재 중소기업 군산국가산단 내 1·2공장을 보유 2025년 12월까지 새만금산업단지에 제3공장을 건립할 계획 반도체 및 OLED 재료를 생산 및 국내외 주요 반도체 회사에 납품
동진쎄미캠 발포제 사업으로 회사 설립 이후 전자재료 사업을 성장 동력으로 구조 전환 반도체 디스플레이용 전자재료 주로 공급 국내 최초로 포토레지스트(PR) 소재 개발에 성공 그동안 EUV용 PR은 일본 업체들이 독점 공급해오던 중 2018년 일본 아베 총리 반도체 소재 수출 금지이후 삼성전자·SK하이닉스, 빠른 속도로 국산화 추진 삼성전자 14나노 D램에 EUV 4~5개 마스킹 공정 및 삼성전자 한 개 레이어에 EUV PR 공급 확정 EUV PR이 당장 매출에서 차지하는 비중 크지 않음. 향후 성장 동력 측면에서 의의. 낸드 플래시 KrF PR 세계 1위 공급 업체 배터리 필수 소재 슬러리 시장 진출위해. 6월 스웨덴 현지 공장 건립 및 노스볼트 실리콘 첨가제 생산 돌입할 계획 (대주전자재료, 한솔케미칼도 슬러리 ..
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